Двухтактный преобразователь постоянного напряжения
Изобретение относится к области электроте.чники и может быть использовано в системах вторичного электропитания для преобразования постоянного напряжения в переменное. Цель - повышение КПД путем уменьшения динамических потерь при выключении . Устройство выполнено по двухтактной схеме инвертора на силовых транзисторах 1 и 2, параллельно коллектор-базовому переходу каждого из которых включен вспомогательный транзистор 22
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5)) 4 Н 02 М 7 538
ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
H АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3906993/24-07 (22) 10.06.85 (46) 07.05.87. Бюл. № 17 (72) Н. Н. Романьков (53) 621.314.58(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 860244, кл. H 02 M 7/537, 1980.
Авторское свидетельство СССР № 892628, кл. Н 02 М 7/538, 1980. (54) ДВУХТЛКТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в системах вторичного электропитания для преобразования постоянного напряжения в
ÄÄSUÄÄ 1309220 А 1 переменное. Цель — повышение КПД путем уменьшения динамических потерь при выключении. Устройство выполнено по двухтактной схеме инвертора на силовых транзисторах 1 и 2, параллельно коллектор-базовому переходу каждого из которых включен вспомогательный транзистор 22 (23). Частотозадающие RC-цепи включены между базой вспомогательного транзистора II коллектором силового транзистора противоположного плеча. Указанное включение вспомогательного транзистора обеспечивает прохождение тока разряда конденсатора через базоэмиттерный переход запирающегося силового транзистора, что уменьшает время его выключения. 1 ил.
1809220!
4г
1 1 л О 6 р (! (> и и (. < ) Г l I o (. I I I c H к э Г l c K 1 р 0 1 (х н и к с 1ОЖ(> Г 6Ы ь и ll(), i l>Л<)13<1 ll(! 13 СИСГС)13. !3!О1)и и(ОI О э,1<>кTp<)II I<ты!Iи>l (,151 !I pc()6)ра:<ОВБIIIIH
ПОС i C?5lf ill<)l О 1131IP5IЖСffllH В IIC PCt Цель изобретения новы шснис КПД ПЧТЕМ ><МСНЬШ(111151 (1IIIHM it В Ы K,! IO Ч С Н И И . На (сртежс прелставлена принципиальная cxEма устройства. Преобразователь носToHHHol о напряжения содержит силовые транзисторы I и 2, кол зекторы которых через диоды 3 и 4 сослинены с KollllHx111 первичной Обмотки трансформатора 5, эмиттер-с>ыловыс переходы коTopblx загиунтировыиы рези(торами 6 и 7, 1,арал,!слын> тра!Гзисторам 1 и 2 включены и!уlil ир3кнцис llio li>I 8 и 9, цепи упрывлсния. солсржа!цис транзисторы 10 и 11, эмиттсры к<>торы х чсрсл диоды 12 и 1:3 IIO.Lклк)чсны к пер»ым пояс>жительн<)чу Входи<>м ч 131 IL3<) I x, »xi!I!"I cp-63.5ot3»IE. II(реxOHbl KOгорых ла!Иунп!рованы резисторами 14 и I;), кО гь((. кторы чср(л р(. лiicTopьl 16) и 1 / llo Tключены к базам си 10(3»ix гранзисторо» 1 и 2, H оаловыс»ы»оды чсрез резисторы I 8 — 21 !И>лключсны к концам перви III0H обмотки трансформатора 5, тр;(нлистс)ры 22 и 23, »к,>ючснные между общей точкой ре<ис1 0pO13 1 8 2 1 II 6353 31 lf C1110»Ы х Тр3 НЗ Ис торОВ 1 ll 2, Оазовы(. Bl>I»o;ll>l KoTopblx coc L1lll(ны (рс.>ис3орыхн! 24 и 25 >сС-цепей, конленсыторы 26 и 27 которых соединены к<>ллекгорыми си,!Овых трынiHOTnpo» 1 и 2 противоположных (лсч и за(пунтированы лио<ыми 28 и 2!Х H <)álllltE п)чки >сС-цепей ц ре.5 лllo;i,l>I 30 и 31 сос. (Il ll(>н ы с был;l ч и Си. 10»bIX TpHIIçèñ(0ð >(5 1 и 2. Ус! роист»о р.(6<>гыст c, lc. L<. юн(ич обралоч. 8 момент подачи питаю!цс! î 113iipiliKcIIlIH О Llfii из тРынлистОРОБ I((. Ii(è, IIPHÂ,I( ния, например Гранлис(ор 22, 1!ы Iинсl(т () IКf)ЫБ<1! Ься И)(ПX 1Ь(ОЧ НОГ(ОЖИТ(>г(ЫIОГО 11<1— пряжсния через K()flëc»ñHòoð 26 RC-цепи. 01 ill3p;3l«ic транзистора 22 lip»»<>5(èò к 0f iillpHнlt К) С И>10»0(О ра(l»И(T<)p;I 1 И Тра fl:511с f C)pH I 0 П рИ >ТОМ Ос(:50 ВЫ Г!! ГО К OTII il pы II f151 тры н.<и(! Орс> 1 ск, l;l,(û Вы Tcÿ и 5> !ОКОВ цсll il резис!()р 19, трын;5ис!Ор 22, гранзистс)р 10. резистор 16. Г3 с»ою Очс !)Сг(ь Отпирали тра нл исто f) l 1 Il ð è»0 (ит к сllьс бол ьlllcм 0T llll j)3н и ю тр;1(с>и с Ор(1 10 ла счет ТоКН базы через рс:5ис !Оры 18 If 19. Тыкич 0()P с>ЛО (1 Р! РЕГ(. II(. f) Н Г l i 13 I f l>l (I l I p O I ((. с с О I l l l () H I i i! 51 T f ) H l I H H (г О р сl 1 л () II<1(bl1ЦСНИ JI liPlt Э Г<)Ч П.)ЕЧ 3 ! <)КИЧ ()6PH <ОЧ, В МОМ ll! Ilj)OXO>f Il <3x03HTc B открыточ насыщенном состоянии. Конленс((тор 26 при этом заряжается по цепи -- пол<>жительщ>!й зажич источника Н И 3 Н И Я, НИЖНЯЯ 110, 1 < 0() .,1 ОТ К 3 Т (Э 3 Н С фо Р М 3тора 5, лиол 4, ре<ис!Ор 24, эчиттер-базовые перехолы транзисторов 22 и 1. По мере заряда конденсаторо» 26 ток в базовой цепи Tpàíçèñòîðà 22 прекращастся и гран.>истор 22 запирается. Запиранис транзистора 22 ве \(. T;3 <1í èð3 ни ю 1 рH IIH!(сторОВ 1 и 1 !. 33 Г(и p;i l i !i c T p 3 f l 3 13 с то р ы 1 В<> i (Г к с i l (c> 0 01 ь ц! е м ч лыпирыник> l pHíзи lopH 10. 3статочс.н 1;tH улсpH.;.Ния тp»il;51tcтора 1 в с) Гкрыпгоч состоя((:ии, тс<ч с,ымым лостигастСЯ М И(I It X! 3 11><10(. 1:3 f)(> I ß:1«P< XО (Н ЫХ Il f)0 ILL < C0i3 В П.5ЕЧС. Б мо IV!IT . 3(1 lilt pHil !i>i Гр(1НЛИС Г<)pp 27 проходит положительный им пу, ьс OKH. ко! <)РЫй НРИВОЛИт К,(с<(3ИН<Н)()РЫ)НОХ!3 РЕГСНСРати в ному процессу оГп(ир;)н и я гры нлисто ров нижнсг<> плсчы Hli«Г!(н инно <и!и(ынноч3 про1(ессу, По чсрс o I fl»p;illliif lt,н>вогo тра(<зисторы 2 ни>к<и г<) пле IH ранее;аряженпый конлсllci(п>р 26 /2C-цснн !3(рх ll,!с !а На ЧИН3(>Т J)<3 5рЯЖ3! Ьс Я f10 ц(llli ОТК рЫВакнцийся тр;)нл 1 1<)() 2, рс.<ис l<>p I>, .(ИО (80. При этом 13 С (с! Il I.(C и:IH и;(f1pH>KñllIf51 P(3 If C! ОР<. (> Il f)0li(. <<0,(и Г Ы КТ11I3if<)C .531111 PHние гранлист<>ры 1» pxllci o плс fH т<>коч ООРЫTНОГО ll3 II f)<3 В. ICII II51, ГСХ(С <3 >1Ы!((7<>С(11(. чивается IIH,(с к!(Ое 33llllf)31111(. грынл!(Огор3 В момс нг откры»ыния Tf)HIIлист<>ра 2. Открь! тый трын 511< тор 2 чсрс:5 лиол 28 fili lf ãHръ<ет 1(111> cllJ)<313,lc .IlliH ВсpxícEo плеча. ОбссtlP 10 oKoI I I<311» 10;5H f)H;iH кон ((lic <3T()PH ПрОИСХОЛ(1 Г Ла ВИНО<)браЛНЫй ПрОцс СС ЛЫНИраlIliH Tf)Hllзисторс>» llltжнсгс> пг!с !ы, 3 на,н)-!.ИIИ Oil li< Ы ИНОМ > 1.(Я БСPX ll(ГО li l(Ч.) Рсх)ис! ор! 14 и I;). !Ну!пирукнцис эч!Ггтербало(3ые пс ре,о;(ы .: р((н:5истopo» 10 и 11, cll<)собст»уют уcKof)(ник> процессы пасси»ного запирания iiO«Г!слних..(ног(! 12, 18 и 3, 4 I I O B f>I 1(t H Ю Г 110 Xf C X O XC T 0 И Ч И 13 0 (. 1 Ь С X E 311>l, И Склю IHH возможны-;: выс)р<)сы ИЗ(пульсов тока при переходных процессах со стороны выходного тра нсфор;I;ITopH 5., ),пол(,! 8 и 9 Ii! <<НТИР < lf H H 1 0 » biC . T I) H l l.5 li C Т() р ь! 1 H 2. 110 13hl 1 1! 351 fi;i. ((. ж!1<)cтi (3 xcTpойcт»c Обccпечивастся активный p(. жим лапирания си,
Одного из плеч прес>с>р;!ло»ытс.>я является ЧС !о»ИЕ;53 ll ft j)3 II!I H .(Р > ГОГО I I. 1(<13, Т(М (3 Ч Ы М ис кл!очыется »05310>к нос !1, Ги>ли и к !К) Бени H! 309220 Формула изобретени» Составитель T. 1-.ршова Редактор H. Бобкова Техред И. Верее Корректор, 1. 1!атай Заказ 1446)5! Тираж 66! 11одииснос ВНИГ!Г1И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4, 5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 «сквозных токов» и повышается надежность схемы. Двухтактный преобразователь постоянного напряжения, содержащий в каждом плече силовой транзистор, коллекторная цепь которого соединена с концом первичной обмотки выходного трансформатора, средняя точка которой присоединена к первому входному выводу, второй входной вывод подключен к эмиттерам силовых транзисторов, управляющая цепь силового транзистора одного плеча соединена с коллектором силового транзистора противоположного плеча через последовательную RC-цепь, четыре резистора и диода, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД путем уменьшения динамических потерь п ри выключении, в управляющую цепь каждого из силовых транзисторов введен вспомогательный транзистор, силовая цепь которого через первый резистор подсоединена napaëлельно коллекторной цепи силового транзистора, в которую включен согласно последовательно первый диод, причем один из выводов резистора RC-цепи соединен с базой вспомогательного транзистора, второй вывод этого резистора через второй диод соединен с эмиттером вспомогательного транзистора и базой силового транзистора, а базоэмиттерные переходы силовых транзисторов зашунтированы вторыми резисторами.
