Многостабильный триггер

 

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах с несколькими устойчивыми состояниями. Цель изобретения .- повышение надежности и быстродействия. Устройство содержит п однотипных ячеек памяти. Ячейка памяти содержит транзистор 2 первого типа проводимости, транзистор 3 второго типа проводимости, диод 10, резисторы 5, 8, 13, 15. Для достижения поставленной цели в устройство введе- .ны транзистор 14 первого типа проводимости , резисторы 7-, 16, диод 11. 1 ил. ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (Н) А1 (s)) 4 Н 03 К 3/29

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ}ТИЙ (2)) 40)54)6/24-2) (22) 27.01.86 (46) 07.05.87. Бюл. !! !7 (72) М.И,Богданович, И,Н.Грель и В.Ф.Истушкин (53) 621.374(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

9 l)52079, кл. Н 03 К 3/29, 1983.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1261083, кл. Н 03 К 3/29, 1984. (54) МНОГОСТАВИЛЬН))Й ТРИГГЕР (57) Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах с несколькими устойчивыми состояниями. Цель изобретения — повышение надежности и быстродействия, Устройство содержит и однотипных ячеек памяти. Ячейка памяти содержит транзистор 2 первого типа проводимости, транзистор 3 второго типа проводимости, диод 10, резисторы 5, 8, 13, )5. Для достижения поставленной цели в устройство введе.ны транзистор 14 первого типа проводимости, резисторы 7;, 16, диод !l., 1 ил.

1 1 309

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к устройствам с несколькими устойчивыми состояниями.

Цель изобретения — повышение надежности и быстродействия, На чертеже приведена принципиальная электрическая схема многостабильного триггера, Многостабильный триггер состоит из п однотипных ячеек памяти 1 -1 каждая иэ которых содержит первый транзистор 2„-? первого типа проводимости, у которого эмиттер соединен с общей шиной, база и коллектор соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора 3, -3 „ второго типа проводимости, коллектор транзистора 2 -2 соединен с соот1 ветствующим выходом 4„ -4„ триггера, и через первый резистор 5,-5„ подключен к шине б питания, база.транзистора 2„-2 соединена через шестой резистор 7„ -7„ с общей шиной, а через второй резистор 8„-8„ подключена к соответствующему установочному входу

9 -9„ триггера и аноду дополнительного диода 10 -10> катоды диодов

101-10„ всех ячеек памяти соединены вместе и подключены к катоду общего для всех ячеек памяти диода 11, анод которого соединен с входом !2 установки нулевого состояния, эмиттеры транзисторов 3 -3 всех ячеек соеди1 h иены вместе и через общий для всех ячеек четвертый резистор 13 с шиной

6 питания, змиттер третьего транзистора 14 — 14 первого типа проводимос1 l1 ти соединен с общей шиной, его коллектор подключен к базе транзистора

21-2, а база соединена через пятый резистор 151-15„ с общей шиной и через третий резистор 16„-16„ подключе,на к катоду диода 101-10д. Многостабильный триггер работает следующим образом.

В исходном (нулевом)-. состоянии все транзисторы всех ячеек закрыты, на выходах 4 1-4 „ высокие уровни напряжения. В этом состоянии устройство практически не потребляет энергии от источника питания.

Если в исходном состоянии на один из установочных входов 9 -9„ поступает положительный импульс, то включается соответствующая ячейка памяти.

Предположим, что положительный импульс поступает на установочный вход

263 2

9„ ° Возникает ток через резистор 8„ и открывается транзистор 2„, уровень напряжения на выходной шине 4, уменьшается, что приводит к открыванию транзистора 3„ . Ток коллектора тран-. зистора 3 еще больше открывает тран1 зистор 2, и возникает лавинообразный процесс переключения транзисторов 2„ и 3,, который заканчивается насыщением транзисторов. После окончания импульса на входе 9 транзисторы 2„ и 3„ остаются в насыщенном состоянии и удерживаются в этом состоянии за счет тока через резистор 13 и эмиттер транзистора 3., Таким образом включается ячейка памяти 1„ и на выходе 4„ устанавливается низкий уровень напряжения, на всех остальных выходах 4 -4„ сохраняется высокий уровень напряжения, Если в многостабильном триггере включена одна из ячеек памяти, напримерна любой другой установочный вход, например последний, 25 поступает положительный импульс, то положительный импульс поступает через диод 9„ и резисторы 16„ — 16 на базы транзисторов 141 †„. Последние открываются и входят в насыщение, что приводит к уменьшению ниже порогового уровня напряжений на базах транзисторов 2 -2, поэтому транзистор

2 закрывается, а это приводит к выключению первой ячейки. Транзистор

35 14 также открывается, но не входит в режим насыщения, потому что за счет входного импульса ток протекает через резистор 8„ и ток коллектора транзистора 14 больше, чем ток насьпцения„ Часть тока через резистор

8 протекает через базу транзистора

2„ и открывает последний. Это приво,цит к уменьшению потенциала на выходе

4д и открыванию транзистора 3„. Возникает лавинообразный процесс, который приводит к включению последней ячейки памяти. Таким образом, первая ячейка памяти вь1ключается, а последняя включается, следовательно, многостабильный триггер может переключаться в произвольном порядке, Если в многостабильном триггере включена одна из ячеек и на вход ус. тановки нуля поступает положительный импульс, то возникают токи через резисторы 8„-8, открываются и входят в насыщение все транзисторы 14„-14„.

Включенная ячейка выключается, так изобретения

Формула

Многостабильный триггер, содержащий и однотипных ячеек памяти, каж- дая из которых содержит первый транзистор первого типа проводимости, Составитель А.Янов

Редактор И.Николайчук Техред М. Ходанич Корректор Г.Решетник

Заказ 1803/53 Тираж 902 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 130926 как на базе транзистора 2 этой ячейки напряжение уменьшается ниже порогового, а новая ячейка не включается, т.е. устройство переключается в исходное (нулевое) состояние.

Повышение надежности работы многостабильного триггера достигается за счет того, что включение и выключение ячеек памяти не зависит от степени насыщения транзисторов ячеек.

Повьцпение быстродействия достигается за счет того, что может быть снижена степень насыщения транзисторов ячеек памяти, и за счет того, что насыщенный дополнительный транзистор 14„-14„ шунтирует ток базы выключаемого транзистора 2 -2„:, поэтому ток коллектора закрываемого транзистора 3„ — 3„ не влияет на время выключения транзистора 2„- 2„. Значительная степень насыщения в дополнительных транзисторов 14 -14„ не снижает быстродействия устройства, так как во время действия входного импульса эти транзисторы практически без задержки выводятся из насыщения увеличением тока коллектора. о

3 4 эмиттер которого соединен с общей шиной, база и коллектор соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора второго типа проводимости, коллектор первого транзистора соединен с соответствующим выходом триггера и через первый резистор подключен к шине питания, база первого транзистора соединена через второй резистор с соответствующим установочным входом триггера, первые выводы третьих резисторов всех ячеек памяти соединены с катодом диода, анод которого соединен с входом установки нулевого состояния триггера, эмиттеры вторых транзисторов всех ячеек через четвертый резистор подключены к шине питания, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью повышения надежности работы и быстродействия, в каждую ячейку памяти введены дополнительный диод, два резистора и третий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор — с базой первого транзистора, а база соединена через пятый резистор с общей шиной и подключена к второму выводу третьего резистора, база первого транзистора через шестой резистор подключена к общей шине, аноды дополнительных диодов соединены с соответствующими установочными входами триггера, а катоды подключены к катоду диода.