Транзисторное коммутирующее устройство

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„,Я1)„„1309296 А1 (д!) 4 Н 03 К 17/60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4002889/24-21 (22) 02.01.86 (46) 07.05.87. Бюл № !7 (71) Московский энергетический институт (72) С. Г. Бузыкин и И. С. Горянский (53) 621.314.58 (088.8) (56) Охотников В. А., Фомичев В. В. Методы снижения могцности, рассеиваемой в высоковольтных транзисторах преооразователей напряжения промышленных сетей:

Сб. Электронная техника в автоматике. М.:

Советское радио, 1980. № 11, с. 101, рис. 1.

Авторское свидетельство СССР № 1081796, кл. Н 03 К !7/60, О!.12.82. (54) ТРА НЗИ СТО Р HOE КОММ УТИ РУ )ОШЕЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в преобразовательных устройствах, для коммутации повышенного напряжения, в системах вторичного электропитания. Цель изобретения повышение КПД и надежности. Устройство содержит силовой транзистор 1, ограничитель 2 напряжения, трансформатор 3 тока с первичной и вторичной обмотками

4 и 5. В устройство введен второй тр" нзистор 6 того же типа проводимости, что и силовой транзистор l, а в качестве ограничителя напряжения использована цепь из двух последовательно соединенных диодов..

На чертеже также показаны входная шина 7 устройства, две выходные шины 8 и 9 устройства. Введение в устройство новых элементов с новыми взаимосвязями исключает протекание тока цепи накопления заря- Я да через открытый силовой транзистор. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1309296

Формула so<>pereeusi

Составитель И. Шевейко

Редактор Л. Лангазо Текрсд И. Верее К<. рректор 1. 11и III>lcll><0

Заказ 1449/55 Тираж 902 1! одни с и ос

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делал< изобретений и о>крь<тий

113035, Москва. Ж вЂ” 35, Раушская наб., д 4<5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород. ул. Г1роектная, 4

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в преобразовательных устройствах, для коммутации повышенного напряжения, в системах вторичного электропитания.

Цель изобретения — повышение КПД и надежности.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема транзисторного коммутирующего устройства.

Транзисторное коммутирующее устройст.во содержит силовой транзистор 1, ограничитель 2 напряжения, в качестве которого использована цепь из двух последовательно соединенных диодов, трансформатор 3 тока с первичной 4 и вторичной 5 обмотками, дополнительный транзистор 6 того же типа проводимости, что и силовой, вход 7 коммутирующего устройства, первый 8 и второй 9 выходы, при:<ем Kго соединен с колл;-ктором дополните,<ьного тр;.нзисToра 6>, Оиза которого соеси<<с <е! с эмиттером силового транзистора 1, с !и рным выхолом 8 транзисторного коммутирую<цего с<ройства и с началом вторичнои обл<о!ки 6 трансформатора тока, конец которой соединен с эмиттером дополнительного транзистора ток нагрузки, протекающий по пер иена с входом 7 транзисторного коммутирующего устройства.

При открытом состоянии силового транзистора ток нагрузки, п" этекающий по первичной обмотке 4 трансформатора тока, создает ток в его вторичной обмотке 5, который протекает через переход эмиттер база дополнительного транзистора 6, обеспечивая накопление заряда в его базе и не нагружая при этом силовой транзистор.

В это время ток в цепи коллектора дополнительHîãо транзистора 6 отсутствует, так как последовательно с его переходом коллектор — — база включен ограничитель 2 напряжения с уровнем ограничения, превышающим падение напряжения на переходе эмиттер — коллектор открытого силового транзистора 1. При запирании силового транзистора напряжение на его коллекторе начинает возрастать, и при достижении уровня ограничения ток нагрузки начинает ответвляться в цепь коллектора дополнительного транзистора, что приводит к рассасыванию заряда, накопленного в его базе.

Б течение времени. когда происходит рассасывание избыточного заряда, на коллекторе закрывающегося силового транзистора 1 поддерживается постоянное напряжение, равное падению напряжения на лиодной цепи, что гарантирует перемещен<<е рабочей

ТОЧКИ СИЛОВОГО траНЗИСтОра В I раНИцах НОрмируемой области работы. Послс а! ирания

10 силового транзистора 1 прекращается прогскание тока в цепи эмиттера дополнительного транзистора 6.

Таким образом. введение дополните. ьного транзистора и ограничителя напря кения в цепь, параллсльнуlo <<орех<:лу коз<,:>ек15 тор — эмиттер силового транзис".ора, и<ь<л<очает протекание тока цс<>и накопления заряда через открытыи си, ов . 1 тра::. ис Ор и обеспечивает с<<э работу в режиме. 0F> словленном технологическими ус,>овиями, т.е

20 приводит к попы!пению К11Д н <л, Ости транзисторного комму-:ир <>ще<о лсг;; ><; тва.

1. Транзисторное коммутирующее устройство, содержащее си l<>вой транзистор, ограничитель напряжсния. трансформагор тока, конец первичной обмо<ки котор<но сое динен с коллектором силового транзистора эмиттер которого сослинен с началом вторичной обмотки транс )оры атора тока и с первым выходом, а база с входом устройства, orëè÷àþè åå<:ÿ тем, что, с целью повышения КПД и надежности, в него введен дополнительный транзистор того же типа проводимости, что и силовой транзистор, баЗ5 за дополнительного транзистора соединена с началом вторичнои обмотки трансформатора тока, эмиттер — с ее концом. коллектор — с первым выводом ограничителя напряжения, второй вывод которого

4О соединен с началом первичной обмотки трансформатора тока и с вторым выхолом устройства.

2. Устр<><<ст „п<з и. 1. <>т. ичаюи4ее, я т< м, что ограни:ит,ль Ilã.:ðëæ< íèÿ выполнен в

45 виде элемента с вольтамперной характеристикой типа стабилитрона, например, в виде цепи, состоящей из двух последовательно соединенных диодов с уровнем огр:. <и:.— ния, превышающим палсlil е напряжения н» открытом силовом транзисторе.