Интегральная схема

 

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей . Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы при нулевом уровне синфазных потенциалов на входах дифференциального усилителя. Штегральная схема содержит дифференциальный усыпительный каскад и ключевые п-канальные МДО-транзисторы. Дифференциальный усилительный.каскад содержит активные р-канальные и нагрузочные п-канальные МДП-транзисторы. Эффективная длина каналов нагрузочных п-канальных транзисторов меньше эффективных длин каналов активных р-канальньпс и ключевых п-канальных транзисторов. Величина эффективной длины выбирается так, чтобы пороговое напряжение нагрузочных п-канальных транзисторов было меньше, порогового напряжения ключевых п-канальных и активных с нальных транзисторов-за счет эффекта ® короткого канала. I ил. iMfTlA САЭ fnoA. О сл о CQ bv ,.,

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51 5, .Н. 01 L 27/д92

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ . К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ - 1.,Д „ г!! 5Rkczz k

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46) 07,03.93. Бюл, М 9

/ (2 1) 3884967/25 (22) 22.01 85 (72) Ю.В,Агрич, С,А.Сульжиц и А.A.Ãóñàðîâ

i. (56) Ларри Уоффорд. Быстродействующие линейные К/МОП схемы с Si затворами. Электроника, Ф 6, 1982, с. 68. (54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (57) Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых

К-МОП интегральных схем, например, .К-МОП аналого-цифровых преобразователей. Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы при нулевом уровне синфазных потенциалов на входах дифференциаль„;SU„„1316509 А1 ного усилителя. Интегральная схема содержит дифференциальный усилительный каскад и ключевые и-канальные

МДП-транзисторы, Дифференциальный усилительный. каскад содержит активные р-канальные и нагрузочные п-канальные МДП-транзисторы. Эффективная длина каналов нагрузочных п-канальных транзисторов меньше эффективных длин каналов активных р-канальных и ключевых и-канальных транзисторов, Величина эффективной длины выбира" ется так, чтобы пороговое напряжение нагрузочных и-канальных транзисторов было меньше. порогового напряжения ключевых и-канальных и активных р"ка- д нальных транзисторов за счет эффекта короткого канала. l ил, 1 13165О

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых

K-ИОП интегральных схем, включающих

К-МОП дифференциальный усилитель (ДУ) и ключевые и-канальные МОП-транзисторы, например К-МОП аналого-цифровых преобразователей (АЦП), Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы 10 при нулевом уровне синфаэных потенциалов на входах дифференциального усилительного каскада.

На чертеже приведена принципиальная схема дифференциального усилитель 15 ного каскада.

Интегральная схема содержит дифференциальный усилительный каскад на . комплементарных МДП-транзисторах: активных р-канальных 1 и 2, нагрузоч- 20 ных и-канальных 3 и 4 и источнике 5 тока, выполненной в виде р"канального

ИДП-транзистора. Кроме того, интегральная схема содержит ключевые пканальные. транзисторы. 25

Конструктивно-технологические параметры транзисторов имеют следующие значения:

sBTpop — поликремниевый, самосовмещенный с областями стоков н ис- 30 токов,, Единица Изготов-. АД 7574 измерения ленная

ЙИС

Характеристика

Иаксимальная нели20-30

30-50

20 нейно сть мВ

Максимальное смеще30 мВ ние нуля входа Температурный дрейф смещения нуля входа/типовой

Температурный дрейф абсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой

Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования

Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/ Ñ 15 i 50 600 мкВ/ С

l5 мкс относи тельные единицы. толщина затворного диэлектрика

45 нм, эффективная длина канала

9 2

4,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2, 1,8 мкм для и-канальных транзисторов, эффективная ширина канала

600 мкм дпя р-канальных транзисторов и 2, 320 мкм для п-канальных транзисторов 3 и "4 пороговые напряжения транзисторов и-канальных нагрузочных 0,7.В, и-канальных ключевых 1,0 В, р-канальных активных 1,0 В.

Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС

8-разрядного АЦП последовательного приближения. Имеющаяся статистика по опытным партиям АЦП показала практическое отсутствие технологического брака БИС АЦП по точностным параметрам, связанным с характеристиками схемы, что обусловлено значительными технологическими запасами по ее параметрам. Высокие точностные и ско" ростные характеристики схемы позволили значительно улучшить соответствующие характеристики изготовленной

БИС АЦП по сравнению с ее функциональным аналогом АД 7574 фирмы "Апа1оя Device", в котором использована аналогичная по электрической схеме интегральная схема., Сравнительные характеристики изготовленной БИС АЦП .g

АД 7574 приведены в таблице.

Формула изобретения

Интегральная схема, включающая и-канальные ключевые МОП-транзисторы и К-M0II дифференциальный усилителЬный каскад с активными р-канальными

Составитель А.Матвеев

Редактор T.Þð÷èêoâà Техред И.Ходанич Корректор А Эимокосов

Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 1955

Производственно-полиграфическое предприятие, r. ужгород, ул. Проектная, 3 l3l65

Таким образом, заявляемая конструкция интегральной схемы, включающей дифференциальный усилительный каскад и п-МОП ключевые транзисторы, позволяет значительно улучшить эксплуатационную надежноеть, точностные и скоростные-характеристики интегральных схем, например, аналогоцифровых преобразователей, а также обеспечить высокий процент выхода fO годных схем и их низкую себестоимость . за счет больших технологических запасов по параметрам.

09 4 и нагрузочными 11-KBHBJlbHbtMH TpQH3Yñторами, истоки которык подключены к шине земли с нулевым потенциалом, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы при нулевом ypcs" не синфазных потенциалов на входах дифференциального усилительного каскада, нагрузочные и-канальные транзисторы дифференциального усилителя имеют эффективную длину канала, меньшую,. чем эффективные длины каналов активных р-канальных транзисторов дифференциального усилителя и ключевых и-канальных транзисторов, при этом эффективное пороговое напряже" ние нагрузочных п-канальных транзисторов дифференциального усилителя меньше порогового напряжения ключевых п-канальных транзисторов.