Устройство для измерения напряженности электрического поля

 

Изобретение относится к области оптоэлектроники и электроизмерительной техники. Целью .изобретения является повышение чувствительности, линейности и технологичности устройства . При этом в устройстве, содержащем источник света, соединенный волоконным световодом с интегральнооптическим элементом, соединенным, в свою очередь, двумя волоконными световодами соответственно с двумя фотоприемниками детектора, и индикатор , подключенный к выходу детектора, интегрально-оптический элемент выполнен в виде направленного ответвителя с предельно сильной связью, а в детектор для .обработки сигналов фотоприемников введены блок суммарноразно.стной обработки и схема деления . 1 з.п. ф-лы, 6 ил. (Л оо оо

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ÄÄSUÄÄ 1317371

А1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3822437/31-25 (22) 12. 12.84 (46) 15.06.87. Бюл. 9 22 (71) Ленинградский электротехнический институт связи им. проф.М.А.БончБруевича (72) Б.М.Машковцев и Ю.Н.Балодис (53) 535.8 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1101746, кл. G 01 R 13/40, опублик.

7.07.84 ° (54) УСТРОЙСТВО ДПЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ . (57) Изобретение относится к области оптоэлектроники и электроизмерительной техники. Целью .изобретения яв(59 4 G 01 R 29/08, С 02 F 1/03 ляется повышение чувствительности, линейности и технологичности устройства. При этом в устройстве, содержащем источник света, соединенный волоконным световодом с интегральнооптическим элементом, соединенным, в свою очередь, двумя волоконными све-товодами соответственно с двумя фотоприемниками детектора, и индикатор, подключенный к выходу детектора, интегрально-оптический элемент выполнен в виде направленного ответвителя с предельно сильной связью, а в детектор для .обработки сигналов фотоприемников введены блок суммарноразностной обработки и схема деления. 1 з,п. ф-лы, 6 ил.

13173

Изобретение относится к оптоэлектронике и электроизмерительной технике и может быть использовано при измерении (исследовании) постоянных и переменных электрических полей как в неограниченных, так и н ограниченных (замкнутых) пространствах газообразных и жидких сред.

Цель изобретения — повышение чувствительности и линейности показаний, 1О а также технологичности устройства.

На фиг,1 изображена функциональная схема предлагаемого устройства; на фиг.2 — конструкция интегрально-оптического элемента; на фиг.3 — - прин- 15 цйп функционирования интегрально-оптического элемента; на фиг.4 и.5 варианты технологической реализации интегрально-оптического элемента; на фиг.6 — пример реализации блока сум- 20 марио-раэностной обработки.

Устройство содержит источник 1 света (полупроводниковый лазерный диод), волоконный световод 2, интегрально, оптический элемент 3 (типа направленного ответвителя с предельно сильной связью), волоконные снетоводы 4

5, детектор 6 излучения с фотоприемниками (фотодиодами) 7 и 8, блоком 9 суммарно-разностной обработки 30 и схемой 10 деления, индикатор 11.

Вход интегрально-оптического элемента 3 через волоконный световод 2 соединен с выходом источника 1 света.

Входы фотоприемников 6 и 7 детектора

6 излучения через волоконные светоноды 4 и 5 подключены к выходам интегрально-оптического элемента 3. Входы блока 9 суммарно-разностной обработки детектора 6 излучения соединены с 40 выходами фотоприемников 7 и 8, а его выходы подключены к соответствующим входам схемы 10 деления, выход которой соединен со входом индикатора 11.

Интегрально-оптический элемент 3 (типа направленного ответвителя с предельно сильной связью) состоит из подложки 12, в которой технологическими методами сформированы одномодовые полосковые входные 13 и 14 и выходные 15 и 16 световоды, два Y-разветвителя одномодовых снетоводов и включенный между ними днухмодовый полосковый световод 17, н пределах которого материал обладает линейным электрооптическим эффектом.

Устройство работает следующим образом.

71 2

Работу устройства можно пояснить с помощью фиг.1-3. При помещении интегрально-оптического элемента 3 в исследуемое поле, двухмодовый полосковый светонод 17 должен быть ориентирован перпендикулярно вектору напряженности Е поля (фиг,1). Поток излучения, испускаемого источником 1 света, по нолоконному снетоводу 2 поступает на вход интегрально-оптического элемента 3, т.е. в одномодовый полосковый световод 13, в котором распространяется в виде основной волны Н„. Эта волна падает из световода 13 через входной У-разветвитель в двухмодоный полосконый световод 17 и возбуждает распространяющиеся в нем моды Н и Н2, коэффициенты фаз p и

I I

1 р которых различны и по разному из2 меняются под действием внешнего электрического поля. В выходном Y-разветвителе эти моды преобразуются обратно в моду Н„ одномодовых светонодов 15 и 16 (световод 14 также участвует в преобразовании волн, уменьшая потери на излучение и отражение). Распространение мощностей волн Н в свето1 водах 15 и 16 определяется соотношеI I нием фаз мод Н, и Н н сечении, где светоноды разветвляются (выходном

Y-разветвителе). Это соотношение зависит от напряженности Е, внешнего электрического поля. С выходов одномодовых полосковых снетоводон 15 и 16 перераспределенный свет по волоконным светонодам 4 и 5 подводится к фотоприемникам 7 и 8 детектора 6 излучения, сигналы которых поступают на вход блока 9 суммарно-разностной обработки. Выходной сигнал блока 9 подается на вход схемы 10 деления, с выхода которой сигнал поступает на вход индикатора 11, показания которого являются, при определенных условиях, приводимых ниже, пропорциональными напряженности Е поля. Введение в детектор 6 блока 9 суммарно-разностной обработки сигналов фотоприемников 7 и 8 и схемы 10 деления позволяет устранить влияние колебаний мощности источника 1 света на показания индикатора 11 устройства измерения, повысить чувствительность и линейность устройства.

Поясним принцип действия интегрально-оптического элемента 3, являющегося в устройстве измерения датчиком напряженности Еополя

3 13173

Представим действительное распределение поля моды Н в дальнейшей зоне световодов 13 и 14 в виде двух волн с амплитудами, равными половине падающей (фиг.3). Эти волны будут в фазе в световоде 1,3 и в противофазе в световоде 14 (считаем, что в дальнейшей зоне связь между световодами

13 и 14 исчезающе кала). По мере распространения волн к началу Y-развет- 10 вителя, появлению и возрастанию связи между световодами 13 и 14 (световоды сближаются), эти волны плавно преобразуются в собственные волны связанной системы световодов: син- 15 фазную Нс и противофазную Н„. Когда световоды 13 и 14 соединяются, волны

Нс и Н„ преобразуются в структуры полей мод двухмодового световода 17, т.е..соответственно в Н„ и H . По пу-20 ти распространения в световоде 17 имеет место интерференция мод.

Распределение мощностей волн Н, в выходных световодах 15 и 16 определяется соотношением фаз мод Н 25 !

1 и Н2 в выходном сечении световода 17 °

Амплитуды электрических полей мод в световодах 15 и 16 соответственно равны:

30 и

2о т.е. при соответствующем выборе длины двухмодового световода 17, равной

Од5 A 2(со п ) А1о 2о

Здесь и в последующем индексом "о" обозначены величины исходного режима, т.е. при Е, = О.

При Е О появляется дополнительная относительная разность фаз и можно записать:

Ф вЂ” Ф = — +аФ. ч

2 (2) Так как напряженность Е внешнего поля практически не влияет на связь между световодами, то „- 2)1=k(, („-ьМ ) «/, (3) 7 4 сигналов, Для этого в исходном режиме отсутствия измеряемого поля (при

Е = О) необходимо обеспечить равное деление мощности света в выходных световодах 15 и 16, что достигается при

1 - Ф - Ф

U =-U (е +е 2 )

15 2 1

Ф - Ф2 -1(Ф +ф )/2

= U cos — — — е

У

1 ф, - ф2

U =-U (е -е )

1 2

Ф1- Ф2 - (Ф Ф2)/2

= -iU sin — — — е

15 2

40 где U > — амплитуда волн в дальней зоне световода 13;

Ф„= p„1+2 Ч и Ф2 Р21+2 М, — набеги фаз соответственно волн Н и Н и Н и Н до дальней зоны выходных свеI

fl Z. товодов 15 и 16 (входной и выходной

Y-разветвители считаем одинаковыми).

Для устранения влияния изменений мощности излучения источника 1 света

50 на показания индикатора 11, повьппения чувствительности и линейности устройства для измерения напряженности электрического поля целесообразно использовать суммарно-разностную обра55 ботку сигналов с выходов фотоприемников 7 и 8 (схема такой обработки приведена на фиг.7), а затем взять соотношение суммарного и разностного где ko — волновое число в вакууме;

ЛИ1 и дИ2 — изменения под действием напряженности Ео внешнего поля эффективных показателей преломления мод Н, ! и Н2, т ° е. замедления волн.

Показания I индикатора 11 устройства для измерения напряженности поля суммарно-разностной обработке сигналов фотоприемников и последующем взятии их соотношения равны 6Ф:

/U1q/ -/U16 /2

? — /Н /2 /П / — з1плФ=лФ. (4)

И + 14

Определим зависимость ьФ от Е, для чего воспользуемся дисперсионными характеристиками Н-волн симметричного двумерного световода в обобщенных параметрах:

V = — — — j (m-1) Ti +2агсtg 1 — — ), (5)

b 1-Ь 1 1-Ь где m = 1,2,3...

N — п2

Ъ

n1 п2

1317371

Учитывая эти соотношения, получим:

V = k d (п.,2 — n2 п1о лп, 2 2 п10 20

4Ь (n,.—

noo)aN (N p п2о )nn, п2 — п2

1о 2о т.е °

aN = ab(n + n )+ (N,— и ) nn

Фо <о () ъ

lo 2o

55 причем

db db

ab = — / ач=--/.

dV o p1V о п1о a no — — — — — — V

2 и„— и

n — показатель преломления полосковых световодов;

n — показатель преломления под2 лОжки, причем n„Tnt, нО (n„-п ) (c1;

d — ширина двухмодового световода 17. t0

Следовательно, влияние Ео на дФ определяется изменениями в поле показателей и„ и и преломления световодов и подложки, а именно разностью изменений. Поэтому конструкция ин.тегрально-оптического элемента 3 должна быть такой, чтобы вызванное напряженностью Е внешнего поля изменение показателя п преломления под2 ложки было бы незначительным, в опти- 20 мальном случае равным нулю. Предельный случай достигается, если материал двухмодового полоскового световода 7 обладает электрооптическим эффектом,, а материал подложки 12 нет.

С целью повышения чувствительности устройства при использовании подложки из сегнетоэлектрика необходимо области повертюсти подложки 12, при- 30 легающие к l "..азветвителям и полосковому светоьоду 17 на величину проникновения полей волн в подложку, покрыть пленкой металла. Это позволяет в значительной мере локализовать воздействие напряж. чносги Ер внешнего поля областью дзухмодового полоскового световода 17. При этом приращение получит только коэффициент преломления световодов: и„= и„ + ап,, а о 40 дп . О.

Из формулы (6) следует, что

db dbms n,. Vo уф=1 1((— — — — -) — — — — -+ об/ о 17о П1о + П2о (7) N o — И2о

+ Jan, П1о П2а причем первое слагаемое в квадратных скобках существенно больше второго.

При линейном электрооптическом эффекте, имеем: (8) з оп„— 2 и Г 1 E где r; — электрооптический коэффициент.

Подстановка (8) в (7) показывает, что имеет место прямая пропорциональность между показаниями индикатора 11 и напряженностью измеряемого электрического поля: (9) о где коэффициент К чувствительности устройства равен n<о п2о 2

Пример. В качестве подложки используют монокристаллическую пластину сегмеятоэлектрика LiNb03,Y-срез.

На оптически полированную, соответственно подготовленную поверхность подложки 12 (фиг.4), покрытую слоем фоторезиста (электронорезиста, так как ширина одномодовых полосковых световодов 13-1б составляет 2-3 мкм, что лежит на пределе возможностей фотолитографии, целесообразно ориентироваться на электронолитографию) с окнами соответствующей конфигурации, т.е, фоторезистивный (электронорезистивный) контактной маской, в вакууме напыляют пленку титана расо четной толщины (приблизительно 300 А) .

После удаления с поверхности подложки 12 фоторезистивной (электронорезистивной) маски на поверхности остаются полоски 18 пленки титана, ориентированные вдоль оси Х кристалла (фиг.4). Проводят диффузию титана в

LiNb0, например, при 1000 С в течение 4 ч, в атмосфере очищенного кислорода, получая полосковые световоды

13 — 17. После плавного и медленного охлаждения подложки до комнатной тем1317371 пературы, поверхность подложки со сформированными световодами металлизуют, например, путем напыления в вакууме пленки алюминия толщиной около о

2000 A. Проводят вторую фотолитографию (электронолитографию) удаляя металлическую пленку непосредственно над полосковыми световодами 13-17 и с площадей поверхности подложки за пределами прилегающих к световоду 17 и 10

Y-разветвителям зон, куда проникают поля мод световодов, в результате чего получают интегрально-оптический элемент 3 (фиг.1), состоящий из подложки 12 со световодами 13-17, на 15 поверхности которого имеется металлическая пленка 19 (фиг.5), необходимая для выполнения сделанного при выводе формул (9) и (10) допущения an О, т.е. подложка не обладает электрооп- 20 тическим эффектом, а двухмодовый световод — обладает.

Формула изобретения

1. Устройство для измерения напряженности электрического поля, содержащее интегрально-оптический элемент типа направленного ответвителя на подложке, вход которого через первый 30 волоконный световод соединен с выходом источника света, а выходы — через второй и третий волоконные световоды— подключены ко входам соответственно первого и второго фотоприемников детектора излучения, выход которого подключен ко входу индикатора, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности и линейности показаний, .а также технологичности устройства, интегрально-оптический элемент выполнен в видЕ схемы, содержаЩей одномодовые полосковые входные и выходные световоды, соответственно входной и выходной Y-разветвители одномодовых световодов и сформированный между ними двухмодовый полосковый световод, материал которого обладает линейным электрооптическим эффектом, а в детектор излучения введены блок суммарно-разностной обработки и схема деления, при этом входы блока суммарно-разностной обработки соединены соответственно с выходами первого и второго фотоприемников, а выходы блока суммарно-разностной обработки подключены к соответствующим входам схемы деления,выход которой подключен к входу индикатора.

2. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности устройства, подложка выполнена из сегнетоэлектрика, а ее поверхность с обеих сторон двухмодового полоскового световода металлизирована.

1317371

1317371 у у 1б фиг.Я

-(1//и! I4 @Â

Фиг б

Составитель А.Трушин

Техред М.Ходанич (орректор А.Обручар

Редактор A.Ðåâèí

Заказ 2418/40 Тираж 730

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Ф . 12 (/Йк/ + u+/ )

Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля Устройство для измерения напряженности электрического поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электромеханическим устройствам прерывания потока излучения

Изобретение относится к оптическому приборостроению и позволяет повысить равномерность распределения интенсивности и увеличить быстродействие

Изобретение относится к электрорадиоизмерениям

Изобретение относится к области электроизмерений, является дополнительным изобретением к авт.св

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к радиотехнике

Тем-камера // 2103771
Изобретение относится к устройствам для испытания на электромагнитную совместимость электронных приоров, для исследований воздействия электромагнитного поля на живые организмы, для калибровки датчиков электромагнитного поля и представляет ТЕМ камеру, содержащую внешний пирамидальный замкнутый проводник, внутри которого в непосредственной близости от основания установлена комбинированная нагрузка, выполненная из поглощающей панели высокочастотных поглотителей и омических сопротивлений и асимметрично расположен внутренний проводник, выполненный из проводящего листа, переходящего в области нагрузки в плоскую пластину меньшей ширины, проходящую через поглощающую панель и соединенную с омическими сопротивлениями, при этом со стороны вершины пирамиды установлен согласованный переход для подключения генератора сигналов, отличающаяся тем, что внутренний проводник выполнен в форме части боковой поверхности конуса с радиусом сечения R, определяемым соотношением: R = (0,25 oC 0,3) (A + B), где: A и B - соответственно ширина и высота поперечного сечения внешнего проводника ТЕМ камеры, B = (0,7oC0,1) A
Наверх