Кассета для диффузии

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике,может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины из плоскопараллельного источника в потоке газа-носителя и позволяет повысить производительность и увеличить срок службы пластин источника. Кассета содержит две рамки, установленные одна в другой. Рамка для пластин источника имеет три держателя с приливами и пазами. Центральный держатель переходит в направляющую штангу. Рамка для пластин полупроводника имеет держателя с приливами и пазами и снабжена скобой и толкателем. Скоба скользит по направляющей щтанге. Пластины источника и полупроводника установлены вдоль продольной оси рамок . .Проведена операция термической диффузии пластин источника, что позволило использовать их на 100-200 процессов. Время проведения процесса сокращено на 40%. 6 ил. (Л со 00 05

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (Ю 4 С 30 В 31/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3958559/23-26 (22) 02.10.85 (46) 23.06.87. Бюл. № 23 (72) В.Н.Борщев, С.П.Клембек, Ю.P.Ìåíüøèêîâ и В.Е.Старков (53) 621.315.592 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 1029270, кл. H 01 L 21/68, 1981. (54) КАССЕТА ДЛЯ ДИФФУЗИИ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике, может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины из плоскопараллельного источника в потоке газа-носителя и позволяет повысить производительность и увеличить срок

„„SU„„1318618 A1 службы пластин источника. Кассета содержит две рамки, установленные одна в другой. Рамка для пластин источника имеет три держателя с приливами и пазами. Центральный держатель переходит в направляющую штангу. Рамка для пластин полупроводника имеет два держателя с приливами и пазами и снабжена скобой и толкателем. Скоба скользит по направляющей штанге.

Пластины источника и полупроводника установлены вдоль продольной оси рамок..Проведена операция термической диффузии пластин источника, что позволило использовать их на 100-200 процессов. Время проведения процесса . Q сокращено на 40%. 6 ил.

131861

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для проведения процессов диффузии в полупроводниковые пластины иэ плоскопараллельного источника в потоке газа-носителя.

Цель изобретения — повышение производительности и увеличение срока службы пластин источника.

На фиг,1 и 2 показана рамка для пластин источника; на фиг.3 — вид А фиг.2; на фиг.4 и 5 — рамка для пластин полупроводника; на фиг.6 кассета для диффузии с установленными на ней пластинами, вид сбоку.

Кассета содержит две установленные одна в другой рамки: рамку 1 для пластин источника и рамку 2 для пластин полупроводника. Рамка 1 имеет три держателя 3 и направляющую штангу 4, которая является продолжением центрального держателя 3. На держателях 3 выполнены приливы 5 с пазами для установки пластин 6 источника.

Рамка 2 имеет два держателя 7 с при25 ливами 8 и пазами для установки пластин 9 полупроводника, Рамка 2 снабжена скобой 10 и толкателем 11. Пластины 6 источника и 9 полупроводника установлены в рамках 1 и 2 вдоль их 30 продольной оси.

Кассета работает следующим образом.

Рамку 1 загружают пластинами 6 ис- 35 точника и помещают в рабочую зону реактора. Затем загружают рамку 2 пластинами 9 полупроводника и с помощью толкателя 11 устанавливают в

8 2 реактор. При этом скоба 10 рамки 2 скользит по направляющей штанге 4 рамки 1, обеспечивая тем самым устойчивость и направление движения рамки

2 в рабочую зону. После установки рамок 1 и 2 в рабочую зону начинают процесс диффузии. После завершения процесса рамку 2 с пластинами 9 извлекают из реактора, а рамку 1 с пластинами 6 источника оставляют в реакторе.

С помощью кассеты проводят операцию термической диффузии фосфора в кремний для создания эмиттерной и области.

Кассета для диффузии практически исключает разрушение пластин источника и позволяет их использовать на

100-200 процессов. Время проведения процесса сокращено на 40Х.

Формула изобретения

Кассета для диффузии, содержащая рамки, установленные друг в друге, имеющие держатели с приливами и пазами для параллельного размещения пластин источника и полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и увеличения срока службы пластин источника, рамка для пластин источника имеет дополнительный центральный держатель, переходящий в направляющую штангу, рамка для пластин полупроводника снабжена скобой, охватывающей направляющую штангу, при этом рамки установлены с возможностью перемещения вцоль продольной.оси.

1318618

Риг.2

-F14 р ФЮю ф

) ) ()

) x() ) )

/ ) /1 / ,(/ l

1318618

Составитель Н. Давыдова

Техред А. КравчукРедактор В.Петраш

Корректор А,Зимокосов

Заказ 2482/23 Тираж 369

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная, 4