Способ определения оптимальной экспозиции фотополимеризующегося материала

 

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить точность определения оптимальной экспозиции . Фотополимеризующуюся композицию-фоторезист 8 наносят поверх копланарных электродов 7 на тест-плату 6. Измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь производят до облучения, в процессе облучения фоторезиста 8 потоком актиничного излучения источника 3 и после него до достижения параметрами установившихся значений. Результаты измере- НИИ через устройство 11 сопряжения поступают в ЭВМ 12, осуществляющую их обработку и хранение. 4 ил. i (Л 00 00 со 00 Фие.З

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (59 4 С 03 В 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ё ." Сф

Fi3f» qg

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3943426/24-10 (22) 15.08.85 (46) 23.06.87. Бюл. М - 23 (71) Отделение Всесоюзного научноисследовательского института электромеханики и Московский авиационный институт им. Серго Орджоникидзе (72) А. И. Галушко, Ю. О. Резник, В.А.Тузов, P.Ä,Микаилов, В.И.Лопатин, Л.Н.Романова, В.А.Капкова и А.А.Егоров (53) 77 1.534.5(088.8) (56) Печатные платы. Требования к типовому технологическому процессу получения проводящего рисунка, с. 27, ГОСТ 23?24-79.

Авторское свидетельство СССР

В 520561, кл. G 03 С 7/12, 1972.

„„SU„„1318978 А1 (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИМАЛЬНОЙ

ЭКСПОЗИЦИИ ФОТОПОЛИМЕРИЗУММЦЕГОСЯ МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить точность определения оптимальной экспозиции. Фотополимеризующуюся композицию-фоторезист 8 наносят поверх копланарных электродов 7 на тест-плату 6. Измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь производят до облучения, в процессе облучения фоторезиста 8 потоком актиничного излучения источника 3 и после него до достижения параметрами установившихся значений. Результаты измерее ний через устройство 11 сопряжения поступают в ЭВМ 12, осуществляющую их обработку и хранение. 4 ил. (:

1318978

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля и отработки параметров процесса экспонирования фотополимеризующихся композиций В технологии изготовления печатных плат.

Целью изобретения является повышение точности определения оптимальной экспозиции.

На фиг. 1 представлен график изменения произведения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь в зависимости от дозы облучения; на фиг. 2 — график изменения характеристического параметра F в зависимости от дозы облучения; на фиг. 3 — схема устройства для осуществления предлагаемого способа; на фиг. 4 — вид измерительной ячейки с копланарными электродами.

По предлагаемому способу процедура определения оптимальной экспозиции фоторезиста при облучении его нестабильным актиничным излучением состоит в том, что берут измерительную ячейку, состоящую из диэлектрической подложки с нанесенными на ее поверхность копланарными электродами, поверх которых ламинирован фоторезист.

Эту ячейку устанавливают в экспонирующую установку таким образом; чтобы направление потока актиничного излучения было перпендикулярно силовым линиям измерительного электрического поля копланарных электродов, а поверхность фоторезиста была обращена в сторону источника излучения.

Сначала измеряют диэлектрические параметры неэкспонированного фоторезиста, а затем, облучая измерительную ячейку потоком актиничного излучения, измеряют диэлектрические параметры с интервалом 0,25-0,5 с.

При достижении дозы облучения, соответствующей области переэкспонирования, прекращают облучение измерительной ячейки, а измерения диэлектрических параметров, изменяющихся вследствие темновых процессов, продолжают до тех пор, пока их величины не достигнут установившихся значений.

После каждого замера вычисляют приращение характеристического параметра по фор. уле

D +01

dF, .=(С,.tg ;-С;,„ tg d ., ) — 2— где zF — приращение характеристического параметра;

С,,tgd.,D; — измеренные значения емкост ти, тангенса угла цнэлект5 рических потерь и дозы облучения соответственно.

Далее строят кривую значений характеристического параметра, каждая точка которой определяется по фор1О

Е1- +4Е1

Для повьппения достоверности определения установившегося значения после каждого замера решают неравенство дЯ ° — — - — 0,01F..

D. -D.

1+1 1

Если неравенство выполняется, то достигнутое значение считается установившимся (F„) .

Вычисление характеристического параметра, соответствующего оптимальной экспозиции, проводят по формуле

F, =F, Pk+(1-k)ln(1-К)7, где F „, — значение характеристического параметра, соответствующее оптимальной экспозиции

F — установившееся значение хаМ рактеристического параметра;

k — технологический коэффициент относительных химических превращений, соответ35 ствующий оптимальной экспозиции, постоянный для каждой марки фоторезиста и определяемый экспериментально методом химичес40 кого анализа.

Технологический коэффициент k определяется один раз для конкретной марки фоторезиста и принятой технологии производства печатных плат.

45 Находят оптимальную экспозицию по стандартной методике. Затем из образца фоторезиста, экспозиция которого оказалась оптимальной, отбирают пробу для химического анализа и находят относительную величину химических превращений, например по гельфракциис

На графике кривой характеристического параметра (фиг. 2) из точки F проводят прямую, параллельную оси

55 абсцисс, до пересечения с кривой характеристического параметра. Ордината пересечения является оптимальной дозой облучения.

1318978

Устройство для осуществления способа содержит экспонирующую установку 1 с экспозиметром 2, источником 3 актиничного излучения и шторкой 4, с помощью которой можно отсечь часть потока излучения, падающего на измерительную ячейку 5, но которая не мешает продолжать отсчитывать экспозицию, фиксируемую экспоэиметром.

Измерительная ячейка 5, состоящая из подложки 6 с копланарными электродами 7 и нанесенным слоем фоторезиста 8, помещается в зону облучения 15 экспонирующей установки. Электрические выводы 9 измерительной ячейки 5 подключаются к измерительному входу цифрового моста 10. Результаты замеров D С и t8/.через устройство 11 20 сопряжения поступают в микроЭВМ 12, которая осуществляет их прием, обработку и хранение результатов.

Если экспонирующая установка 25 не снабжена экспозиметром, то вместо него к микроЭВМ подключается внешний таймер. В частном случае может о использоваться внутренний аппаратный или программный таймер микроЭВМ.

Формула изобретения

Способ определения оптимальной экспозиции фотополимеризующегося материала, включающий измерение дозы излучения, емкости и тангенса угла диэлектрических потерь облучаемого образца и определение оптимальной экспозиции графоаналитическим способом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь измеряют до облучения, в процессе облучения и после его окон.чания, для чего используют измерительную ячейку, выполненную в виде тест-платы с копланарными электро-дами, при этом фотополимеризующаяся композиция нанесена поверх электродов, причем облучение измерительной ячейки продолжают до достижения области переэкспонирования, а измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь продолжают до достижения ими установившегося значения.

1318978

FtD

X Гфе i

Fg=ljtg

adam

Р ф

Рапт А-1 Di

ДОЗО Р

Составитель Л.Безпрозванный

Редактор В.Данко Техред M.Õîäàíè÷ Корректор M.Øàðîøè

Заказ 2510/41 Тираж 420 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета ССС по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4