Микрополосковый аттенюатор

 

Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает расширение диапазона регулирования ослабления. Устр-во содержит отрезок микрополосковой линии, состоящий из подложки 1, на одной стороне к-рой расположено металлич. заземленное основание 2, а на другой - микрополосок (МП) 3, и регулирующий эл-т, имеющий клинообразную форму, установленный со стороны МП 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к нему, в плоскости, параллельной ему, и состоящий из диэлектрич. пластины (ДП) 4 и нанесенного на нее слоя 5 поглотителя, толщина к-рого меньше скин-слоя. Диэлектрич. проницаемость материала ДП 4 больше диэлектрич. проницаемости подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону ДН 4, обращенную к МП 3. Площадь ДП 4 равна площади слоя 5. 1 з.п.ф-лы, 1 ил. с $ (Л со со 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

PECflYE JIHH

„,SU„1319118 А1 (5у 4 Н 01 P 1/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3829828/24-09 (22) 20.12 ° 84 (46) 23.06.87, Бюл. Ф 23 (71) Научно-исследовательский институт механики и физики Саратовского государственного университета и Саратовский филиал Института радиотехники и электроники АН СССР (72) Б,П.Безручко, Д.А.Усанов и Г.А.Филиппов (53) 621.372.852.3(088.8) (56) Заявка Японии Ф 52-20219, кл. Н 01 P 1/22, 1977.

Патент США Ф 3659233, кл. 333-81, 1972 ° (54) ИИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР (57) Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает расширение диапазона регулирования ослабления.

Устр-во содержит отрезок микрополосковой линии, состоящий из подложки 1, на одной стороне к-рой расположено металлич. заземленное основание 2, а на другой — микрополосок (МП) 3, и регулирующий эл-т, имеющий клинообразную форму, установленный со стороны MII 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к нему, в плоскости, параллельной ему, и состоящий из диэлектрич. пластины (ДП) 4 и нанесенного на нее слоя

5 поглотителя, толщина к-рого меньше скин-слоя. Диэлектрич. проницаемость материала ДП 4 больше диэлектрич. проницаемости подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону ДН 4, обращенную к МП 3. Площадь ДП 4 рав-» на площади слоя 5. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

131

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к устройствам для регулирования уровня мощности, и может быть использовано в радиоизмерительной аппаратуре.

Целью изобретения является расширение диапазона регулирования ослабления.

На чертеже представлен микрополосковый аттенюатор, общий вид.

Микрополосковый аттенюатор содержит отрезок микрополосковой линии, состоящей из подложки 1, на одной стороне которой расположено металлическое заземленное основание 2, а на другой — микрополосок 3, и регулирующий элемент, имеющий клинообразную форму, установленныи со стороны микрополоска 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к нему, в плоскости, параллельной ему, и состоящий из диэлектрической пластины 4 и нанесенного на нее слоя 5 поглотителя, толщина

1 которого меньше толщины скин-слоя.

Диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической пластины 4 больше диэлектрической проницаемости материала подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону диэлектрической пластины 4, обращенную к микрополоску 3. Площадь диэлектрической пластины 4 равна площади слоя

5 поглотителя.

Полосковый аттенюатор работает следующим образом.

В отсутствии регулирующего элемента над микрополоском 3 поле сконцентрировано в промежутке между микрополоском 3 и металлическим заземленным основанием 2, а на поверхнос" ти микрополоска 3 вдоль него протекает электрический ток. При толщине микрополоска 3 больше толщины скин-слоя волна по отрезку микрополосковой линии распространяется практически без затухания.

Введение в область, промыкающую к микрополоску 3, слоя 5 поглотителя приводит к перераспределению поля. Поле выходит за пределы микрополоска 3 и часть его оказывается в области слоя 5 поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя.

Возникающий в области слоя 5 поглотителя продольный ток, вследствие высокого сопротивления слоя 5 поглотителя, приводит к росту затухания

9118

2 волны, которое тем больше, чем больше протяженность участка микрополоска 3, перекрытого слоем 5 поглотителя. Наличие над слоем 5 поглотителя диэлектрической пластины 4, диэлектрическая проницаемость материала которой больше диэлектрической проницаемости материала подложки 1, способствует эффективному "вытягиванию" поля из промежутка между микрополоском 3 и металлическим заземленным основанием 2 и концентрации его в слое 5 поглотителя и в диэлектрической пластине 4.

Поскольку эффективность поглотителя тем выше, чем меньше расстояние от микрополоска до слоя 5 поглотителя, он нанесен на стороне диэлектрической пластины 4, обращенной к микрополоску 3. Выполнение диэлектрической пластины 4 и слоя 5 поглотителя с. равными площадями также способствует расширению диапазона регулирования ослабления из-за уменьшения потерь на излучение, а выполнение регулирующего элемента клинообразной формы с перемещением

его в направлении, перпендикулярном микрополоску, обеспечивает плавность ,регулирования ослабления, Формула и з обретения

Микрополосковый аттенюатор, содержащий отрезок микрополосковой линии и регулирующий элемент, установленный со стороны микрополоска с возможностью перемещения относительно него и состоящий из диэлектрической пластины и нанесенного на нее слоя поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя.причем диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической пластины больше диэлектрической проницаемости материала подложки отрезка микрополосковой линии, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования ослабления, слой поглотителя нанесен на сторону диэлектрической пластины, обращенной к микрополоску.

2. Аттенюатор по п. 1, о т л ич а ю щ и Й с я тем, что регулирующий элемент установлен с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к микрополоску, в плоскости, параллельной ему, и имеет клинообразную форму, причем площади слоя поглотителя и диэлектрической пластины равны между собой.