Способ получения монокристаллов фтористого натрия
Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%:
Гидроокись натрия 0,08-0,10Азотнокислый натрий 0,005-0,006Фторид кальция0,010-0,015 Фтористый натрийОстальное,
перед вытягиванием расплав выдерживают при 1100-1120°С в течение 20-30 ч, а затравку вращают со скоростью 600-620 об/ч.
Похожие патенты:
Изобретение относится к способу переработки отходов, возникающих при производстве полупроводниковых приборов, и обеспечивает превращение осажденных твердых веществ в продукты , пригодные к длительному хранению без загрязнения окружакмцей среды
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров
Способ травления кристаллов висмута // 1175977
Способ обработки монокристаллов // 1127920
Патент 161707 // 161707
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте квантовых генераторов, квантовых усилителей, пассивных лазерных затворов и других элементов управления лазерным излучением
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов добротности резонаторов лазеров и активных элементов) на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩКГ) с центрами окраски, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра
Способ контроля диаметра кристалла // 220961
Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества
Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса