Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем

Авторы патента:

H01L21/283 - осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10^-2 - 1·10^-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при температуре подложки 293-573 K, плотности мощности разряда (2-6) ·10⁴ Вт/м² до толщины перехода структуры пленки из островковой в сплошную.

Способ изготовления интегрального транзистора // 987711

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами // 940605

Способ получения омического контакта // 698450

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 673206

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 421304

Способ изготовления переключающего диода // 339243

Интегральная схема // 310594

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Фотоэлемент // 62557

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ изготовления самосовмещенной встроенной медной металлизации интегральных схем // 2230391

Способ заполнения углублений проводящим материалом // 2258274

Способ формирования контактного слоя титан-германий // 2343586

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины // 2403647

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния

Способ изготовления медной многоуровневой металлизации сбис // 2420827

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2080686

Способ изготовления инжектирующего контакта к моносульфиду самария // 2089972

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария с использованием методов термического испарения, магнетронного и ионно-плазменного распыления и др