Способ формирования электронных пучков
Изобретение относится к технике интенсивных электронных пучков. Целью изобретения является регулирование числа формируемых пучков и соотношения их интенсивностей. Первичный пучок электронов 1 имеет расходимость меньше одной десятой угла каналированияср р . Этот пучок направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом О iip ti к главной кристаллографической плоскости 3. Число пучков и соотношение их интенсивности на выходе из мишени зависит от энергии электронов и угла Cf . 1 ил. С в
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (191 (11) (so 4 Н 01 Л 3/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
К А BTOPGHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3899496/24-25 (22) 23.05.85 (46) 23.08.87. Бюл. Ф 31 (71) Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им. С.М.Кирова (72) Е.И.Розум, С.А.Воробьев, С.P.Óãëoâ и В.И.Гриднев (53) 621.385(088.8) (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ
ПУЧКОВ (57) Изобретение относится к технике интенсивных электронных пучков. Целью изобретения является регулирование числа формируемых пучков и соотношения их интенсивностей. Первичный пучок электронов 1 имеет расходимость меньше одной десятой угла каналирования („ . Этот пучок направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом
0 ((„ к главной кристаллографической плоскости 3. Число пучков и соотношение их интенсивности на выходе из мишени зависит от энергии электронов и угла ц . 1 ил. Q
9 пучков и соотношение их интенсивностей. деканалирования электронов
Составитель В ° Обухов
Редактор Л.Гратилло Техред Л.Сердюкова Корректор .1.Бескид
Заказ 3841/49 Тираж б97 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4
13324
Изобретение относигся. к- технике
r ° интенсивных электронных п /чкЬв»
Целью изобретения- является, регулирование числа формируемых пучков и
5 соотношение их интенсивностей. .
На чертеже дана схема, реализующая предлагаемый способ.
Первичный пучок электронов 1 формируют с углом расходимостью ь ц с 0,1 „, где q „ — угол каналирования, направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом <р к какой-либо главной кристаллографической плоскос- Б ти 3, например (110), удовлетворяющим условию 0 Толщину мишени выбирают меньшей длины каналирования. При таких условиях пропускания пучка электроны, двигаясь в кристалле, образуют связанные состояния, характеризующиеся определенными уровнями поперечной энергии с соответствующими квантовыми числами. Прошедший через кристалл электронный пучок имеет для каждого связанного состояния характерное угловое распределение. Так, электронный пучок с энергией 5,7 МэВ, прошедший вдоль плоскости (110) кристалла кремния, разделяется на 3 пучка, вдоль плоскости 100 — на 5 пучков, вдоль плоскости 111 — на 9 пучков, распространяющихся вдоль линии, перпендикуЗБ лярной соответствующей плоскости на угловых расстояниях друг от друга, 16 2 равных двум углам Брэгга. С увеличением угла разориентации первичного пучка электронов относительно кристаллографической плоскости кроме основного связанного состояния заселяются другие возбужденные состояния, имеющие асимметрию в угловых распределениях. Такая картина наблюдается при толщине мишени, меньшей длины каналирования. Предлагаемое изобретение позволяет при соответствующем выборе энергии электронов, кристаллографической плоскости и угла пучка относительно этой плоскости регулировать число формула изобретения Способ формирования электронных пучков путем пропускания первичного электронного пучка через монокристаллическую мишень, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью регулирования числа формируемых пучков и соотношения их интенсивности, первичный пучок формируют с угловой расходимастью dq, меньшей десятой части угла каналирования(1 „, направляют его под углом 0 = ч р„ к одной из главных кристаллографиЧеских плоскостей монокристаллической мишени, при этом толщину мишени выбирают меньшей длины
