Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов

 

Изобретение относится к процессам контроля резистивной пленки и контактных переходов ненарезанных неокрашенных резисторов и позволяет повысить точность определения контактных переходов. По измеренным сопротивлениям резистора без шунта и с шунтом определяют значение сопротивления контактных переходов по формуле К„ RU,- (R,,- Ru2 )/К. 2 ил. О) 4 4 СО

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„,SU 134704

А1 (51)4 G 01 R 31/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3479674/24-21 (22) 04.06.86 (46 ) 23. 10. 87. Бюл. ¹ 39 (72) А,А.Фитасов и Ю.А.Гребешев (53) 621.396. 696(088.8) (56) Хорович П. и др. Искусство схемотехники.-M. Жир, 1983, с. 23-24. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЕРЕХОДОВ НЕОКРАШЕННЬЙ РЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к процессам контроля резистивной пленки и контактных переходов ненарезанных неокрашенных резисторов и позволяет повысить точность определения контактных переходов, По измеренным сопротивлениям резистора без шунта и с шунтом определяют значение сопротивления контактных переходов по формуле В„= Ru, — (Ru — В„)/К. 2 ил.

Ru!—!! О!

"и! — Ru

R а.

Формул

RU! 1 и2

k где R, R

Il! и

К с1

1 где k= --- -(1

Ь вЂ” коэффициент, показывающий, какую

1 13470

Изобретение относится к технологии производства резисторов, в частности к процессам контроля резистивной пленки и контактных переходов не5 нарезанных неокрашенных резисторов, Цель изобретения — повышение точности измерения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов. 10

На фиг.1 представлена схема для измерения сопротивления резистора без шунта; на фиг.2 — то же, с шунтом.

Сущность способа заключается в следующем.

Для измерения сопротивления резистора без шунта (фиг ° 1) резистор 1 подключают контактными узлами 2 и 3 к измерительному прибору 4 и регистрируют величину R <, . Значение сопротивления Б„,связано со значением conpo i: тивления контактных переходов R„ и сопротивлением активной зоны резистора R соотношением 25

Rui = Rn + Roy (1)

Затем шунтируют шунтом 5 (фиг.2) часть 1 активной зоны резистора 1, которая задается в зависимости от длины 1 резистора. Чем большая часть

1 активной зоны шунтируется, тем выше точность определения активной зоны и контактных переходов. Регистрируют величину сопротивления В,, значение которой в этом случае связано

35 со значением В „и В,! соотношением

R R„+ R (1 k), (2) часть длины резистора шунтируют, Иэ выражений (1) и (2) определяют

Качество контактных переходов определяют по их величине относительно общего сопротивления . а изобретения

Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов, основанный на подключении измерительного прибора параллельно контролируемому резистору, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, шунтируют часть активной зоны резистора, измеряют сопротивление резистора с шунтом и определяют сопротивление контактных переходов по формуле сопротивление контактных переходов; измеренные сопротивления контролируемого резистора без шунта и с шунтом соответственно; коэффициент, показывающий какую часть длины резистора шунтируют.

1347049

Составитель В.Дворников

Техред А.Кравчук Корректор Г.Решетник

Редактор И.Горная

Заказ 5118/45

Тираж 729 Подл ис но е

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

1!роизводстненпо-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов 

 

Похожие патенты:

В п т б // 395790

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к определению влаги в подкорпусном объеме интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для оценки и контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем для оптимизации процесса производства и повышения информативности. Способ заключается в проведении испытаний металлических проводников интегральных схем при трех различных температурах T1, T2 и Т3 за счет саморазогрева протекающим электрическим током с последующим расчетом электромиграционных параметров: энергии активации , показателя экспоненты n = { ln ( t 50 1 / t 50 2 ) − E a ⋅ ( 1 / T 1 − 1 / T 2 ) / k } / ln ( j 2 / j 1 ) и электромиграционной константы металлических проводников A = t 50 1 ⋅ j 1 n / exp ( E a / ( k ⋅ T 1 ) ) , где ( t 50 1 ; j 1 ) , ( t 50 2 ; j 2 ) , ( t 50 3 ; j 3 ) - медианное время наработки на отказ металлических проводников и медиана значений плотностей тока, разогревающего эти проводники до температуры испытаний Т1, Т2, Т3 соответственно. Технический результат заключается в уменьшении времени испытаний тестовых структур для получения электромиграционных параметров. 8 ил., 6 табл.
Наверх