Способ получения рисунка шаблона

 

Изобретение относится к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличаться на величину погрешности t W, связанную с погрешностью в задании времени экспонирования . Воспроизводимость размеров злементов 1 и 2 достигается за счет статического усреднения прямоугольного фрагмента 3. В описании приведено выражение для определения кратности экспонирования N(W/W(P), где {Г - допустимая погрешность отношения усредненных ширин идентичных элементов. Пары идентичных резисто- . ров, изготовленных по данному способу , показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью 0,05%. Это обеспечивает ловьшгение процента выхода годных БИС (с 10-раэрядной точностью) примерно в 1,4 раза. 2 ил. САЭ СП со to

соез советсних социАлистичесних

РЕСПУБЛИН (51)5 G 03 F 7/26, 1/00 гОСуддрСТРЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ "" :."

Н ABTQPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 07,03.93, Бюл, М 9 (21) 3928080/21 (22) 11.07.85 (72) Ю.В.Агрич, М.N.Èâàíêîâñêèé, Т.А.Семенова и С.:А.Сульжиц! (56) Пресс Ф,П. Фотолитографические методы в технологии полупроводнико" вых приборов и интегральных микросхем, М.: Сов,Радио, 1978, с.21.

Гладков И,М, и Райхман Я.А.

Генераторы изображений в производстве.И.С. Минск: Наука и техника, 1981, с.37, 48"51 °

/ (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ШАБЛОНА (57) Изобретение относится к.микроэлектронике и может быть использбвано при изготовлении фотошаблонов.

Дель изобретения - повышение воспро.изводимости размеров при формировании идентичных элементов. для этого иденÄÄSUÄÄ 1353142 A l тичные элементы 1 и 2 получают путем

N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина М каждого из,.которых может отличаться на величину погрешности + 4W, связанную с погрешностью в задании времени экспонирования. Воспроизводимость разме- ров элементов 1 и 2 достигается за счет статического усреднения прямоугольного фрагмента 3. В описании приведено выражение для определения кратности экспонирования Н ъ (8W/МФ), 2 где 8 — допустимая погрешность от" ношения усредненных ширин идентичных элементов. Пары идентичных резисто- . ров, изготовленных по данному способу, показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью 0,05%. Это обеспечивает повышение процента выхода годных БИС (с 10-разрядной точностью) примерно в 1,4 раза. 2 ил.

I 135

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано прн изготовлении шаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем, Белью изобретения является повышение воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов за счет иСключения погрешности в задании экспозиции.

На фиг.1 и 2 показана геометрия идентичных элементов рисунка шаблона.

Идентичные элементы 1 и 2 получают путем .N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина

И каждого из которых может отличаться на величину погрешности +IV, свяванную с погрешностью в задании времени экспонирования (зкспозиции).

Воспроизводимость размеров элемен тов 1 и 2 достигается за счет статистического усреднения ширины прямоуs îëüíîãî фрагмента 3.

П р и и е р, С помощью шаблона, рисунок которого был получен в соот ветствии с изобретением„ был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 1„2 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента

3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559Б, .!О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции.

Кратность экспозиции N определялась, исходя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выражения

В

N >(††) . С изготовленного фотоИ d оригинала на фотоповторителе изго тавлнвались эталонные фотошаблоны.

С полученных описанным способом эта" лонных шаблонов изготавливались рабочие шаблоны контактной печатью.

Рисунок резистнвного делителя пере3142 2 носился на кристалл БИС АЦП контактной печатью с рабочего шаблона. Резистивные элементы формировались на кристалле БИС зпектронно-лучевым

Ф напылением на поверхность слоя двуокиси кремния сплава PC 2310К с последующей фотолитографией. Контакты к резисторам формировались напыпением слоя алюминия с последующей фотолитографией. Изготовленный согласно изобретению резистивный Делитель сравнивался с резистивными делителями, изготовленными в том же технологическом цикле с использованием рабочего фотошаблона, изготовленного с фотооригинала по прототипу.

Пары идентичных резисторов, изготовленных согласно изобретению, показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погреш- . ностью менее 0,05Х что обеспечивает повышение выхода годных БИС (с 10-разрядной точностью) примерно в 1,4 ра-, 25 за.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ получения рисунка шаблона, включающий формировалие элементов рисунка путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов и последующей химобработки, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью

35 повышения воспроизводимости размеров при формировании идентичных элемен- тов, И-кратное экспонирование осу ществляют по длине элемента, при этом длину прямоугольного фрагмента выбирают в N раз меньше длины элемента риаунка, а, ширину выбирают равной его ширине, причем кратность экспо» нйрования М определяют иэ выражения

dW

q,(-), где

И У

d× вЂ” погрешность воспроизведения ширины элемента на шаблоне, вызванная неточностью задания времени экспонирананняФ NKM!

d - допустимая погрешность от" ношения усредненных ширин идентичных элементов;

V - ширина элемента, мкм, 1353142

Составитель А.Хохлов

Редактор Г.Мозмечкова Техред, Л.Олийнык Корректор,М.Шароши

Заказ 1955 Тирам ., Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва Ж-35 ° Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная, 4