Двухтактный усилитель
Изобретение м.б. использовано в качестве у-ля мощности в операционных у-лях.. Цель изобретения - повышение стабильности при изменении питающих напряжений (ПН). Выполняя диоды цепи 3 смещения согласованными с транзисторами (Т) 10, 11 и 6,7, можно обеспечить высокую точность отношения коллекторных токов (КТ) этих Т, а значит, независимость тока покоя от величины тока смещения, протекающего через цепь 3, и от т-ры. Независимость тока покоя от ПН обеспечивается тем, что напряжение коллектор - база Т 6, Т 10 или Т 7, Т 11 одинаково. При этом увеличение ПН приводит к пропорциональному между собой увеличению КТТб, 10иТ7, 11 за счет эффекта модуляции баз этих Т. 1 ил. -& со ел САЭ 00 СО
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИ Х
РЕСПУБЛИН (50 4 H 03 F 3/26
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4022807/24-09 (22) 14.02.86 (46) 23.11.87. Бюл, Р 43 (71) Научно-исследовательский институт электронной интроскопии при Томском политехническом институте им. С.M. Кирова (72) В.Я. Грошев (53) 621.375.026(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
9 1283945, кл. Н 03 F 3/26, 26.04.85. (54) ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ (57) Изобретение м,б, использовано в качестве у-ля мощности в операционных у-лях., Цель изобретения — повы„„SU„„1354389 А1 шение стабильности при изменении питающих напряжений (ПН). Выполняя диоды цепи 3 смещения согласованными с транзисторами (Т) 10, 11 и 6,7, можно обеспечить высокую точность отношения конлекторных токов (КТ) этих Т, а значит, независимость тока покоя от величины тока смещения, протекающего через цепь 3, и от т-ры.
Независимость тока покоя от ПН обеспечивается тем, что напряжение коллектор — база Т 6, Т 10 или Т 7, Т 11 одинаково. При этом увеличение
ПН приводит к пропорциональному между собой увеличению КТ Т 6, 10 и Т 7, 11 за счет эффекта модуляции баз этих Т. 1 ил.
13543
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в качестве усилителя мощности в операционных усилителях.
Цель изобретения — повьш ение стабильности при изменении питающих напряжений.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного усилителя.
Двухтактный усилитель содержит первый, второй генераторы 1 и 2 тока, цепь 3 смещения, выполненную на прямосмещенных диодах, третий и четвертый управляемые генераторы 4 и 5 тока, первый, второй, третий и четвертый транзисторы 6-9, первый и второй дополнительные транзисторы 10 и 11 и резисторы 12-14, Двухтактный усилитель работает следующим образом.
Ток покоя двухтактного усилителя с токовыми цепями смещения определяется соотношением 25
89 первого дополнительного транзисторов
6 и 10 и второго, второго дополнительного транзисторов 7 и 11 за счет эффекта модуляции баз этих транзисторов ° Однако из соотношения (1) следует, что если токи 1 и I, изменяются пропорционально, то ток покоя не зависит от их изменений.
Величина тока покоя двухтактного усилителя может устанавливаться за счет варьирования площадей согласованных транзисторов, например элементов третьего и четвертого управляемых генераторов 4 и 5 тока или первого, второго дополнительных транзисторов
10 и 11 и первого, второго транзисторов 6 и 7, или установкой резистора
14 между эмиттерами первого и второго дополнительных транзисторов 10 и 11.
При соотношении площадей эмиттеров всех согласованных элементов, равном единице, ток покоя может быть определен следующим образом:
KT I I
I = 1n-- (1)
1 qr Io где К вЂ” постоянная Больцмана;
Т вЂ” абсолютная температура; — элементарный заряд;
r — сопротивление первого и второго резисторов 12 и 13
Iо и I — коллекторные токи первого и второго дополнительных транзисторов 10 и 11 и первого и второго транзисторов 6 и 7 соответственно.
Выполняя диоды цепи 3 смещения согласованными с первым, вторым и первым, вторым дополнительными транзисторами 6 и 7 и 10 и 11 можно обеспечить высокую точность отношения коллекторных токов этих транзисторов, а значит, независимость тока покоя от величины тока смещения, протекающего через цепь 3 смещения, и от температуры, Независимость тока покоя от напряжения питания двухтактного усилителя обеспечивается тем, что напряжение коллектор — база первого транзистора. 6, первого дополнительного транзистора 10 или второго транзис-тора 7, второго дополнительного транзистора 11 одинаково. В таких условиях увеличение напряжения питания двухтактного усилителя приводит к пропорциональному между собой увеличению коллекторных токов первого, R
Т и о 2г (2) где R — - сопротивление резистора, включенного между эмиттерами первого и второго дополнительных транзисторов 10 и 11.
ЭО
Формула изобретения
Двухтактный усилитель, содержащий цепь смещения на двух прямосмещенных диодах, выводы которой через соответствующие генераторы тока подключены
40 к шинам источника питания и непосредственно к базам соответственно первого и второго транзисторов, коллекторы которых подключены к базам соответственно третьего и четвертого
45 транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером и через соответствующие третий и четвертый генераторы тока с соответствующими шинами источника питания, а эмиттеры — с коллек-, торами соответственно третьего и четвертого транзисторов, между которыми включены последовательно соединенные первый и второй резисторы, точка соединения которых является выходом двухтактного усилителя, при этом тип первого и четвертого транзисторов противоположен типу второго и третьего транзисторов, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью
Составитель И.Водяхина
Техред И. Верес
Корректор В. Гирняк.Редактор Л.Зайцева
Заказ 5712/53 Тираж 900 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 1354389
4 повышения стабильности при изменении дополнительных транзисторов, змиттепитающих напряжений, введены первый ры которых объединены, при этом втои второй дополнительные транзисторы, рой и третий генераторы тока выполнетип которых идентичен типу соответ- ны управляемыми к управляющим вхо5
У ственно первого и второго транзисто- дам которых подключены коллекторы ров, к базам которых подключены базы соответственно первого и второго досоответственно первого и второго полнительных транзисторов.
