Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов

 

Изобретение может быть использовано при конструировании электрооптических устройств и позволяет повысить точность определения анизотропии . электропроводности. На грань кристалла наносят охранную сетку 1, в центрах которой размещают электроды (Э) 2-5. Ширина полоски охранной сетки 1 равна 0,2,. а зазор между ней и 32-5 равен 0,ЗЕ, где 2 - сторона квадратных Э 2 - 5. Заземлив охранную сетку 1, последовательно измеряют токи между Э 2-4 и 2-3 и по значениям их величин вдоль выбранных осей Ij, и I.J определяют анизотропию кристалла как () . 1 ил. СО со ел 00 Oi

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИН g 4 G 01 R 27/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3925230/24-21 (22) 09.07.85 (46) 07.12,87. Бюл. Р 45 (71) Институт физики АН БССР (72) Б,В.Крылов и В.Е.Лепарский (53) 621.317.332 (088.8) (56) Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. — M.: Металлургия, 1970, с. 66.

Гуль B.Ñ., Царский Л.Н, и др.

Электропроводящие полимерные материалы. — M. Химия, 1968, с. 51. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АНИЗОТРОПИИ

ЭПЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ

„„Я0„„1 57867 А1 (57) Изобретение может быть использовано при конструировании электрооптических устройств и позволяет повысить точность определения анизотропии электропроводности. На грань кристалла наносят охранную сетку 1, в центрах которой размещают электроды (Э)

2 — 5. Ширина полоски охранной сетки

1 равна 0,2Р,. а зазор между ней и

Э 2 — 5 равен О,ÇP, где P — сторона квадратных Э 2 — 5. Заземлив охранную сетку 1, последовательно измеряют токи между Э 2-4 и 2-3 и по значениям их величин вдоль выбранных осей Т и Т определяют анизотропию кристалла как (? /Т ) 0 8 . 1 ил. м

1357867

Спбсоб определения анизотропии осуществляется следующим образом. 2 х х

I> огану

Тх собственные значения электропроводности по выбранным осям; — токи, измеренные вдоль выбранных осей; — ширина электрода.

2 х

Составитель Кринов

Техред А. Кравчук Корректор И. Шар оши

Редактор О. Головач

Заказ 5994/45 Тираж 730 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, москва, Ж-35, Раушская наб, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технике измерений, квантовой электронике,и, в частности, может быть использовано при конструировании электрооптических устройств.

Целью изобретения является повьппение точности определения анизотропии электропроводности.

На чертеже дана схема осуществления способа.

На схеме обозначены: охранная сетка 1, электроды 2 - 5 нанесенные на одну из граней исследуемого кристалла 1 вдоль выбранных осей Х и Z„

На одну иэ граней кристалла наносят охранную сетку 1 и электроды 2 — 5.

Причем, ширина полоски охранной сетки равна 0,21,. а зазор между ней и электродом равен 0,31, где 1 — сторона 25 квадратных электродов 2 — 5. Кроме того, электроды 2 — 5 располагаются в центрах охранной сетки 1 и вдоль выбранных осей ° Последовательно измеряют токи между электродами 2-4 и 30

2-3, предварительно заземлив охранную сетку 1. По измеренным величинам токов вдоль выбранных осей Т„для первого случая и I для второго случая определяют аниэотропию кристалла как (IZ) о,81э ! Ix

Формула из обрете ния

Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов, включающий измерение токов вдоль выбранных осей с помощью электродов, исключение поверхностных токов с помощью охранной сетки, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью повьппения точности, все электроды располагают на одной грани кристалла, а измерительные электроды выполняют в виде квадратов, расположенных вдоль выбранных осей, причем ширина полоски охранной сетки равна 0,2! а зазор между ней и электродом равен 0,3Р, и определяют анизотропию электропроводности по формуле