Шихта сегнетоэлектрического керамического материала

 

Изобретение относится непосредственно к электронной промьгашенности, а также к радиотехнике и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов. Оно позволяет повысить диэлектрическую проницаемость материала и расширить интервал рабочих температур. Для обеспечения указанных высоких характеристик материал , включающий РЬ ,,, Pb Fe,;2Nb,/jO,, Pb Tie,, содержит добавку МпСОз-Мп(ОН)г- n при следующем соотношении компонентов,мае.%: PbMg,,, №,„03 86,4l-88,13iPbFe,,Nb,,e-3 9,74-9,92; PbTiOj 1,87-3,73; МпСО,- x№i(OH)-п HjO 0,08-0,12. Материал имеет следующие свойства: го с 16600-18000, интервал рабочих температур от -60 до +125 Ci tgS 0,02- 0,05. Использование данного материала позволит увеличить удельную емкость изготавливаемых из него-конденсаторов и расширить область примене - ния конденсаторов. 2 табл. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4084964/29-33. (22) 07.07.86 (46) 07.01.88. Бюл. )) 1 (72) О,В. Рубинштейн, В.А. Исупов, Б.А. Ротенберг, А.Н. Торопов и Т.А.Никольская (53) 666.638(088.8) (56) Богородицкий Н.В. и др. Радиокерамика, — M. Энергия, 1963, с. 118123.

Заявка Великобритании )) 2126575, кл. С 04 В 35/50, опублик. 28.03.84. (54) ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится непосредственно к электронной промышленности, а также к .радиотехнике и может быть использовано в производстве керамид)) 4 С 04 В,35/46, Н 01 G 4/12 ческих конденсаторов, Оно позволяет повысить диэлектрическую проницаемость материала и расширить интервал рабочих температур. Для обеспечения указанных высоких характеристик материал, включающий РЬ Мя,(МЬ, О

Pb Fe(zNb((z0, РЬ Ti0, сЬцержит добавку MnCQ Mn(OH) . п Н О при следующем соотношении компонентов,мас.7:

PbMg н Nbz(çOç 86,41-88,13,РЬРе„,ИЬ((,8, 9,74-9,92; PbTiOq 1,87-3,73; МпСО «

«Mn(OH)z и Н О 0,08-0,12. Материал имеет следующие свойства: E oq =

16600-18000; интервал рабочих температур от -60 до +125 С; tgP = 0,020,05. Использование данного материала позволит увеличить удельную емкость изготавливаемых из него -конденсаторов и расширить область применения конденсаторов. 2 табл. 1364611

Таблица1

Содержание, мас.7, в составе

Состав

Pb(Ng«> Nb,< )О Pb(Fe«,Nb« )0, PbTiO МпСО Мп(ОН), и Н2О

0,12

3,73

9,74

86,41

88, 13

87,27

0,08

9,92

1,87

9,83

0,10

2.80

Таблица 2 E/с, 7. в интервале температур

-60...+125 С

Состав

PV20 С 9

Ом см

16600-17100. -79,1...+8,5 0,005-0,006 (3,5-3,9) х 10"

« |2

793 х 10 — 191 х 10 (2,0-7,Я) х 10

17100-18000 -78, 6... +1, 5 О, 002-0, 003

16800-18000 -81,6...+2,0 О, 003-0,005

Известный

14145

-75...+24,8*

0,051

Изобретение относится к электронной, а также к родственной и смежной с ней радиотехнике и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов ЕЕ типа группы

Н-90, в том числе для изготовления многослойных монолитных конденсаторов, Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости и расши- 10 рение рабочего интервала температур.

Материал из шихты получают по обычней керамической технологии,Сначала синтезируют из смеси оксидов стехиометрические соединения: магно- 1 ниобат свинца (Pb (Mg, | МЬ2| ) О ), феррониобат свинца (РЬ(Ге1| НЬ«9)Оз) 9 титанат свинца (PbTiO ). При этом тема пература синтеза 750-900 С. Полученные материалы измельчают сухим помо- д) лом в вибромельнице в течение 2-4 ч, Компоненты материала смешивают в ступке в среде этилового спирта или путем сухого помола в вибромельнице.

Образцы для испытаний оформляют в виде дисков методом полусухого прессования на связке из поливинилового спирта. Изготовленные образцы обжи В интервале температур -30...+85 С. гают при 1220-1250 С в замкнутом объеме (для предотвращения испарения оксида свинца), На обожженные образцы наносят серебряные электроды методом вжигания серебросодержащей пасты.

B табл, 1 приведены составы шихты, в табл. 2 соответственно свойства полученного из шихты материала.

Ф о р м у л а.и з о б р е т е н и я

Шихта сегнетоэлектрического керамического материала включающая

РЬ(М8, МЬ )О, Pb(Fe, 2 Nb,,)O,, PBTi09 и марганецсодержащую добавку, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и расширения рабочего интервала температур, она содержит в качестве добавки МпСО> Мп(ОН) и Н20 при следующем соотношении компонентов, мас.7.:

Pb (М@«МЬ,| ) О, 86,41-88,13

9,74-9,92

PbTiO 1,87-3,73

МпСО э Mn(OH)2 п Н20 0,08-0,12.

Шихта сегнетоэлектрического керамического материала Шихта сегнетоэлектрического керамического материала 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области керамических материалов, используемых в радиоэлектронной технике в диапазоне сверхвысоких частот, в частности в качестве активирующего диэлектрика в феррито-керамических устройствах (фазовращателях и т.п.)

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов с повьшенной удельной емкостью

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов

Изобретение относится к электротехнической керамике для термостабильных конденсаторов

Изобретение относится к электротехнической керамике для термоста ,бильных конденсаторов

Изобретение относится к пьезо- ;керамическим материалам, используемым для изгоо овления пьезопреобразователей, датчиков
Наверх