Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора
Изобретение относится к контролю параметров интегральных микросхем (М). Пель изобретения - расширение области примс: ония способа. Вход М соединяют с шиной питания или общей шиной для получения на исследуемом выходе уровня логического нуля. Затем снимают две вольт-амперные характеристики (ВАХ) выходного транзис тора М при двух значениях напряжения питания. По двум ВАХ определяют отношение значений коллекторного тока (КТ) в области активного режима и находят два значения КТ в области насыщения, находящихся в том же отношении . После этого определяют по каждой ВАХ соответствующие значения падения напряжения и вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора из отношения разности значений падения напряжения к разности соответствующих значений КТ в области насыщения. 1 ил. сл
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК 1Ч 1 Эи he
13,",, ц
ЬНЬАИ, 1,=;. <
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
М А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4107066/24-21 (22) 20 ° 08.86 (46) 30.01.88. Бюл. N 4 (72) И.b. Баумберг, М.Б. Воскобойник, Н.И. Кахишвили, Р,Г. Мойнов, И.А.Носова и О.Г. Рухадзе (53) 621.317,799(088.8) (56) Берзин А.С., Мочалкина О.P. Технология и конструирование интегральных микросхем. — M.: Радио и связь, 1983, с. 130-132, IEEE 3ournal of Solid-State
Circuits 1982, vol ° sc-17, 11 - 4, р, 767, (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ ТЕЛА КОЛЛЕКТОРА ТРАНЗИСТОРА (57) Изобретение относится к кочтролю параметров интегральных микросхем (М). Цель изобретения — расширение
Л0„„1370635 а1 области примо." ния способа. Вход М соединяют с шиной питания или общей шиной для получения на исследуемом выходе уровня логического нуля. 3атем снимают две вольт-амперные характеристики (ВАХ) выходного транзис тора М при двух значениях напряжения питания. По двум ВАХ определяют отношение значений коллекторного тока (КТ) в области активного режима и находят два значения КТ в области насьпцения, находящихся в том же отношении. После этого определяют по каждой ВАХ соответствующие значения падения напряжения и вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора иэ отношения разности значений падения напряжения к разности соответствующих значений КТ в области насьпцения. 1 ил.
35 тер г Тьер. доп -Токе
I R
R) к-э
Допустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со1 13706
Изобретение относится к способам контроля параметров интегральных микросхем и может быть использовано при производстве и применении интегральных микросхем.
Цель изобретения — расширение области применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микро-1О схем транзисторно-транзисторной логики за счет проведения измерений при двух различных напряжениях питания интегральной микросхемы. В результате обеспечивается задание
15 двух различных значений токов базы выходного транзистора.
На чертеже представлены вольт-амперные характеристики выходного . транзистора микросхемы, иллюстрирующие операции способа.
Способ заключается в том, что на входы интегральной микросхемы подают сигналы, переводящие выход микросхемы, образованный исследуемым транзис- 25 тором, в состояние "0". В этом состоянии микросхемы базовый ток выходного транзистора определяется напряжением питания, так как транзистор, эмиттер которого связан с базой выходного транзистора, открыт. При определенном значении напряжения питания измеряют выходную вольт-амперную характеристику выходного транзистора.
Значение напряжения питания выбирается в интервале, нижняя граница которого соответствует минимальному значению напряжения питания Е„ достаточному для функционирования схемы в режиме "0 на выходе, Верх40 няя граница Е „ „ „, определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания зависящему с од1
45 ной стороны, от допустимой температуры перехода Т „„ „„ температуры окружающей среды Т, и теплового сопротивления переход — среда R, а с другой стороны, от тока I » протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор — эмит35 2 противление R p находится в пределах
0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение К для интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5-100 м.
Измеряют вольт-амперную характеристику выходного транзистора при напряжении питания F.„„,,(Е„ сЕ к кЕ „ „„„, ), изменяя его коллекторный ток от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы. Затем задают другое значение напряжения питания интегральной микросхемы Е, (Е „ „„„ к кЕ „ к Е „,„, ) и опять измеряют вольт-амперную характеристику выходного транзистора при изменении 1 тока коллектора этого транзистора от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы, Далее вычисляют отношение значений тока коллектора в области активного режима работы транзистора при двух значениях напряжения питания интегральной микросхемы и на вольт-амперных характеристиках в области режима насыщения задают два значения коллекторного тока выходного транзистора (по одному значению на каждую вольт-амперную характеристику), находящихся в том же отношении, и соответствующие им два значения падения напряжения коллектор — эмиттер, Сопротивление тела коллектора выходного транзистора определяют по отношению разности значений падения напряжения коллектор эмиттер в режиме насыщения к разности соответствующих значений коллекторного тока.
Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я
Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора, согласно которому задают два значения тока коллектора в области насыщения транзистора, измеряют падение напряжения между коллектором и эмиттером, вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора по полученным данным, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микросхем транзисторно-транзисторной логики, переводят выход микросхемы, образованf0
15 g0 О
Составитель В.Степанкин
Редактор Л.Пчолинская Техред М.дидык
Корректор О. Кравцова
Заказ 418/48
Тираж 772 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 з 1370635
4 ный коллектором исследуемого тран- активном режиме работы при первом зистора, в состояние логического ну- и втором значениях напряжения питаля, задают два различных значения ния, а по полученному отношению вынапряжения питания интегральной мик- бирают значения токов коллектора выросхемы в области допустимых напря5 ходного транзистора в области насыжений и определяют отношение токов щения, при которых проводят измеколлектора выходного транзистора в рения.
