Стабилитрон
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано как в силовой электротехнике, так и в аналоговой вычислительной технике. Цель изобретения - расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой МОЩНОСТИ;, В устр-ве осуществлена развязка между комплементарными транзисторами 1 и 2 первой пары и комплементарными транзисторами 3 и 4 второй пары. Транзисторы 1 и 2 задают величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), транзисторы 3 и 4 задают диапазон выходных токов. Транзисторы 1 и 2 всегда находятся на пологом участке ВАХ, обеспечивая питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами. 1 ил.
СОК)З COBETCHHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
„„Я0„„1 37231 2
А2 (51) 4 С 05 F 3/22
11
I
Ь
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) СТАБИЛИТРОН
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 905808 (2 1) 4 104604/24-07 (22) 18 ° 08.86 (46) 07.02.88. Бюл. 11 - 5 (75) А.Л. Якимаха (53) 621.316.722.1(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 905808, кл. С 05 F 3/22, 1982. (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано как в силовой электротехнике, так и в аналоговой вычислительной технике.
Цель изобретения — расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности. В устр-ве осуществлена развязка межд, комплементарными транзисторами 1 и 2 первой пары и комплементарными транзисторами 3 и 4 второй пары. Транзисторы 1 и 2 задают величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (BAX), транзисторы 3 и 4 задают диапазон выходных токов. Транзисторы 1 и 2 всегда находятся на пологом участке
ВАХ, обеспечивая питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами, 1 ил.
1372312 ц,, ; 6 m,u, В этом случае будут справедливы аппроксимации для токов базы и кол-!
О лектора биполярного транзистора эы и коллектора, при которых
Изобретение относится к электротехнике, может быть использовано в источниках электропитания радиоэлектронной аппаратуры, в аналоговых экспоненциальных преобразователях и других аналогичных устройствах и является усовершенствованием изобретения по авт.св. !! 905808.
Цель изобретения — расширение диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности.
На чертеже показана электрическая схема предлагаемого стабилитрона.
Стабилитрон содержит первый 1 и второй 2 транзисторы с противоположным типом проводимости, образующие первую комплементарную пару, а также третий 3 и четвертый 4 транзисторы с противоположным типом прово- 20 димости, образующие вторую комплементарную пару транзисторов. Причем эмиттеры транзисторов 1 и 3 одного типа проводимости подключены к первому выводу 5 стабилитрона, а эмит- 25 теры транзисторов 2 и 4 другого типа проводимости подключены к второму выводу 6 стабилитрона, база транзистора 1 соединена с базой транзистора 2, коллектор транзистора 3 соединен с коллектором транзистора 4, коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 3, а коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 4 °
Стабилитрон работает следующим образом.
В стабилитроне осуществлена развязка между транзисторами 1 и 2, задающими величину диапазона экспонен- 40 циальных вольтамперных характеристик (BAX), и транзисторами 3 и 4, задающими диапазон выходных токов, Выходной ток элемента, протекающий через выводы 5 и 6, определяется транзисторами 3 и 4, геометрические размеры которых могут быть выбраны значительно больше размеров транзисторов 1 и 2. Поэтому тепловые токи
I „, и I, транзисторов 3 и 4 зна50 чительно больше тепловых токов I „, и I „, транзисторов 1 и 2, Это означает, что нелинейные искажения экспоненциальных ВАХ могут возникнуть лишь при более высоких значениях выходного напряжения.
Диапазон экспоненциальных ВАХ данного стабилитрона — диодного элемента ограничен снизу условием где m, — фактор неидеальности эмиттерного перехода; температурный потенциал.
/ 06Э 0тб 1
I = I ехр (— — — )
U6g Uтк I I ехр (---- — ---) т где U и U, — пороговые напряжения для токов баТогда транзисторы 1 и 2 всегда будут находиться на пологом участке ВАХ, обеспечивая питание баз транзисторов 3 и 4 стабильными токами, Стабилитрон предназначен для изготовления по планарной полупроводниковой технологии. Геометрические размеры транзисторов 3,4, и 1,2 могут быть равны попарно один другому или отличаться при различных концентрациях легирующих примесей в полупроводнике областей баз. В то же время геометрические размеры транзисторов 3 и 4 должны быть значительно больше размеров транзисторов 1 и 2, поскольку протекающие через них токи значительно больше. Топология изготовления транзисторов гребенчатая, Таким образом, предлагаемый стабилитрон по сравнению с известным имеет более широкий диапазон выходных токов и мощностей рассеяния в области экспоненциальных ВАХ. Формула изобретения Стабилитрон по авт. св. N- 905808, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих токов и рассеиваемой мощности, в него введена вторая пара комплементарных транзисторов, коллекторы которых Составитель В,Есин Техред М.Ходанич Корректор А.Зимокосов Редактор А.Козориз Заказ 483/40 Тираж 866 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 1372312 4 объединены, а база-эмиттерные цепи с противоположным типом проводимости включены последовательно в коллектор- соответственно эмиттерами к выводам ные цепи транзисторов первой пары стабилитрона.
