Источник опорного напряжения
Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в устр-вах вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретения - повышение температурной стабильности выходного напряжения и нагрузочной способности. Устр-во содержит первый 1 и второй 2 МОП-транзисторы одного типл проводимости, третий 3 и четвертый 4 МОП-транзисторы нротивоположного гяпа проводимости , резистор 5, а также дополнительньп пятый МОП-транзист 1ры 8, про водимость которого аналогична первому и второму. Цель достигается за счет протекания одинаковых токов через транзисторы, а также введения дополнительного транзистора, осуществляющего регулирование выходного напряжения. 1 ил. С 3 (/)
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„.%„„дади А» (Su 4 С 05 F > ф» < < r> »..-, », 1
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
».. I
5ы
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4121911/24-07 (22) 16.06.86 (46) 07.02.88. Бюл. М- 5 (7 1) Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова (Лени— на) (72) В.И.Анисимов, A.Á.Èñàêîâ, М.В.Капитонов, Ю,И.Соколов и Н.И.Ясюкевич (53) 621.316.722 ° 1(088.8) (56) Патент Японии Ф 59-41203, кл. G 05 F 3/20, 1983.
Патент Великобритании
У 2090442, кл. С 05 F 3/08, 1981. (54) ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в устр-вах вторичного элс ктропитания радиоэлектронной аппаратуры. Цель »зобретения — повн»»ne»»»e температурной стабильности выходного напряжения и нагрузочной способ»»ости. Устр-во содержит первый 1 и второи 2 МОП-транзисторы одного типа проводимости, третий 3 и четвертый 4 ИОП-транзисторы противоположного типа проводимости, резистор 5, а также дополнительный пятый МОП-транз»»сторы 8, про водимость которого аналогична первому и второму. Цепь достигается за счет протекания од»»наковь х токов через транзисторы, а также введения дополнительного транзист ора, осуществляющего регу»п»ров;»»»»»е выходного напряжения. 1
1372313!! <) >p< ft t1t. t> гно((!тся h н» кт ро технике li может быть испо ьзовано в истО Ill<1, I к !3т<)1)1(ч ногo электропитания р:1 Iit "3 I гр ч!3 >й а нар;)т; ры.
1l(-,ll 1 3 бр» ге ния -- и(Г)ыщеtlfi(те"f
Ii t:!>ë т;!. I i »!1 t Г аб(!)(ьно cти (Зыходноl О
f3 3 < I f? si +» I3 I3 )f 1! I 1 г !> у 3 О 1 Н < ) и " 11 o (() б Н О (Т и
ИС ГО>!(!!(f»11
1!а чертеже Ifo (>в(1<1 i(pl(HI(iачьH»35f » Х» (!11 ИСТ()ЧН(!1 1 O(IOPHO! О IIb)IIPß
;Z»-->f«S(.!!ст: Iilirh» порного 1(:.(нряжения с оДE p К li 1 Н»? !> Вый 1 11 f(T >p off . МОП= 1 р 111 (>II Нl) > f <Н3,>t(l lt,К 1 >I > Г!1llñl <(! (><>.> (((1!!ОС
Тl<, ) - t it. Г )<>, «!. 1 (с IIС ТОI f Т,)(111 зг<-. Гt)pов н: Ilo.lê !ю»<сны к входной щ!«1(<),(т (<>(> ", «3ll 311(г<>pl! 1»3 Об (1» (1! 11< (.1 t > Г! tt 3 iii i Лt> l
>(...t .1 I ..I : :7) НС г(!.(«раН 3!ft I < »t> «, tl (l i t> !t ) l < Н I... t tl IO!f (3!fIIE
Ф
-,I Г tt,, f) t i (.11<11(Ч!>< I! (!! <-,",ИН(l!bl СО
t >; ii 3t<,!t I > Р > 3 о <ИГ Тop ) ()hill<>!. (, « . (Г .I tll!i!IO(l Н I)hfX()5(If()I(ШИН: (<, (I I I I IО(! Гl) 1 i 3 1< . p 8 111:.1 (O
1) < t l t > t: r;i (: If lt (I 1 f J>,1 lf ? f1 (:тору 1 ) Ч, 1 t ((> I!t ТО:; II;)tIКГ(1<)-(E" Н К ВХОД н >й I!!!!:i t т< к — к выхо; ной ц!Ие!е
7,,1 1 I it — к . I>. »..! (f1(» и! Ьеl t òt)êàht
1 р,1 1(3(; т >()«1(! 11 4, (: ») f 11 Гр 3 <(з(1< ГО
1 ! 1. I:1 ) С,) t It
",).> 3 )М.
1I <ЛР);i III (!)(I)fè(ÐÓ» I (5(1 l » (! (Ч II 1, ((it. t I » i !>О(3
i :1 !> "t I ) II 1 It . >f;ht. Ill ill ком третьег() транзистора, резистор нк:нвчсн между общеи и выходной шинаltt), " > I t .l ..iIt Н Ilp, t I ()I за (<«, I, I ti t .. 1<>)(> ГС ..Iht:Ц(!Х ЧЕ— !
) (I(зllСТ(!я! Р > 1 > lf1pU
> (>,1
1) >
)3: Н!«
3 I!(III It !
Ltbi ° (> Г, (> I <) Н П(!? 51 (с If 1(51 О(УЩЕ С 1 В > (< (< It»t(3ав(lв !I СГ
Гl(.)(Il 13>1 )Н. рс> (<
;?< !>
II(> t (Кой НIО,) (IРИ
t1jtt t t:. .>,,,,liO1 (> «.; i l, . (.(I (IН lit
iiO ГЕ(!ЦЕЫ i
Н 11!ПН . -IIII>(т (> !?;1 У 1 »
Н . II((» 1 < я.».11» Вс. С .1
, i<» .., > I I (1>3
1 II ° )
Я(. Г(Н . > 1 >?! <>КЛ Ii
Н ...,(1,>Р знс горов, а исток второго соединен со током (peòüåão транзистора.
1), 1;
<. >(н
<,I b l f11 > I (t >Т t. ll (,1>, 1 l 1 3 clТ
1(Г, > Ii I I ель В.Есин .Х(?данич КорректорА.Тяско! О«< a53(fx
То х!)oi(М
Р<,(;11-. Г )р А. Кt? «>!»(з )3 3/4О! 1(Р- )ж Подписное!
><(!!!(!!!! i о, у, ; ip твенно! ) комитета СССР
Ili! il» лам и <обрет ll! 111 и открытий
l 3I3 3, (!.>с к 3:i, ((."- 3 ), Р,(с((!(.кая наб., д. 4/5!
If><)» 3 <3< >;!(т 13» «lio- ii< II« !) i !»Itt (. КО». I(t)< niipff(fтl(е, Г. ужгород) ул. Проект((ая ) 4
ЗИ 1 (>!?(I t>„ Ill() I t) Тl(:1 3 Iff) >Вt?(I fib<(>(Тll ) трет<(й 3 11 -<е гвертый 4 "IOII-транзистовора транзистора 8 и, следовательно, его проводимости. Снижение проводимости регулирующего транзистора 8
Ol>E СПЕЧИВает ПОВЫШЕНИЕ ВЫХОДНОГО
5 напряжения, компенсируя его изменение. При увеличении выходного напряж ния аналогичным образом отрицательи;(я обратная связь осуществляет
vhfofibøåé1iå напряжения на выходе устройства.
Предлагаемый источник опорного напряжения по сравнению с известным имеет более высокие температурну(<) стабильность и нагрузочную способность за счет обеспечения равенства
"рогекающих через транзисторы токов и введе.ния дополнительного транзистора, осуществляющего регулирование
Zp выходного напряжения.
25 !1сточник опорного напряжения, coti» р)кащ!(й первый и второй МОП-транзис(оры олн<:го типа проводимости, третий н четвертый МОП-транзисторы противоположного типа проводимости, ре3р знстор, причем истоки первого и второг<) транзисторов подключены к входн<>й шине, завтор первого транзистор:1 — к общей шине, а затвор второго р illзистора — к выходной шине, ис35 токи третьего и четвертого транзисторов подключены к обшей шине, их зат1«)ры объед!(Нсlfbl и соединены со стон(мп, отличающийся тем, tf1o, с целью повышения температурной стабильности выходного напряжения и нагрузочной способности, введен пятый МОП-транзис.тор аналогичной провод((мости первому, причем его исток
<>пк. !(ачен к входной шине, сток — к выходной шине, затвор — к объединенным стокам первого и четвертого тран
