Стекло для резисторов

 

Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления резистивных композиций по толстопленочной технологии. С целью повьшения кристаллизационной и химической устойчивости стекло содержит, мае.%: B,0, 33,25-40,34; МоО 11,92- 15,57; CdO 13,90-17,04; PbO 11,85- 12,32; А1.г0.э 5,41-5,63,- SiO 6,37- 6,63; ZnO 8,80-10,80. Химическая устойчивость I гидролитический класс, ТКЛР, с (20-400°С) (53,4-59,4) 10 , температура размягчения 520- 530 С, удельное электрическое сопротивление при 400°С (2,38-3,0) см. 2 табл. с (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 С 03 С 3/074

g(Yg f . щ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) СТЕКЛО ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4047776/29-33 (22) 01.04.86 (46) 23.02.88. Бюл. Р 7 (71) Минский радиотехнический институт (72) Н.М.Бобкова, И.Л.Раков, 3.Н.Шалимо, Н.П.Соловей и А.П.Молочко (53) 666.112.6 (088.8) (56) Веребейчик Н.N. Оделевский В.И.

Вопросы радиоэлектроники, 1960, сер.3, вып.2.

Авторское свидетельство СССР

ii) 1186591, кл. С 03 С 3/074, 1984.

„„SU„„1375587 А 1 (57) Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления резистивных композиций по толстопленочной технологии. С целью повышения кристаллизационной и химической устойчивости стекло содержит, мас.%: В,«О., 33,25-40,34; МоОэ 11,92i5,57; Cd0 13,90-17,04, РЬО 11,8512,32; А1.)О 5,41-5)63; SiO 6,376,63; Znp 8,80-10,80. имическая устойчивость I гидролитический класс, ТКЛР, С (20-400 С) (53,4-59,4)

10, температура размягчения 520530 С, удельное электрическое сопротивление при 400 С (2,38-3,0)"10 Ом см. 2 табл.

1375587

Таблица 1

Содержание компонентов, мас.7, в составе стекла

Компоненты

) г ) з

40,34

11,92

14,18

12,32

33,25

15, 28

17,04

11,85

37,65

15,57

13,90

12,07

В О

CdO

Pb0

5,63

5,41

5,52

А1,0, Si0<

6,49

6,63

6,37

8,98

10,80

8,80

ZnO

Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в злектронной технике, в частности для изготовления резистивных композиций по толстопленочной технологии.

Цель изобретения — повьппение кристаллизационной и химической устойчивости.

Составы стекол приведены в табл.1.

Свойства стекол приведены в табл.2.

Из табл.2 следует, что описываемые стекла обладают повышенной кристаллизационной и химической устойчивостью.

При составлении шихт используют сырьевые материалы марки ч, хч ичда.

Стекла варят в силитовой печи при

13302.10 С. Выработку стекломассы осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления образцов, необходимых для исследования физико-химических свойств.

Данные стекла обеспечивают работу ! приборов в условиях повьппенной влажности. Полученные резисторы отличаются стабильностью характеристик.

Дрейф сопротивления под нагрузкой

0,5 Вт/см в течение 1000 ч составляет 1-1,57 (известной композиции на основе стекол 2,5-37).

Формула изобретения

Стекло для резисторов, включающее

В О» Moo» Cdo, Pbo, Al О, БдО

15 Zno, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения кристаллизационной и химической устойчивости, оно содержит компоненты в следующих соотношениях, мас.X:

20 В О 33,25-40,34

МоО 11,92-15,57

CdO 13,90-17,04

PbO 11,85-12,32

А1 О 5,41- 5,63

SiO< 6,37- 6,63

ЕпО 8,80-10,80

1375587

Таблица 2

Свойства

Показатели для состава стекла

1 ) 2

Температура начала размягчения, С

530

520

525

ТКЛР 10, С ", в интервале 20-400 С

53,4

59,4

55,4

Удельное электрическое сопротивление при 400 С, Ом см 2,38.10"

3.10"

2,47 ° 10"

eg 10-4

40

8,0

7,4

7,2

Не кристаллизуется

Не кристаллизуется

710

720

690

Составитель Т.Трифонова

Техред М.Ходанич Корректор C.Черни

Редактор Н.Рогулич

Заказ 73!/23 Тираж 425 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул;Проектная,4

Диэлектрические свойства при 20 С и К=

=10 "Гц;

Химическая устойчивость (гидролитический класс) Устойчивость к кристаллизации при .термообработке в интервале 4001000 С

Температура вжигания резистивных композиций, ОС

Чуть разводы пленки в интервале 720760 С