Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (5D4Н03 С 1/00 Н ОЗВ5 32

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ н двто ском СаидктельСтв

1 \ .

1

1

1

1 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (2! ) 3928673/24-09 (22 ) 08. 07. 85 (46) 29.02.88. Вюл. И 8 (72 ) О.П.Обрубов (53) 62).376,2:621,373,42(088,8) (56) Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. M. Сов.радио, 1980, с. 62-65..

Патент США 1(3621482, кл. Н 03 Н 9/30, 1971. (54 ) УСТРОЙСТВО МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ

ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН (57) Изобретение относится к радиотехнике и расширяет диапазон управления амплитудой поверхностных акустич, волн (ПАВ) . Устр-во содержит пластину-звукопровод 1, источник 2 облучения электронным лучом, решетку

3 отражающих элементов, элемент 4 излучения ПАВ, приемный акустоэл. эле-

1378009 мент 5, токопроводящие полоски б.—

Введением электронного облучения решетки 3 осуществляется изменение отражающих свтв. При достаточно интенсивном облучении вся структура решетки 3 может рассматриваться как однородный токопроводящий слой с миним. отражающими свойствами„ Изменением интенсивности электронного облучения

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для генерирования поверхностных акустических волн с управляемой интенсивностью их излучения.

Целью изобретения является расширение диапазона управления амплитудой поверхностных акустических волн, На чертеже представлена конструктивная схема устройства модуляции амплитуды поверхностных акустических волн.

Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн.(ПАВ) 15 содержит пластину-звукопровод 1, ис-. точник 2 облучения электронным лучом, решетку 3 отражающих элементов, элемент 4 излучения поверхностных акустических волн (ПАВ), приемный акусто- 20 электрический элемент 5, токопроводящие полоски 6, Устройство модуляции амплитуды

ПАВ работает следующим образом.!

Элемент излучения ПАВ 4 осуществляет ввод поверхностных акустических волн, которые распространяются вдоль пластины-звукопровода 1. Источник 2 направляет на пластину-звукопровод 1 парциальные волны с угловой расходимостью в радианах 8 . Зона облучения источника 2 ориентирована в направлении, поперечном направлению распространения волнового поля ПАВ.

Приходящее на решетку 3 волновое. поле претерпевает отражение. При отсутствии электронного облучения отражение является максимальным и определяется отражающими характеристика- щ ми решетки 3. Благодаря достаточно малым длинам токопроводящих полосок источника 2 осуществляется модуляция интенсивности волнового поля ПАВ путем управления вносимым ослаблением по апертуре волнового поля ПАВ. Макс. величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки 3, минимально-диссипативными потерями ПАВ в пластине 1 со сплошным токопроводящим покрытием. 1 ил, отражение осуществляется для всех волн в пределах угловой расходимости в радианах 8. Плотное размещение токопроводящих полосок обеспечивает отражение по всей апертуре решетки

3. Введением электронного облучения решетки 3 осуществляется изменение отражающих свойств. Это происходит за счет нивелирования проводимости поверхности пластины-звукопровода в местах расположения токопро водящих полосок и в промежутках между ними и вторичной электронной эмиссии при электронном облучении ° При достаточно интенсивном облучении вся структура решетки 3 может рассматриваться как однородный токопроводящий слой с минимальными отражающими свойствами.

Изменением интенсивности электронного облучения источника 2 (что может быть осуществлено изменением плотности тока и времени облучения при сканировании) осуществляется модуляция интенсивности волнового поля поверхностных акустических волн путем управления вносимым ослаблением по апертуре волнового поля ПАВ. Максимальная величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки 3, минимально-диссипативными потерями ПАВ в пластине-звукопроводе со сплошным токопроводящим покрытием.

Токопроводящие элементы 6 расположены в направлении, поперечном продольной оси пластины-звукопровода с возможно меньшими зазорами, практически порядка длины ПАВ. Таким образом воздействие источника 2 на решетку 3, ее выполнение позволяют расширить динамический диапазон модуляции амплитуд ПАВ.

1378009

Со ставитель Н,Чеканова

Техред Л. Сердюкова Корректор В. Бутяга

Редактор М.Бандура

Тираж 928 По дпи сно е

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 888/53

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула и э обретения

Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн, содержа цее пластину-sвукопровод, на

1 поверхности которой расположены элемент излучения поверхностных акустических волн, приемный акустоэлектрический элемент, который расположен в направлении распространения поверхностных акустических волн, и решетку отражающих элементов, которая расположена вдоль продольной оси пластинызвукопровода, а также источник облучения электронным лучом, который выполнен в виде электронно-лучевой пушки с управляемой интенсивностью облучения, причем отражающие элементы решетки отражающих элементов выполнены в виде токопроводящих полосок и расположены перпендикулярно продольной оси пластины-звукопровода, 1 решетка отражающих элементов раслоложена в зоне облучения источника облучения электронным лучом, о т л и5 ч а ю щ e e с я тему что, с целью расширения диапазона управления амп. литудой поверхностных акустических волн, решетка отражающих элементов расположена между элементом излучения поверхностных акустических волн и приемным акустоэлектрическим элементом, длина 1 токопроводящих полосок 1 — где — минимальная дли%

15 на поверхностной акустической волны, 9 - угловая расходимость электронного луча в радианах источника облучения электронным лучом, а расстояние между токопроводяшими полосками в направлении продольной оси пластинызвукопровода равно половине длины поверхностной акустической волны.