Способ локального химического травления монокристаллических пластин марганец-цинковых ферритов

 

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления. Монокристаллические пластины марганец-цинкового феррита, покрытые маской из фоторезиста, помещают в травитель, содержащий, мас. ч: ортофосфорная кислота с уд.в.1,72 1,72 г/см³ 55 70; азотная кислота в уд.в.1,51 1,51 г/см³ 45 50; уксусная кислота с уд.в. 1,05 1,05 г/см³ 35 50; дистиллированная вода 100 140, нагретый до температуры 30 100°С. Зафиксировано огранение фигур травления кристаллографическими плоскостями, угол наклона к поверхности травления которых изменяется в пределах 10 90° при изменении температуры, а также кристаллографической ориентации плоскости травления и направления краев отверстий в маске. 6 ил. 2 табл.

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике и может быть использовано в технологических процессах локального травления для создания рельефа с контролируемым профилем на поверхности пластин из монокристаллических ферритов. Целью изобретения является обеспечение анизотропности травления. На фиг. 1-3 представлены геометрия и профили канавок, получаемых при травлении плоскости 100; на фиг. 4-6 представлены геометрия и профили канавок, получаемых при травлении плоскости 110. П р и м е р 1. Берут полированные пластины 1 из монокристаллического марганец-цинкового феррита марки 500 мк (ПЯО.707.542.ТУ) с ориентацией поверхности травления в плоскости (100) (см. фиг. 1). Травление проводят в течение 1 ч через защитную маску 2 из двуокиси кремния толщиной ≈ 1 мкм, в которой предварительно формуют круглые отверстия 3 диаметром 100 мкм (для упрощения на фиг. 1 показано только одно отверстие). Состав травителя выбирают следующий, вес.ч. Ортофосфорная кислота 60 Азотная кислота 50 Уксусная кислота 35 Вода дистиллированная 100 Температуру травителя изменяли от 30 до 116^оС (116^оС температура кипения). При травлении в диапазоне температур от 30 до 100^оС в пластине под круглым отверстием получают углубления, имеющие в плоскости травления форму квадрата 4, стороны квадрата перпендикулярны направлениям медленного травления, которыми являются кристаллографические оси <110>. Что касается рельефа травления, то при температуре 65-100^оС образуются углубления, стенки которых представляют плоскости (111), расположенные под углом 54^о44' к плоскости травления (100) (см. фиг. 2). При температуре травителя 30-65^оС скорость травления плоскости (100) больше, чем плоскости (100), вследствие чего углубления ограняются плоскостями (100). Получен прямоугольный рельеф (см. фиг. 3). П р и м е р 2. Процесс травления в том же составе травителя, что в примере 1, проводят на пластинах из того же материала, но с ориентацией поверхности (110) (см. фиг. 4). При травлении в диапазоне температур от 65 до 100^оС в пластине под круглым отверстием получают углубления, имеющие в плоскости травления форму шестиугольника 5, стороны которого перпендикулярны направлениям медленного травления; этими направлениями в данном случае являются кристаллографические оси <100> и (111) (см. фиг. 5). Стенки углублений представляют собой плоскости (111), расположенные под углом 35^о16' к плоскости травления (110). При температуре травителя 30-65^оС скорость травления плоскости (110) больше, чем плоскости (111), поэтому углубление ограняется плоскостью (111). Получен прямоугольный рельеф (см. фиг. 6). П р и м е р 3. Травление проводят, как в примере 1, но отверстия в маске выполняют в виде параллельных полос. При этом кристаллографическую ориентацию поверхности травления и направления полос варьируют. Геометрические характеристики боковых стенок образующихся фигур травления, канавок, приведены в табл. 1. П р и м е р 4. Травление пластин ориентации (100), (110) и (111) проводят, как в примере 1, но содержание компонентов в травителе варьируют. Характеристики полученных фигур травления приведены в табл. 2.

Формула изобретения

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100^oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч. Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см³) 55 70 Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см³) 45 50 Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см³) 35 50 Дистиллированная вода 100 140

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        

---