Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния
Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6
10-3 - 610-1 мм рт.ст., при этом температура пластины лежит в диапазоне 120-150oC.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристаллического кремния, в частности структуры стандартных кремниевых пластин, используемых в производстве для создания полупроводниковых приборов
Способ обработки пластин кремния // 2105381
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем
Способ изготовления интегральных схем // 2109371
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем
Способ подготовки кремниевых подложек // 2110115
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями
Способ обработки кремниевых подложек // 2120682
Изобретение относится к области микроэлектронной и наноэлектронной технологии производства электронных компонентов, интегральных схем и устройств функциональной электроники
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
