Переход между двумя микрополосковыми линиями

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (}9) (111

А1 (б(1 4 Н 01 P 5/02, 3/08 г л

°

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCKOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4152118/24-09 (22) 26,11,86 (46) 15.04.88, Бюл. № 14 (?1) Куйбышевский авиационный институт им.акад.С,П.Королева

{72) А.А.Рахаев и В.В.Пахомов (53) 621.372.833 (088.8) (56) Калиа В.Г. Гвоздев В.И. Шлейфные переходы между миниатюрными ли-,:; ниями передачи с пленочными проводниками.-Электронная техника, сер.Электроника СВЧ, 1979 № 6, с.36-43, Патент США № 3771075, кл. Н 01 P 5/02, 1973. (54) ПЕРЕХОД ЬЖЖДУ ДВУМЯ МИКРОПОЛОСКОВЬМИ ЛИНИЯМИ (57) Изобретение относится к технике

СВЧ м.б. использовано при построении сложных миниатюрных устр-в с высокой степенью интеграции. Цель изобретения — расширение диапазона частот.

Переход между двумя микрополосковыми линиями содержит две диэлектри.ческие подложки, разделенные заземляющим основанием, На внешних по- . верхностях диэлектрических подложек размещены токонесущие проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим. В заземляющем основании выполнены полуволновая щель и четвертьволновая щель, расположенные перпендикулярно токонесущим проводникам симметрично относительно них. Полуволновая щель расположена на четвертьволновом расстоянии 1„ от разомкнутых концов токонесущих проводников. Благодаря наличию четвертьволновой щели и ее расстоянию 1„ от концов токонесу= щих проводников, равному 1/8 длины . волны, ухудшение КСВ между частотами невелико, не более чем до КСВ = 1,2, Рабочий диапазон перехода между микрополосковымилиниями в результате расширяется до 5 октав. 3 ил.

1388962

Фиг.2

Фиг.3

Фиг 1

В Заказ 1584/55 Тираж 632 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4, Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано при построении сложных миниатюрных устройств с высокой степенью интеграции.

Целью изобретения является расширение диапазона частот.

На фиг.1 показана конструкция пе рехода между двумя микрополосковыми ( линями; на фиг.2 и 3 - соответственно сечения A-А и Б-Б на фиг,1.

Переход между двумя микрополоско выми линиями содержит две диэлектрические подложки 1 и 2, разделенные заземляющим основанием 3. На внешних поверхностях диэлектрических подло. жек 1 и 2 размещены токонесущие про;водники 4 и 5, разомкнутые на одном конце и расположенные один над дру- 2р гим. В .заземляющем основании 3 выполнены полуволновая 6 и четвертьволновая 7 щели, расположенные перпендикулярно токонесущим проводникам 4 и !

5 симметрично относительно них. Полу- 2волновая щель 6 расположена на чет вертьволновом расотоянии 1„ от разомкнутых концов токонесущих провод ников 4 и, 5, а четвертьволновая щель 7 — на расстоянии 1„„ равном !/8 дли-Зр ( ны Волны о

Переход между двумя микрополоско( выми линиями работает следующим образом. ( (35

СВЧ-сигнал, поступающий на токоне сущий проводник 4, возбуждает полу волновую и четвертьволновую щели 6 vi ( 7 и переходит в токонесущий проводник 5. На частотах, на которых длина 4р полуволновой щели 6 кратна половине длины волны, а расстояние 1п от нее до разомкнутых концов проводников кратно четверти длины волны, элементом связи между токонесущими проводниками является полуволновая щель 6, а на частотах в два раза больших— четвертьволновая щель 7.

Благодаря наличию четвертьволновой щели 7 и ее расстоянию 1 „ от концов токонесущих проводников 4 и 5, равному 1/8 длины волны, ухудшение

КСВ между частотами, на которых имеет место полное прохождение СВЧ-сигнала, невелико, не более чем до КСВ = 1,2, Рабочий диапазон перехода между микрополосковыми линиями в результате расширяется до 5 октав.

Формула и з о б р е т е н и я

Переход между двумя микрополосковыми линиями, содержащий две диэлектрические подложки, разделенные заземляющим основанием, на внешних поверхностях которых размещены токонесушие проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим, а в заземляющем основании выполнена полуволновая щель, расположенная перпендикулярно токонесущим проводникам, симметрично относительно них и на четвертьволновом расстоянии от их разомкнутых концов, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью расширения диапазона частот, в заземляющем основании дополнительно выполнена четвертьволновая щель, расположенная параллельно полуволновой щели и симметрично относительно токонесущих проводников на расстоянии от их разомкнутых концов, равном 1/8 длины волны.