Устройство для температурной стабилизации фотодиодов

Авторы патента:

H01L27/16 - содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38)

К»асс 21 29,и № !4348! ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1)о<)писная < .руэгг!и „ т" 71

В. А. Луцкий и В. А. Сидорко

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛИЗАЦИИ

ФОТОД ИОДОВ заявлено !7 ноября !960 г. за ¹ 685808/26 в Комитет ио лелаги изобре гений и открытий ири Совете Министров СССР

Оиубликовано в а !Чб! г.

Известно, что обратное сопротивление фотодиодов, применяемых в различного рода датчиках, сильно изменяется при изменении температуры. При возрастании темературы увеличивается отрицательное напряжение на выходе фоточувствительной ячейки(обратное сопротивление фотодиода падает), что эквивалентно увеличению освещенности фотодиода.

Использование обычных методов стабилизации (например, примененис- термочувствительного сопротивления) может обеспечить неизменной на выходе величину напряжения при изменении температуры, однако приводит к изменению чувствительности ячейки, поскольку при одинаковом изменении освещенности независимо от температуры получается примерно одинаковый прирост тока Х! фотодиода. (Под чувствительностью ячейки понимается отношение изменения выходного напряжения к изменению освещенности, то есть частная производная выходного напряжения по освещенности). Изменение величины сопротивления при изменении температуры приводит к тому, что выходное напряжение, получаемое за счет прироста тока Л/, будет зависеть от температуры.

С целью получения высокой стабильности выходного напряжения фотоячейки при изменении температуры в предлагаемом устройстве, общее нагрузочное сопротивление фотодиодов подключают к коллектору полупроводникового триода, эмиттер которого подключен к источнику питания, В цепь базы триода включается регулируемое сопротивление, подобранное таким образом, чтобы изменение напряжения на выходе триода компенсировало изменение темнового тока фотодиода.

На чертеже приведена схема термостабилизации датчика на несколько ячеек. Здесь D вЂ” датчик, Т вЂ” термостабилизатор.

Устройство для температурной стабилизации фотодиодов

Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования // 2465685

Фототермоэл емент // 173341

Чувствительный элемент датчика интегрального теплового потока нернста-эттингсгаузен // 524263

Электронное устройство // 2515214

Изобретение относится к электронной технике. Сущность: электронное устройство содержит термоэлектрический преобразователь (100) с гетероструктурными полупроводниковыми слоями (38), выполняющими термоэлектрическое преобразование, фотоэлектрический преобразователь (102), в котором, по меньшей мере, часть гетероструктурного полупроводникового слоя (38) выполняет фотоэлектрическое преобразование, транзистор (104) и/или диод, содержащий, по крайней мере, часть полупроводниковых слоев гетероструктуры, выполняющих функции рабочего слоя. Технический результат: возможность использования технологии монолитных интегральных схем для объединения термоэлектрического преобразователя с фотоэлектрическим преобразователем и транзистором и/или диодом, предотвращение помех между термоэлектрическими элементами p-типа и n-типа. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.

Способ изготовления датчиков температуры и теплового потока (варианты) // 2537754

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в авиационной и космической технике. Предложено формирование датчика температуры и теплового потока осуществить непосредственно на поверхности модели разной степени кривизны без морщин и без нарушения целостности модели и физических процессов обтекания на поверхности модели и газового потока. Термопары датчиков изготовляют из пленки хромель-константана способом катодного напыления в вакууме. В качестве изоляционной пленки между моделью и термопарой, между термопарами выбрана окись алюминия. Верхняя поверхность термопары защищена от окисления жаростойкой изоляционной пленкой толщиной 0,80-0,1 мкм. Толщина обкладки с выводами термопары 0,3-0,4 мкм. Обкладки с выводами формируют через маски (из металла или пленки полиимида) и способом электрической гравировки напряжением «карандаша» 6-10 В. Технический результат - повышение функциональных возможностей датчиков температуры и теплового потока. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Полупроводниковое устройство и способ для его производства // 2565360

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность: полупроводниковое устройство включает полупроводниковую подложку, композиционную металлическую пленку и вывод для измерения. Композиционная металлическая пленка нанесена на переднюю поверхность или на заднюю поверхность полупроводниковой подложки и содержит первый слой металлической пленки и второй слой металлической пленки, который соединяется с первым слоем металлической пленки и имеет разные коэффициенты термоЭДС с первым слоем металлической пленки. Вывод для измерения позволяет измерять разность электрических потенциалов между первым слоем металлической пленки и вторым слоем металлической пленки. Технический результат: повышение чувствительности и точности измерения температуры. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.