Малогабаритный германиевый вентиль

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

_#_> 144913

Класс 21g> 11nz ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБ ЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л" 97

С. Е. Портной, И. А. Тепман, И. Г. Учайкин, П. Г. Тимошик, И. В. Грехов и Л. В. Лебедева

МАЛОГАГАРИТНЪ|й ГЕРМАНИЕВЪ|й ВЕНТИЛЪ,Заявлено 13 февраля 1961 г. за ¹ 697497/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опуб>ликован» в <1>к>.>петене >зоб>ретевий» № 4 за 1962 г.

Изобретение относится к конструкции силовых германиевых вен1илей с водяным охлаждением на токи до 1000 а.

Известные конструкции таких вентилей имеют ряд существенных недостатков, основным из которых яв.пяется наличие гибкого элемента, что значительно увеличивает габариты вентиля и снижает эффективность теплоотдачи и, следовательно, выпрямленную мощность. Поэтому в таких конструкциях вентилей приходится либо применять электроннодырочные переходы большой площади, что экономически крайне невыгодно, либо увеличивать интенсивность охлаждения пу тем увеличения скорости протекания охлаждающей жидкости, что приводит к значительному увеличению расхода ее, либо, наконец, конструировать систему охлаждения таким образом, чтобы охлаждающая жидкость циркулировала в непосредственной близости от электронно-дырочного перехода, что приводит к уменьшению теплоемкости конструкции, следовательно. снижает перегрузочную способность вентиля.

Сочетанием в предлагаемой конструкции германиевого вентиля с водяным охлаждением самих по себе известных в технике приемов, как-то алюминиевого корпуса с пластмассовой прокладкой и герметизацией эпоксидными смолами, разделения потока охлаждающей жидкости по двум каналам и совмещения штуцеров для подвода охлаждающей жидкости с токосъемными и крепящими элементами, достигается устранение ука занных выше недостагксв и обеспечивается возможность улучшени» герметичности и виоропрочности, уменьшения веса и габаритов, увеличения перегрузочной способности вентиля.

На фиг. 1 показан разрез предлагаемого вентиля; на фиг. 2 вЂ” вид

crо сбоку.

На фигурах приняты следующие обозначения: -- алюминиевь.и корпус вентиля; 2 вЂ” вЂ” электронно-дырочный переход: 3 и -! вЂ” основания с выступами 5 и 6, служащие одновременно электродами вентиля;

7 вЂ” полиэтиленовые кольца, изолирующие корпус 1 от оснований 3 и 4;

h вЂ” эпоксидный клей; 9 вЂ” резьбовое зажимное кольцо; 10 и 11 вЂ” водоподводящие каналы; 12 вЂ” штуцеры, совмещенные с токосъемными крепежными шпильками; 13 вЂ” гибкий токосъемник вывода.

Применение алюминиевого корпуса с резьбовым зажимным коль цом 9 позволяет создать жесткую термостойкую, вибро- и ударопроную конструкцию вентиля.

Раздвоение потока охлаждающей жидкости по двум каналам 1д и 11 позволяет, с одной стороны, эффективно охлаждать электроннодырочный переход 2 при небольшом расходе охлаждающей жидкости и, с другой стороны, сохранить большую теплоемкость конструкции за счет выступов 5 и 6 оснований 8 и 4 и, следовательно, изготовлять вентили с улучшенными перегрузочными характеристиками.

Применение полиэтиленовых изолирующих колец 7 и эпоксидного клея 8 для герметизации вентиля и использование для подвода охлаждающей жидкости штуцеров 12, совмещенных с токосъемными и крепежными шпильками, обеспечивает компактность конструкции вентиля.

Симметричная конструкция последнего и гибкий токосъемник вывода 18 позволяют очень удобно компановать предлагаемый вентиль в различные схемы с применением последовательного и параллельного соединений.

Предмет изобретения

Малогабаритный германиевый вентиль на токи до 1000 а, отл ич а ю шийся тем, что для улучшения герметичности и вибропрочности, уменьшения веса и габаритов, увеличения перегрузочной способности, в нем применен алюминиевый корпус с пластмассовой прокладкой и герматизацией эпоксидными смолами; разделение потока охлаждающей жидкости по двум каналам и совмещение штуцеров для подво а охлаждающей жидкости с токосъемными и крепящими элементами, i¹ 144913

Фиг. 2

Фиг f

Гос авнтель Л. О. Сольц

Подп. к печ. 26.H 62 г

Зак. 2010 формат бум. 70 !08 / в

Тираж 900

LIETH при Комитете по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер. д. 2/6.

Объем 0,26 изд л.

Цена 4 кон

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Сонете Министров ГССР, Москва, Петровка, f4.

Редактор 3. А. Москвина Техред А. A. Камышникова Корректор М. И. Козлова

Силовой германиевый диод // 135977

Усилитель с отрицательной массой (немаг) // 135149

Ограничитель напряжения // 126528

Устройство для управления силовым управляемым полупроводниковым вентилем // 121877

Силовой управляемый преобразователь переменного тока в постоянный // 120877

Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой // 119271

Силовой преобразователь переменного тока // 119269

Автоэлектронный эмиттер // 118913

Селеновый выпрямительный элемент // 112331

Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления // 2102818

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Полупроводниковый прибор с барьером шоттки // 2105385

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Симметричный тиристор // 2106720

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Двухзатворная мдп-структура с вертикальным каналом // 2106721

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Биполярный транзистор интегральной схемы // 2108640

Вертикальный мдп-транзистор интегральной схемы // 2108641

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117