Способ восстановления кремния

 

Класс )2i, ЯЯ № 145224

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л3 45

В. Г Хребтищев, Я. Д. Калинбет, 3 Л. Гурович, А. М. Тузовский.

В. С. Малороссиянов, А. Д. Бодров и С. А, Покровский

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ

Заявлено 3 апреля !961 г. за М 724723/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бголлетене изобретений» М 6 за 1962 г.

Применение нагревателей из полупроводникового кремния в качестве подложки, на которую ведется осаждение кремния из исходных веществ, дает возможность получать полупроводниковый кремний очень высокой степени чистоты. Применение кремниевых прутков в качестве нагревателей сопротивления затруднено вследствие того, что при нормальной температуре полупроводниковый кремний практически является изолятором; только при температуре порядка 700 †8 и .; упроводниковый кремний становится полупроводникоы элекгрического тока

Известны различные способы восстановления кремния из его п1;гридов или галоидных соединений в присутствии водорода с применением стержней-нагревателей. Предлагается способ восстановления кремния из его гидридов или галоидных соединений, который в отличие от известных позволяет повысить эффективность процесса, упростить его аппаратурное оформление при использовании большого количества стержней-нагревателей, причем технологическое оснащение процесса не зависит от исходного электрического сопротивления стержней-нагревателей; могут быть применены стержни-нагреватели с высоким электрическим сопротивлением и высокой степени чистоты; процесс можно начинать при низких напряжениях.

Особенность предлагаемого способа заключается в том, что прогрев стержней-нагревателей до температуры, при которой стержни становятся проводниками, про изводят предварительно нагретым технологическим газом, например водородом.

Способ может быть осуществлен в реакторе, схема которого показана на чертеже. Реактор состоит из следующих основных частей: водоохлаждаемой металлической крышки 1 с встроенной в нее то. коподводами 2, к которым крепятся стержни 3 из полупроводниково№ 145224 го кремния; водоохлаждаемого металлического корпуса 4, водоохлаждаемого металлического поддона 5 с встроенными в него токоподводами б для питания графитового нагревателя 7 с графитовой насадкой системы графитовых и кварцевых экранов 9 и 10; снизу реактор имеет крышку 11- При пуске реактора через графитовую насадку 8 начинается подача технологического газа, например водорода (могут быть использованы спектрально чистый гелий, аргон и др.), после чего включается графитовый нагреватель 7 и подается низкое (рабочее) напряжение на стержни 3. Газ, проходя через нагретую насадку и омыв»я поверхность нагревателя, сам нагревается Таким предварительно н»гретым технологическим газом — водородом нагревают стержни 3 до температуры, при которой сгержни становятся проводниками элекгрического тока и начинают работать как обычные нагреватели сопротивления Затем изменением напряжения (при необходимости), подаваемого на стержни,3, устанавливается необходимая температура процесса восстановления и в реакционное пространство аппарата подае;ся кремнесодержащее сырье в газообразной форме. В зависимости от рода технологического сырья последнее может подаваться в реакцион ное пространство через нагретую зону поддона 5 или помимо ее

Подогрев технологического газа расширяет зону реакции и активную длину нагревателя — подложки, что повышает к. п. д. процесс»

Возможен одновременно нагрев реакционной смеси до температуры части ного разложения, что значительно повышает степень чистоты получаемого материала.

П редме г изобретения

Способ восстановления кремния из его гидридов или галоидны.. соединений в присутствии водорода с применением стержней-нагрев»телей, отличающийся тем, что, с целью упрощения аппаратурного оформления процесса при использовании большого коли и:сгва стержней-нагревателей, а также повышения эффективности процесса, прогрев стержней-нагревателей до температуры, при которой стер кни становятся проводниками, производят предварительно нагретым технологическим газом, например водородом, № 145224

/7арогаэод

ñ þ

Водород

Составитель А. В. Нечайкин

Редактор О. Д. Ус

Техред А. Л. Камышннкова Корректор Н. В. Щербак ыа

Типография LIETH. Москва, Петровка, 14

Поди. к печ. 201П-62 г. Формат бум. 70 (1081/, Объем 0.26 изд. л.

Зак, 8116 Тираж 550 Цена 4 кои

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ГССР

Москва, Центр, M. Черкасский пер., д. 2/6.

Способ восстановления кремния Способ восстановления кремния Способ восстановления кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния

Изобретение относится к способам получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана по замкнутому технологическому циклу с регенерацией тетрахлорида кремния из отходящей газовой фазы гидрированием до получения трихлорсилана

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния из хлорсиланов по замкнутому технологическому циклу с выделением хлорсиланов, водорода, хлористого водорода, полисиланхлоридов

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые основы в процессе водородного восстановления хлорсиланов
Изобретение относится к области получения кремния и может быть использовано в производстве кремния полупроводниковой или электронной чистоты

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния из хлорсиланов посредством их восстановления водородом на разогретых кремниевых стержнях, и может быть использовано в технологии получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристалличсского кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов

Способ восстановления кремния

Наверх