Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра

 

KJr3cc 2с, 2 № 147576

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВтОРСкОЮ свидетельств

Подписная группа М 39

Л. М, Беляев, Г, Ф. Добржанскии и Х. С. Багдасаров

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИСКОВ

БОЛЪЮОГО ДИАМЕТРА

Заявлено 3 июля 1961 г. за М 736971/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ГССР

Or. óáërrêîâàH0 в «Бюллетене изобретений» Лв 11 за 1962 —.

Известны способы получения монокристаллических дисков большого диаметра. Однако технология при этом требует громоздкой аппаратуры, больших мощностей нагрева и дополнительных механических операций. В процессе резки имеются значительные потери материала.

Предлагаемый способ отличается тем, что получение каждого из монокристаллических дисков производится непосредственно выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемся вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускания тигля с расплавом со скоростью роста, Способ повышает экономичность, упрощая технологию процесса, а также улучшает качество дисков за счет снижения величин остаточных напряжений.

При осуществлении способа устанавливают на подвижной подставке тигель с кристаллизуемым веществом в двухсекцноннуlo электрическую печь (одна секция служит для плавления вещества и поддержания заданной температуры в зоне кристаллизации, другая — для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе. После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.

С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации.. ля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на — !00 1для 1целочногалоиднь1х) и на 15 для органических кристаллов (типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне кристаллизации снижают 1для щелочногалоидных кристаллов температуру устанавливают на 40 — 50 выше температуры плавления, а для органических — на 5 — 8 ). По мере роста кристалла с помощью подъемного механизма автоматически поддерживают касание растущего кристалла с поверхностью расплава. По достижении необходимого диаметра кристалла тигель с остав:нимся расплавом опускают, а готовый кристалл переносят в печь для отжига.

Предмет изобретения

Составитель В. К. Нинин

Редактор Н. И, Мосин Техред T. П. Курилко Корректор Н. И. Кулешова

Г1 одп. к п еч. 25. 1 -62 г. Формат бум. 70Х108 /,а

Зак. 4107 Тира>к 650

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Москва Центр, М. Черкасский пер., Объем 0 18 изд л

Цена 4 коп.

Совете Министров СССР д. 2/6.

Тип огр афи и ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.

Способ получения монокристаллических дисков большого диамет.ра, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности и упрощения технологии процесса, а также улучшения качества дисков за счет снижения величин остаточных напряжений, получение каждого из монокристаллических дисков производится непосредственным выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемся вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного. опускания тигля с расплапом со скоростью роста.

Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках с гибкой подвеской затравки для предотвращения раскачки монокристалла

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высокотемпературных диэлектрических, электроизоляционных материалов и технологии их получения методом химического осаждения из газовой фазы для изготовления различных деталей для СВЧ-техники и интегральных микросхем
Наверх