Канальный полупроводниковый тетрод

 

№ 147687

Класс Q ) g ) ) pg

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А В ТОРСКО M У С ВИДЕТЕЛ ЬСТ8У

Подписная группа М 97

Л. А. Зубрицкий

КАНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕТРОД

Заявлено 29 июля 1957 г. за № 465197/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 11 за 1962 г.

Известны канальные полупроводниковые тетроды, выполненные в виде слоистой структуры и снабженные наружным затвором, управляющим током в канале. Основным недостатком подобных тетродов является значительное изменение их параметров с изменением температуры.

В описываемом тетроде повышение стабильности работы в широком температурном диапазоне достигнуто тем, что в нем применен дополнительный электрод-ловушка неоснованных носителей тока.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого тетрода.

Тетрод снабжен кольцеобразным наружным затвором 1, выполненным в виде р — n .п еeрpеeхxоo7дJа и H с нHа бoж еeнHнHbы1м выводом 2, истоком 8 с выводом 4 и стоком (коллектором) б электронов с выводом б. Канал 7 тетрода выполнен в виде трубки из полупроводника типа и. Внутри трубчатого канала расположен стержневой дополнительный электрод — ловушка 8, выполненный из полупроводника типа р, снабженный выводами 9, который при подаче на него смещения управляет шириной канала 7.

Вследствие того, что электрод-ловушка имеет большую площадь р — и перехода и расположен в области канала и стока (коллектора), он является эффективной ловушкой для неосновных носителей тока, инъектируемых стоком и термически генерируемых в толще полупроводника.

Распределение объемного заряда возле ловушки и затвора показано на чертеже точками 10, путь электронов от источника 3 к стоку (коллектору) 5 — штрихами 11, а путь неосновных носителей от стока б к ловушке 8 — пунктиром l12, Отсасывание электродом-ловушкой 8 неосновных носителей тока из толщи полупроводника резко снижает величину тока этих носителей на основной затвор, а следовательно, увеличивает входное сопротивление тетрода и повышает стабильность работы тетрода в широком диапазоне температур.

Канальный полупроводниковый тетрод 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности к интегральным нейроподобным структурам нейро-БИС и нейро-ЭВМ

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, в частности к конструкциям мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления

Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ)

Изобретение относится к полупроводниковой силовой электронике, полупроводниковым приборам - униполярным транзисторам с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором

Изобретение относится к наноэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров
Наверх