Способ травления германия

 

Класс С 23Ь; 48а, 1„, ¹ 148700

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Лз 109

В. M. Кочегаров и В. А. Сливина

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЯ

Заявлено 14 августа 1961 г. за № 74!683 22-2 в Комитет Ilo делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений н TQBapHblx знаков» № 19 за 1964 г.

В отличие от известных способов, травление германия предложено осуществлять электрсхимическим путем в ортофосфорной кислоте, применяя реверсированис тока. В результате удается достигнуть равномерности этого процесса и получить поверхность германия, травленую до зеркального блеска.

Травлению подвергают монокристаллы германия и-типа. Электролитом служит раствор ортофосфорной кислоты удельного веса 1,52.

Режим электролиза: плотность тока 15 — 20 а/дме; температура раствора 20"С.

Пластинку из германия и-типа с припаянным к ней никелевым контактом помещают в электролит на анод. При этом контакт и никелевую проволоку тщательно изолируют органической пленкой, чтобы предотвратить взаимодействие их с электролитом. В качестве катода используют платиновую проволоку. Периодичность изменения полярности тока составляет 3 сек при анодной поляризации пластинки и 1/4 сек — - при катодной. Травление идет равномерно по всей поверхности, со скоростью 60 — 70 мк/час. Готовая поверхность получается без фигур травления, имеет зеркальный блеск.

Способ может быть использован при мерном и локальном травлении по заданному рисунку с применением органических пленок сравнительно невысокой химической стойкости. Так, рисунки на основе фотоэмульсии из поливинилового спирта выдерживают травление в указанном электролите около 2 час.

Электролит безвреден, недефицитен, сравнительно не агрессивен и поэтому не требует применения особо стойкой химической а1-пара.туры.

¹ 148700 ,.-

К преимуществам способа относятся легкая управляемость пропесса и точность контроля травления. Он может найти применение в радиотехнической промышленности при производстве различных микромодулей, а также при металлографическом контроле монокристаллов германия.

Предмет изобретения

Способ травления германия, отл и ч а ющи и с я тем, что, с целью равномерности травления и получения зеркального блеска поверхности, травление осуществляют электрохимически в ортофосфорной кислоте с применением реверсирования тока.

Техред А, А. Кудрявицкая Корректор О. Б. Тюрина

Редактор В. П. Липатов

Подп. к печ. 4/1Х вЂ” 64 г. Формат бум. 70X 1081/>6 Объем 018 изд 1

Заказ 1927/8 Тираж 1275 Цена 5 коп.

ЦРИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ травления германия Способ травления германия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для получения люминесцентных экранов и индикаторов

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах

 // 170808

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области химии, в частности к методикам наноструктурирования и модификации свойств поверхности. Изобретение может быть использовано для изменения смачиваемости поверхности кремния путем изменения пористости поверхности, в том числе для получения гидрофильных или гидрофобных поверхностей на основе кристаллического кремния. Способ включает обработку поверхности кристаллического кремния электрохимическим травлением в растворе плавиковой кислоты концентрацией от 20% до 30% при подаче тока с поверхностной плотностью 750-1000 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофобного кремния или подаче тока с поверхностной плотностью не более 650 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофильного кремния. Способ позволяет одноэтапно получать поверхности с мультимодальной пористостью нано- и микромасштаба. 4 ил.
Наверх