Способ определения коэффициента холла

 

йзобреташ-гв относите) я полугфоводниковой TexHKfce и может быть использовано .для определемия электрофизическ параметров полуг/роводичков методог-5 эфсректа Холлг;, Целью изобретения является повышение точностнз Измеряются мгнов8нт 1е значенкя переменного тока через датчик Холла,; по;--гещеняого в переменное магнитное поле, и напряжения на ХОЛЛОБСКИХ контактах датчика. Выделяют линейно измечкют :лос«- с изменением тока составляг-оптуго. напряжения на холловских контактах , определ71ют отногаение этой сосгаиляющей гс силе тока а образце н выделяют составлпющу. п этого отнопенкя сг Ш :ро7-1но игг еняющуюся so време H.-i с пзкекешптмн мапиггногс лолл, затем определяют .мп. полученного откошенкя по которой вычисляют коэффкш-:емт ло.пла. Такой способ опред бле- HRf коэффициента Холла позволяет уменьшить itorpemHocrM измерений, об условпейныа фпактуацнями тока через обрезец вызванные как генератором I OKa, так м несовершенством токовых коктактон датчика. 2 ил.

ГОСУДИ СТБЕННЫЙ HOMHTET CCCI-.

PO ДЕЛАН ИЗОБРЕТЕИИЙ И ОТНРЬГ(:;}й

51, Н 0) 1 2)Ы6 (45) 23.06.91, Бюл, Р 23 (21) 4121377/25 (22) )9.09.86

7)) AH тит /т вадиочехники и . .;.." ровики АН ССCP (72) А.C.Гедон. ев (53) 62),382 (088,8) (56) К вЂ . ис Е.В. Методы исследов;;ння эффекта Молла. Ы. : Советское радио„.

)974, с, 169- )79. (54)СПО,СОБ ОПРЕД JKHM КОЗФФИЦ1ИН И

ХО пПА (g7) Рзоб" етен -" тносится: по " HBOводниковой технике и мсжет быть ис-польэоваио для определения электрофизичек7я параметров полупроводн ."-..ов методом эффекта Холла, Целью . изобретения является повьппенпе точности, Кэмеряются мгновенные значения переменното тока через датчик Холла, помепенHoro в переменное магнитное поле, и напряжения на холловских контактах датчика, Зыделяют линейно изме--.яющ:;юс.: с изменением тока составля ую напряжения на холловских контакта::, определяют отношение этой

ca;;"àÿляющей;.; силе тока в образце и выделяют состав. яюцую эт:го отHOBoНИЯ Ж-. ХРО: HO Н» МЕ НЯКМЦУЮСЯ ВО ВРЕМЕ н. .; Изменениями магпитногс поля, затем onpeqeëHþò амплитуду полученного отноzeHH- по которой вычисляют коэффии -:ент Холла. Такой способ определения коэф4>ипиен.а Холла позволяет умеиыпить пог1;ешности измерений, обусловленные флюктуациями тока через образец., вызванные как генератором тока, так и несовершенством токовых контактов датчика. 2 ил. 40039!(Холла К, со(. тя Isa!I(IT О,. з и 27. соответс; Bi I!H(3 1крнвы(1 г! H " НЯ фиг. 2) и Обу ..Лзвле1ты коне -. н:>Р у.-:-cтвительность1В цифрового воль гметря гиг!я е-30(ис.3 п,2г(ьзовяг(но,о --л,. н 1(ере111(.1 напря21(еИэобретение Относится к полупро-.

Водниковой технике и мож(-..т быть исПОЛЬЭОВЯНО ДЛЯ ОНРЕДЕЛЕШ1Я ЭЛЯКТРО " фИЭИЧЕСКИХ ПЯ 1ЯМЕТРОВ ПОЛЧПР(2 ЕОДНИК<3 В методом эффекта холла, Цель. Нэобретения — па(1ьплен1ге тсчк я зыв apTc я ня -2 rioрйдкя 5:2ль1це, j (.:Л ности.

Иа фиг.1 представлена гяометри»: 1(огpaiiH(Gcть 511, В12Gтоти :Я п12к Оп

xoJIsloBcKoro обраэца и ВЯ,)ианть(его (O редсленни йм В =::тнх 2Fcловиэх включения в иэмерительже цепи; ня" г (г фиг.2 — флук(уации Во Времеви коэ(1:-фици(зита Холла К „.

Схема иэмерения коэффициента Холз(я содераит подклгоченнь1е к Обраэцу 1 то-q5 Ф о р и у л Я и .: а 6 р е т е и и я ковь(я контакты 2 H холловскне ко11-такты Э генератор тока,, прибор 6 Сг(ос(26 опреде пени:-: -(с ЗI+<;!öHeHТЯ для намерения силн TGKB; клеичы 6 н г .ОГГПЯ,, GСНОВЯН1.1ЬЙ Н». HPОПУC!(ЯКИИ ЧЕ"

7 для вкл1(2чеиия иэмерителя няпрях(е- РЕЯ 00 12Я ЗЕЦ Г(1Ь1ЕЩЕНЯЬЛ В ПГ ЕМЕННОЕ. ниа между холловскими кантак:ями. МЯГНИТКОЕ ПОЛЕ, !!LPQMCННОГ 0 ТСКЯ И

КРИВЬГЕ 8 и 9 СООТВ ЕТСТВУ((1Т В КЛ2(1ЧЕНИК К ЗМС РЕНИН НЯ Л Р ЭХ(Е 1ИЯ -1Ег, Д» ХОЛЛО В СXHизмерителя напряжения межцу клеммам :. к(„,1 pa«Ta9,;!((,,д "-. ч я ((.. р и д

6 и 7 соответственно. С Я;С1(Ч . G. С (P Gg!. Г1(2 ЫГ г-т МГ

П р и и е р. Иэмеренмя вьлолнень1 НО(ТР. ОПРЕДPЛLHИЯ,, ИЗ!= ЕPЯ1(2Т МГНОВЕН— при комнатной температуре нэ Обраэ- 2= --.Ы(= al(a eHHÿ cиль1 тока,„:;.ропускаемого, це Si: с концентрацией бОРа = - ::«-=-p(-з Обряэец,-;-: няпргжения между

< lО см . Кестабипьность ВВ1гходно1-о КОЛЛОН СКИМИ К(2НТЯ; ям(.1, «Ыг(ЕГ((Гщт С(2С=сйгнала генерйторя тока А. Вьгполнен- 1ЯЗЛЯЩУК(: G r (; 1, ЯР "XP.(-(,i., =!B;- Cééà ного "!a 1 С--а рядном цифр(2ян=(логовом из мa! IÆÎù1;(я >Iptj (змеи г(иъ,; .(лы тоня „ пресбраэователе l(oòopb6! 1од1(гпочен ".: G!"; Рделяк(т GT!IGII aH. Ip эгон, сОстяБля(О(( обраэцу череэ Высокоомкый разHcTGp (Ле1 и силы TG! i Я B Образце, ВыДPIlHKIT

И СГ(ЯЭЯННЫЕ O Не((1ЛУк г гяциь((2 (1 Я!1-..:.G ." тЯВЛЯ1О(((У1(2 (1ОЛу.(1 HHGl-u ОТНО((1ЕНгО плитудь1 1ДС Ц неэквипотенциальнастн И НХРОННО:ЯЭ, Е HPIPIB CR (ЯГ НИТЧЬ1М

Зондов 5U /U равна 1(, При ряэли-::. =;--:.Олем, опредсляк;т =-e амплитуду Hp H

Hblx Вкл1(э 1ениях иэмерите."тг„ ггя(1ря(((ения Вы< и(с2(г(от ко э, рф„*-;циент тХолля R. соотношения l3(I 6 Ц, и Ч, Гс с тавляли : -"- :12ормуле l

Ц(®Ч (- f t l /UI(" " Y 7»

K2MMRBHH 6," 3. /U 320,; - 6,, У,. - = 3 р я меяду клеммами 7, ГДе В 1, — !:, Япря2":е- ". ГГГ(Ч" Я Г- О З ЦЯ1 е нияФ иэмерйемь1е между клеммами Ь и Я = ЯМ П2((("", (1 .(G (З ((Я (Г r(ИЕ, Пгл УК ПГ (Д фггуктуяцми во времени коз(;(1)г(циен-1Я. МВГHRTH(lго полл, т ) в — . 1

II

l1 ,(" ,ч I„„,,;1

°,ч1

1., 1 (11 г - =- ( (:, 1

41 р- 1 (1 (!

1 (1

1 1 (1, „1

1400394

ЯЦси /Н,I

У7Х

Сос тавитель Л. Смирнов

Редактор Т.Орловская Техред А.Кравчук

Корректор И.Король

Заказ 2569 Тираж 373

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно"полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 с

Способ определения коэффициента холла Способ определения коэффициента холла Способ определения коэффициента холла 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик, определения подвижности носителей заряда в инверсионных каналах, для контроля качества изготовления полупроводниковых приборов на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и предназначено для экспрессной отбраковки полупроводниковых заготовокj используемых при изготовлении полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике, предназначено для измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для массового контроля поверхности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх