Способ изготовления мишени для распыления халькогенидных стеклообразных материалов в вакууме

 

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме. Цель изобретения - расширение технологических возможностей процесса. На проводящее основание через трафарет наносилась суспензия из оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц порошка 150 . . . 200 мкм и температурой размягчения Tg1 = 640С. После высушивания мишень оплавлялась при температуре 740С в течение 30 мин. Затем с охлажденной мишени снимался трафарет, а образовавшиеся пустоты заполнялись суспензией халькогенидного стеклообразного материала состава GeS2, имеющей Tg2 = 492С. Оплавление проводилось также после сушки суспензии при температуре на 80 . . . 100С выше температуры размягчения порошка в течение 30 . . . 40 мин. Общий отжиг осуществлялся при температуре 10 . . . 15ниже Tg2, т. е. ~ 482С, в течение 3 ч.

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме, а именно к способам получения мишеней для изготовления пленок хальдогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники, оптоэлектроники, оптики и т. д. Целью изобретения является расширение технологических возможностей процесса за счет получения пленок халькогенидных стеклообразных материалов, прозрачных в ультрафиолетовой (УФ) области спектра, с небольшими показателями преломления (менее двух единиц). П р и м е р 1. Для приготовления мишени использовали халькогенидный стеклообразный материал (ХСМ) состава GeS2, имеющий коэффициент преломления n= 2,1, и оксидный стеклообразный материал (ОСМ) - промышленное оксидное стекло марки ТСМ-221, содержащее 62% GeO2 с n= 1,55. Из указанных материалов готовили отдельно водные суспензии, используя порошки с дисперсностью частиц 150-200 мкм, приготовленные посредством растирания исходных материалов в фарфоровой ступке и последующего их просеивания через сита с размерами ячеек 150-200 мкм. Приготовленные водные суспензии путем намазывания наносили последовательно на проводящее основание из дуралюмина через трафарет из дуралюмина, выполненный с учетом требуемого соотношения площадей. Сначала наносилась суспензия из ТСМ-221, имеющая более высокую температуру размягчения, а именно Tg1= 640оС, через трафарет с ячейками сегментного типа, в котором площадь основания, покрываемого ТСМ-221, составляла 99 см2 (общая площадь покрываемого основания составляет 113 см3). Площадь покрываемого основания определяли исходя из обеспечения прозрачности получаемых пленок ХСМ в УФ-области спектра и уменьшении их показателя преломления. Эта площадь должна содержать 50% ОСМ ТСМ-221. Скорость распыления r1 этого материала, составляющая 0,3 /c, определяли экспериментально посредством распыления мишени из этого материала. Аналогично определяли и скорость распыления r2 ХСМ, которая составила 2 /c. После высушивания суспензии из ТСМ-221 в термостате при температуре 80оС в течение 8-10 ч, мишень помещали в печь типа ТЭП-1, нагретую до 740оС, на 30 мин, где происходило оплавление ее поверхности. Охлаждали мишень на воздухе до комнатной температуры. Затем снимали трафарет и образовавшиеся пустоты (площадь которых составляет 14 см2), т. е. соотношение площадей S1/S2= 7,1, заполнялись суспензией GeS2, имеющей Tg2= 492оС. Высушив суспензию в тех же условиях, что и предыдущую, проводили оплавление ее поверхности в той же печи при температуре 592оС в течение 30 мин. Охлаждали мишень на воздухе до комнатной температуры. Общий отжиг мишени осуществляли в печи типа ТЭП-1 при температуре 482оС в течение 3 ч с последующим охлаждением в печи до комнатной температуры. П р и м е р 2. Мишень изготавливали точно так же, как и в примере 1, и из тех же материалов суспензий и трафарета, только при других режимах. Оплавление осадка суспензии ТСМ-221 осуществляли при температуре 730оС в течение 35 мин. После охлаждения до комнатной температуры наносили суспензию GeS2. Оплавление осадка этой суспензии проводили при температуре 582оС в течение 35 мин. После охлаждение до комнатной температуры отжигали мишень при температуре 480оС в течение 3,5 ч с последующим охлаждением до комнатной температуры в печи. Изготовленные по примерам 1 и 2 мишени имели гладкую ровную полированную поверхность и характеризовались длительностью эксплуатации (до 6 мес), обеспечивающей получение из них пленок с воспроизводимыми оптическими, физико-химическими параметрами. Из изготовленных мишеней на установке высокочастотного (ВЧ) ионноплазменного распыления были получены пленки ХСМ, прозрачные в УФ-области спектра, спектральные характеристики которых имели показатели преломления n= 1,8-1,9. Показатель преломления определяется расчетным путем по интерференционным кривым и толщине пленки с использованием спектрофотометра СФ-8. Введение в пленку халькогенидного стеклообразного покрытия оксидного стекла снижает показатель преломления и обеспечивает ее чувствительность в УФ-области спектра. Важным критерием для достижения целей изобретения является соотношение площадей основания мишени, покрываемых суспензиями оксидного и халькогенидного стеклообразных материалов. Экспериментально установлено, что для получения пленок ХСМ, прозрачных в УФ-области спектра, с малым показателем преломления это соотношение должно быть таким, чтобы пленка ХСМ содержала 40-50% ОСМ. Это обеспечивается при соотношении площадей S1 ОСМ и S2 ХСМ задаваемым выражением = , где х - относительное количество ХСМ в получаемой пленке. При несоблюдении этого отношения, т. е. при увеличении площади, покрываемой ХСМ, получаемая пленка становится непрозрачной в УФ-области спектра и имеет показатель преломления больше n>2. Увеличение площади поверхности основания мишени, покрываемой ОСМ, приводит к получению пленки, нерадиационно стойкой и негеттерирующей примеси. Дисперсность частиц используемых суспензий обеспечивает равномерное оплавление поверхности мишени, требуемой для воспроизводимости состава, оптических и физико-химических свойств пленок. Для комбинированной мишени дисперсность частиц распыляемых материалов составляет 150-200 мкм, что позволяет получать ровную поверхность как ХСМ, так и ОСМ. При использовании порошков, распыляемых ХСМ и ОСМ, с дисперсностью частиц меньше 150 мкм происходит их коагулирование при оплавлении, вызывающее внутренние напряжения, которые способствуют появлению трещин на поверхности мишени и быстрому ее последующему разрушению, что приводит к невоспроизводимости оптических свойств получаемых пленок. Использование частиц суспензии с размерами более 200 мкм не обеспечивает полного их расплавления, в связи с чем поверхность мишени становится неровной, шероховатой, приводящей к невоспроизводимости оптических, физико-химических свойств получаемых пленок. Для достижения целей изобретения также весьма критичными параметрами являются температура и время оплавления, правильный выбор которых обеспечивает получение ровной гладкой поверхности мишени, позволяющей получать пленки с воспроизводимыми свойствами: оптическими, физико-химическими и составом. Так, при температурах, более чем на 100оС превышающих значения Тg1 и Tg2, в течение времени более 40 мин происходит частичное испарение ХСМ и ОСМ, вызывающее разрушение мишени, что не позволяет получить ровную гладкую поверхность мишени. При температурах оплавления, менее чем на 80оС превышающих значения Тg1 и Tg2, в течение времени менее 30 мин не происходит полного оплавления поверхности мишени, т. е. не получается ровная гладкая поверхность у мишени, что приводит к локальному перегреву ее поверхности в процессе распыления и к последующему ее быстрому разрушению, а следовательно, и к невозможности получения пленок с требуемыми свойствами. Для обеспечения длительности работы мишени, т. е. для сохранения ровной гладкой поверхности мишени в процессе ее распыления в течение продолжительного времени (4-6 мес), применяют отжиг. В изобретении проводят общий отжиг мишени после оплавления стеклообразного материала, имеющего меньшую температуру размягчения. Температура и время отжига весьма критичны при изготовлении мишени, так как их правильный выбор позволяет снять внутренние напряжения, возникающие в ХСМ и ОСМ, после оплавления и отжига, и приводящие в процессе распыления к разрыву ровной гладкой поверхности мишени и невозможности получения прозрачных пленок в УФ-области спектра с малым показателем преломления. Так, при температуре отжига, меньшей чем на 10оС значения Tg2, в течение времени менее 3 ч не происходит полного снятия возникающих внутренних напряжений, что вызывает растрескивание поверхности мишени в процессе напыления. При температуре отжига, большей на 15оС Tg2, в течение времени, большем 4 ч, происходит частичное испарение материалов с поверхности мишени, приводящее к возникновению неровностей на ее поверхности, затрудняющих получение пленок с нужными свойствами. Таким образом, способ позволяет изготовить комбинированную мишень для получения пленок ХСП методом ВЧ-распыления из двух различных несмешивающихся в объеме стеклообразных материалов, обеспечивая тем самым благодаря синтезу на подложке получение пленок ХСМ, прозрачных в УФ-области спектра, с малым показателем преломления. (56) Патент США N 3850604, кл. С 23 С 13/00, 1974. Авторское свидетельство СССР N 995523, кл. C 23 C 15/00, 1982.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного материала проводят на остальную часть поверхности основания, при этом используют порошок с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм, оплавление порошка халькогенидного материала ведут при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка халькогенидного материала в течение 30 - 40 мин, а отжиг заготовки проводят при температуре на 10 - 15oС ниже температуры размягчения порошка халькогенидного материала в течение 3 - 4 ч, при этом отношение площадей поверхностей, покрытых оксидным материалом (S1) и халькогенидным материалом, (S2) определяют из выражения где x - относительное содержание халькогенидного материала в распыленном потоке; r1 и r2 - скорость распыления оксидного и халькогенидного материалов соответственно.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и служит для повышения качества мишеней
Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и изготовления сегнетокерамических мишеней, распыляемых ионной бомбардировкой в вакууме
Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий и пленочных элементов интегральных микросхем

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней, а именно, к способам изготовления мишеней

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме, а именно к устройствам для ионно-плазменного распыления диэлектрических материалов

Изобретение относится к технологии вакуумно-дуговой обработки металлов, в частности к производству многослойных лент

Изобретение относится к оборудованию для нанесения в электрическом поле покрытий
Изобретение относится к области получения функциональных покрытий, стойких к износу, и способам их получения на поверхности изделия и может быть использовано в машиностроении для упрочнения деталей машин и механизмов, изготовления деталей современных высокофорсированных двигателей, нанесения износостойкого покрытия на стержни клапанов и поршневые кольца

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к мишени для получения функциональных покрытий и способу ее изготовления, и может быть использовано в химической, станкоинструментальной промышленности, машиностроении и металлургии

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано, например, при производстве тонкопленочных элементов многокомпонентных материалов, оптических покрытий, теплозащитных покрытий архитектурного стекла и других покрытий для товаров народного потребления на любых металлических, пластмассовых и других основаниях

Изобретение относится к технике газоразрядных устройств и может быть использовано в плазмохимических реакторах

Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т

Устройство для нанесения покрытия на порошки сверхпроводящих соединений представляет собой вакуумную камеру с дуговым испарителем. Соосно дуговому испарителю установлен лоток для высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) порошка. Между испарителем и лотком на вращающемся гибком электропроводном валу установлены вращающиеся катушка индуктивности и металлический перфорированный диск. Лоток оборудован вибрационным и механическим перемешивателями для порошка. Дуговой испаритель оборудован катодом, а внутренняя поверхность вакуумной камеры и поверхность электропроводного оборудования в ней являются анодом. Вакуумная камера оборудована системой подачи реакционного газа. Техническим результатом изобретения является улучшение квантовых электромагнитных свойств наноразмерных кристаллов покрытия частиц ВТСП-порошка. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх