Двухтактный усилитель

 

Изобретение м.б. использовано в усилителях звуковой частоты. Цель изобретения - упрощение. При больших мгновенных значениях входного сигнала напряжение на базе управляющего транзистора (Т) 5 становится больше, чем на эмиттере. Т 5 открывается. Его коллекторным током открывается Т 3. На коллектор Т 1 подается напряжение половины высоковольтного источника питания (ВИП) 15, равное Е. Открываются диоды 20, через к-рые конденсаторы (К) 18 включаются последовательно , и происходит их дозаряд до напряжения E (для всех в сумме). Так как в каждом плече число К 18 равно N, то каждый К 18 заряжается до напряжения . В течение 1-го полупериода открыт Т 8 2-го плеча , а значит и Т 4, через к-рый происходит дозаряд К 18 2-го плеча до напряжения половины источника 15, равного Е. Во 2-й полупериод 2-е плечо формирует полуволну напряжения на нагрузке 22. В 1-м плече происходит лишь дозаряд К 18 до напряжения Е, (всех в сумме). При больших мгновенных значениях в.чодного и вы.ходного сигналов колебания напряжение питания каждого плеча равно Е(, а при малых - EWN. 2 ил. S (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (51) 4 Н 03 F 3/21

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4026807/24-09 (22) 26.02.86 (46) 07.07.88. Бюл. № 25 (71) Горьковский политехнический институт им. А. А. Жданова (72) В. Н. Ногин и Н. 5. Догадин (53) 621.375.026 (088.8) (56) Заявка Франции № 2479604, кл. Н 03 F 3/21, опублик. 30.03.81. (54) ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ (57) Изобретение м.б. использовано в усилителях звуковой частоты. Цель изобретения — упрощение. При больших мгновенных значениях входного сигнала напряжение на базе управляющего транзистора (Т) 5 становится больше, чем на эмиттере. Т 5 открывается. Его коллекторным током открывается Т 3. На коллектор Т 1 подается напряжение половины высоковольтного ис.SUÄÄ 1408521 точника питания (ВИП) 15, равное E Открываются диоды 20, через к-рые конденсаторы (К) 18 включаются последовательно, и происходит их дозаряд до напряжения Е, (для всех в сумме). Так как в каждом плече число К 18 равно N, то каждый

К 18 заряжается до напряжения Е,/N. В течение 1-го полупериода открыт Т 8 2-го плеча, а значит и Т 4, через к-рый происходит дозаряд К 18 2-ro плеча до напряжения половины источника 15, равного Е,. Во 2-й полупериод 2-е плечо формирует полуволну напряжения на нагрузке 22. В 1-м плече происходит лишь дозаряд К 18 до напряжения Е, (всех в сумме). При больших мгновен ных значениях входного и выходного сигналов колебания напряжение питания каждого плеча равно Е<, а при малых—

Е,/М. 2 ил.

1408521

j5

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в усилителях звуковой частоты.

Цель изобретения — упрощение усилителя.

На фиг. 1 и 2 представлены принципиальные электрические схемы двухтактного усилителя.

Двухтактный усилитель содержит первый I, второй 2, третий 3 и четвертый 4

, транзисторы, первый 5 и второй 6 управ, ляющие транзисторы, первый 7 и второй 8 дополнительные транзисторы, первый 9, второй 10, третий 11, четвертый 12, пятый 3 и шестой 14 резисторы, высоковольтный источник 15 питания, выполненный со средней точкой, низковольтные источник 16 и 17 ( llliTHHHH, выполненные каждый в виде двухполюсной диодно-конденсаторной цепи, состоящей из Nконденсаторов 18,,N — 1 цепей из последовательно соединенных прямовключенных первого 19, второго 20 и треттьего 21 диодов, нагрузку 22.

Двухтактный усилитель работает следующим образом.

В исходном состоянии в каждом плече двухтактного усилителя, например в верхнем (фиг. 1 и 2), остаточные токи коллекторов транзисторов 7 и 5 несколько приоткрывают транзистор 3, через который все конденсаторы 18 заряжаются до некоторого напряжения. При этом ток заряда протекает ерез диоды 20. Так как транзистор 3 открыт

> езначительпо, а цепь конденсаторов 18

: ашунтирована резистивным делителем на езисторах 9 и I l, то исходное напряжение а двухполюсной диодно-конденсаторной

t1åïH низковольтного источника 16 питания оказывается меньше половины напряжения высоковольтного источника 15 питания.

Плечи двухтактного усилителя работают поочередно, каждое в свой полупериод усиливаемого переменного напряжения. При пОложительной полуволне входного напряжения (оно подается на входную клемму относительно средней точки высоковольтного источника 15 питания) работает первое плечо (вер.хнее на фиг. 1 и 2).

При малых мгновенных значениях усиливаемого сигнала ток транзистора 3 очень мал. Поэтому ток нагрузки 22 и транзистора 1 протекает в основном через диоды 19, 2! и конденсаторы 18. Последние включены параллельно друг другу через открытые диоды 19. и 2! и служат низковольтным источником 16 питания. При этом каждый конденсатор 18 частично разряжается, а диоды 20 заперты напряжениями конденсаторов 18 (так как диоды 19 и 21 открыты).

При больших мгновенных значениях вход ного сигнала напряжение на базе первого управляющего транзистора 5 становится оольше, чем на его эмиттере. Транзистор 5 открывается. Его коллекторным гоком открывается транзистор 3, в результате чего на коллектор транзистора 1 подается напряжение половины высоковольтного источника

15 питания, равное E При этом открываются диоды 20, через которые все конденсаторы 18 включаются последовательно и начинает происходить их дозаряд до напряжения Е„(для всех в сумме).

КрОме того, в течение всего первого полупериода открьгг второй дополнительный транзистор 8 второго (на фиг. 1 и 2 — нижнего) плеча, а значит и четвертый транзистор 4 второго плеча, через который происходит дозаряд конденсаторов 18 второго плеча до напряжения половины высоковольтного источника 15 питания, равного Е„.

Таким образом, в течение первого же полупериода конденсаторные цепи каждого плеча дозаряжаются до напряжений Е,. А так как в каждом плече число конденсаторов 18 равно N, то каждый конденсатор 18 заряжается до напряжения Е,/N.

Во второй полупериод усиливаемого колебания второе плечо формирует полуволну напряжения на нагрузке 22, а в первом плече происходит лишь дозаряд конденсаторов !

8 до напряжения Е, (всех в сумме).

Итак, при больших мгновенных значениях входного и выходного сигналов колебания напряжение питания каждого плеча равно Е<, а при малых — E,/N.

Формула изобретения

Двухтактный усилитель, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к коллекторам соответственно третьего и четвертого транзисторов, эмиттеры которых подключены к соответствующим шинам высоковольтного источника питания, выполненного со средней точкой, являющейся общей шиной, а базы— к коллекторам соответственно первого и второго управляющих транзисторов, эмиттеры которых подключены к первым выводам соответственно первого и второго резисторов и через соответственно третий и четвертый резисторы — к общей шине, и которой подключен первый вывод нагрузки и через соответствующие низковольтные источники питания --- коллекторы первого и второго транзисторов, при этом структура первого, четвертого и первого управляющего транзисторов противоположна структуре второго, третьего и второго управляющего транзисторов, отлича>ощий ся тем. что. с целью упрощения, введены первый и второй дополнительные транзисторы, имеющие разную структуру, пятый и шестой резисторы, одни выводы которых объединены и подключеHbl к второму выводу нагрузки и эмиттерам первого и второго транзисторов. оазы которых объединены и являются входом дву» тактно,о усилителя, другие выводы пятого и шестого резисторов подключены к эмитте1408521

Составитель И. Водякина

Редактор Н. Тупица Текред И. Верес Коррелт»р М. Шароши

Заказ 33г>0/56 Тираж 928 Подписи»с

ВНИИПИ Государственного кочитста СССР ио делич и.«>орстснии и откр>ягий

113035, Москва. >K — 35. Раушская нав, д. 1 5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород. I.л. Пр >с>.тн»я. 4 рам соответственно первого и второго дополнительных транзисторов, базы которых подключены к общей шине, а коллекторы— к базам соответственно третьего и четвертого транзисторов, при этом низковольтные источники питания выполнены каждый в виде двухполюсной диодно-конденсаторной цепи, состоящей из N конденсаторов, где

N> 2, N — 1 цепей из последовательно соединенных прямовключенных первого, второго и третьего диодов, причем аноды первых диодов N — 1 цепей объединены и подключены к первой обкладке первого конденсатора и к общей шине, катоды третьих диодов N — 1 цепей объединены и подключены к первой обкладке N-ro конденсатора, являющейся выходом соответствующего низковольтного источника питания, вторые обкладки первого и N-го конденсаторов подключены к аноду третьего диода первой цепи и к аноду второго диода N — 1 — и цег,и соответственно, при этом остальные i-e конденсаторы включены соответственно между каждыми анодом и катодом второго диода соответственно i- и (i+1)-й цепей, причем структура первого дополнительного транзистора соответствует структуре первого транзистора.