Контактирующее устройство для контроля кристаллов свч монолитных интегральных схем

 

Изобретение относится к области электроники. Контактирующее устройство для контроля сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем содержит металлическое основание 1 с выступом 2, размеп;енным в отверстии диэлектрической подложки 4, на которой закреплены проводники и микрополосковые линии. В выступе 2 по форме контролируемого кристалла 14 имеется гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, к которому можно подсоединить вакуумный насос. В качестве эластичного держателя контактов использована оптически прозрачная диэлектрическая пленка 12. Контактирующее устройство данной конструкции снижает погрешности измерения контролируемых параметров и расширяет номенклатуру контролируемых изделий. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. i (Л сд 4аь О

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<511 4 H 05 К 1/11

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4165812/24-21 (22) 23, 12,86 (46) 07 . 08. 88. Бюл. N 29 (72) Е. С . Буга ец (53) 621. 396. 049 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1143261, кл. H 01 L 21/66, 1982, Электроника. — N.: Мир, 1979, 9 1133, с.56. (54) КОНТАКТИРУЮЩЕЕ УСТРОИСТВО ДЛЯ

КОНТРОЛЯ КРИСТАЛЛОВ СВЧ МОНОЧИТН11Х

ИНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ (57) Изобретение относится к области электроники. Контактирующее устройство для контроля сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем содер„„SU„„1415476 А1 жит металлическое основание 1 с выступом 2, размещенным в отверстии диэлектрической подложки 4, на которой закреплены проводники и микрополосковые линии. В выступе 2 по форме контролируемого кристалла 14 имеется гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, к которому можно подсоединить вакуумный насос. В качестве эластичного держателя контактов использована оптически прозрачная диэлектрическая пленка 12. Контактирующее устройство данной конструкции снижает погрешности измерения контролируемых параметров и расширяет номенклатуру контролируемых изделий. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

1415476

Изобретение относится к радиоизмерительной и электронной технике и предназначено для измерения СВЧ .монолитных интегральных схем (МИС),основной особенностью СВЧ МИС является наличие распределенных пассивных элементов на лицевой поверхности и экрана на нижней поверхности кристалла. 10

Цель изобретения — снижение погрешности измерения контролируемых параметров и расширение номенклатуры контролируемых изделий.

На фиг.l представлено контактиру- !5 ющее устройство, поперечное сечение; на фиг,2 — то же, вид сверху без эластомерного разъема и кристалла MHC

Контактирующее устройство состоит из металлического основания 1 с 20 выступом 2, вставленным эаподлицо в отверстие 3 диэлектрической подложки 4, на которой закреплен экран 5, проводники 6 и микрополосковые линии

7. В пьедестале по форме контролируе-25 мого кристалла выполнено гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, которые расположены с возможностью соединения с вакуумным насосом (не показан), 30 диэлектрическая рамка эластомерного разъема 11 изготавливается иэ пластмассы с малыми диэлектрической проницаемостью и диэлектрическими потерями. В качестве оптически прозрачной диэлектрической пленки 12 желательно использовать полиимидную пленку толщиной, например, 35 мкм.

Контакты 13 выполняются по тонкопле- 40 ночной технологии с последующим гальваническим наращиванием золота 2—

6 мкм. Пленку 12 закрепляют на рамке, например, с помощью приклеивания. В гнезде 8 показан контролируемый крис- 45 талл 14.

Устройство работает следующим образом, С помощью вакуумного пинцета кристалл 14 МИС экраном- вниз устанавли- 50 вается в гнездо 8, образованное прямоугольным отверстием 3 и плоскостью пьедестала. Кристалл накрывается элас.томерным разъемом 11 (фиг.l). При визуальном наблюдении с помощью микро- 55 скопа золотые контакты 13 совмещают с контактными площадками на кристалле !4 и диэлектрической подложке 4, и подается разряжение (форвакуум) .

Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса) ° После этого включаются питающие напряжения, подаются измерительные сигналы и производятся измерения соответствующих электрических параметров.

При этом в пьедестале объединены функции корпусной детали, вакуумного уплотнения, контакты к обратной стороне кристалла, вакуумного зажима кристалла и базовой плоскости, предупреждающей разрыв пленочного эластичного держателя контактов.

По завершении измерений сигнал и питающие напряжения выключают, далее выключают форвакуум, эластомерный разъем убирают в сторону, а измеренный кристалл — в кассету годных или бракованных изделий.

Формула изобретения

l. Контактирующее устройство для контроля кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем, состоящее из металлического основания, диэлектрической подложки с проводниками и микрополосковыми линиями и эластомерного разъема, содержащего диэлектрическую рамку, эластомерный держатель контактов и контакты, о т— л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения погрешности измерения контролируемых параметров и расширения номенклатуры контролируемых иэделий, металлическое основание выполнено с выступом, вставленным в отверстие диэлектрической подложки заподлицо с ее плоскостью, в выступе по форме контролируемого кристалла выполнено гнездо с пазами и отверстием в дне, выполненными с возможностью соединения с вакуумным насосом.

2, Устройство по п,l о т л и ч аю щ е е с я тем, что в качестве эластичного держателя контактов использована оптически прозрачная диэлектрическая пленка.

1415476

Составитель Н.Шмелев

Техред А.Кравчук Корректор В.БУтЯга

Редактор Н,Тупица

Заказ 3890/57

Тираж 832

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проек тная, 4