Формирователь импульсов

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления триггеров и пересчетных устройств, выполненных ,ча базе эмиттерно-связанной логики. Целью изобретения является повьшение быстродействия и расширение области применения устройства. Устройство содержит первыйтранзистор 1 п-р-п-типа, первый источник 3 опорного напряжения , второй транзистор 4 п-р-п-типа, диоды 5 и 12, шину 7 питания, входную шину 8, выходную шину 9, третий и четвертый транзисторы 10 и 11 п-р-п-типа, второй источник 15 опорного напряжения, резисторы. Применение данного изобретения позволит повысить быстродействие триггеров и пересчетных схем, вьтолненных на его основе, и обеспечить сопряжение с логическими схемами, выполненными на базе эмиттерно-связанной логики. 1 ил. ( ел

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я0„„422 (51) 4 Н 03 К 5 153

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н А BTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4042699/24-21 (22) 24.03.86 (46) 07.09.88. Бюл. Я 33 (72) М.О.Ботвиник и M.Ï.Ñàõàðîâ (53) 62 1.373 (088.8) (56) Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. — М.: Связь, 1978, с.443, рис. 10 и 11.

Справочник по интегральным схемам.

/Под ред. Б.В.Тарабрина. — M. Энергия, 1980, с.95 (134ХЛ 3). (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления триггеров и пересчетных устройств, выполненных ча базе эмиттерно-связанной логики.

Целью изобретения является повышение быстродействия и расширение области применения устройства. Устройство содержит первый транзистор 1 и-р-и-типа, первый источник 3 опорного напряжения, второй транзистор 4 и-р-п-типа, диоды 5 и 12, шину 7 питания, входную шину 8, выходную шину 9, третий и четвертый транзисторы 10 и 11 п-р-п-типа, второй источник 15 опорного напряжения, резисторы. Применение данного изобретения позволит повысить быстродействие триггеров и пересчетных схем, выполненных на его основе, и обеспечить сопряжение с логическими схемами, выполненными на базе эмиттерно-связанной логики. 1ил.

1422379

Изобретение относится к области

: мйкроэлектроники и может быть использовано в схемах управления триггеров и пересчетных устройств, выполненных на базе эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ).

Цель изобретения - повьппение быстродействия и расширение области применения. 10

На чертеже изображена электрическая принципиальная схема формирователя импульсов.

Интегральная схема формирователя импульсов содержит первый транзистор

1 п-р-п-типа, база которого через первый резистор 2 соединена с положительной шиной первого источника 3 опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей ши- 20 ной, второй транзистор 4 п-р-п-типа, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора 1, первьй диод 5 и второй резистор б, шину 7 питания, .входную шину 8, выходную шину 9, тре- 25 тий и четвертый транзисторы 10 и 11 п-р-п-типа, второй диод 12, третий и четвертый резисторы 13 и 14 и второй источник 15 опорного напряжения, коллектор третьего транзистора 10 30 соединен с шиной 7 питания, а его база - c анодами первого и второго диодов 5 и 12 и через второй резистор 6 с шиной 7 питания, катод первого диода 5 соединен с коллектором второго транзистора 4, а катод второго диода 12 — с входной шиной 8,эмиттер третьего транзистора 10 соединен с эмиттером четвертого транзистора

11 и коллектором первого транзистора,10

1, база которого соединена с базой второго транзистора 4, эмиттер которого через третий резистор 13 соединен с общей шиной, база, четвертого транзистора 11 соединена с положи,тельной шиной второго источника 15 опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей шиной, а коллектор четвертого транзистора 11 соединен с выходной шиной 9 и через четвертый резистор 14 с шиной 7 питания.

Формирователь импульсов работает следующим образом.

Если на входную шину 8 подано напряжение, соответствующее уровню ло" гической единицы, то транзистор 10 открыт, а транзис-ор 11 закрыт. Это условие обеспечивается выбороМ напряжения источника 15 опорного напряжения, а также уровнем напряжения на базе транзистора 10.

В этом случае транзисторы 1 и 4 находятся в активном режиме и падением напряжения на резисторе 2 за счет протекания базовых токов этих транзисторов можно пренебречь.

Напряжение на выходной шине 9 равно напряжению источника питания. Если на входную шину 8 подано напряжение, соответствующее уровню логического нуля, то транзистор 10 закрыт, а транзистор 11 открыт. При этом ток коллектора транзистора 4 прекращается. Это вызывает насьппение транзистора 4.. При этом эмиттерные токи транзисторов 1 и 4 равны, так как иерекоды база — эмиттер этих транзисторов одинаковы топологически и соединены параллельно.

Однако установлению величины коллекторного тока транзистора 1 предп1ествует время, необходимое для рассасывания заряда неосновных носителей в базах транзисторов 1 и 4, соответствующего ранее протекавшему через них большему значению тока, Следовательно, в .течение времени рассасывания происходит уменьшение коллекторного тока транзистора 1, что вызывает рост напряжения на выходной шине 9, т.е, формирование на выходе кратковременного провала напряжения, Таким образом, применение предлагаемой схемы позволяет повысить быстJ родействие триггеров и пересчетных схем, выполненных на ее основе, и обеспечивает сопряжение с логически-. ми схемами, выполненными на базе ЭСЛ, Формула из обретения

Формирователь импульсов, содержащий первый транзистор п-р-п-типа, база которого через первый резистор соединена с положительной шиной первого источника опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей шиной, второй транзистор и-рп-типа, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, первый ,циод, второй резистор, шину питания, входную шину,. выходную шину, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия и расширения области применения, в него введены третий и четвертый транзисторы пр-иСоставитель В,Чижиков

Редактор Н.Лазаренко Техред А.Кравчук

Корректор Л.Патай

Тираж 928

Заказ 4440/56

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР пе делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 1422379 типа, второй диод, третий и четвертый ro транзистора, база которого соедирезисторы, второй источник опорного иена с базой второго транзистора, напряжения, коллектор третьего тран- эмиттер которого через третий резисзистора соединен с шиной питания, а тор соединен с общей шиной, база чет5

его база — с анодами первого и второ- вертого транзистора соединена с полого диодов и через второй резистор с жительной шиной второго источника шиной питания, катод первого диода, опорного напряжения, отрицательная соединен с коллектором второго тран- шина которого соединена с общей шизистора, а катод второго диода — с 10 ной, а коллектор четвертого транзисвходной шиной, эмиттер третьего тран- тора соединен с выходной шиной и чезистора соединен с эмиттером четвер- рез четвертый резистор с шиной пита- . того транзистора и коллектором перво- ния.