Сверхвысокочастотное контактное устройство
Изобретение может использоваться при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем и позволяет улучшить согласование , повысить стабильность контактирования и уменьшить разрушающее действие при контактировании. Входной 1 отрезок копланарной линии (ОКЛ) и выходной 2 ОЮТ подключены к контактным площадкам через контактные элементы 8, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений на концах их токонесущих проводников (тип) 4, 5 и заземляющих проводников (ЗП) 6, 7. ОКЛ 1, 2 выполнены на единой подложке 3 из эластичного материала . Концы их ЗП 6, 7 соединены между собой, а концы ТИП 4, 5 имеют плавно уменьшающуюся к контактным площадкам ширину. Входной СВЧ-сигнал поступает на ОКЛ 1 и через контактные элементы 8, к которым подключается полупроводниковый прибор, передается на контактные площадки, снима ется с них и поступает на выходной ОКЛ 2. 2 ил. (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
20 Ai (19) ®U (1и (51) 4 Н 01 P 5/08
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, ." ;
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4178724/24-09 (22) 12.01,87 (46) 07.10 ° 88. Бюл. У 37 (72) В,Р.Добровинский, В.И.Дворников и В.Т.Суходольский (53) 621.372 ° 831(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 1195410 ° кл. Н 01 P 5/08, 1984.
Strid S.W. C1eason К.R. Calibra:
tion methods for microwave water probing.- IEEE MTT-S Int. microwave
Symp. Идеям, Мау 30 — June 1, SanFrancisco, 1984, р. 93-97. (54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ КОНТАКТНОЕ
УСТРОЙСТВО (57) Изобретение может использовать" ся при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем и позволяет улучшить согласование, повысить стабильность контактирования и уменьшить разрушающее дейст-. вие при контактировании. Входной 1 отрезок копланарной линии (ОКЛ) и выходной 2 ОКЛ подключены к контактным площадкам через контактные элементы 8, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений на концах их токонесущих проводников (ТНП) 4, 5 и заземляющих проводников (ЗП) 6, 7. ОКЧ 1, 2 выполнены на единой подложке 3 из эластичного материала. Концы их ЗП 6, 7 соединены между собой, а концы ТНП 4, 5 имеют плавно уменьшающуюся к контактным площадкам ширину, Входной СВЧ-сигнал поступает на ОКЛ I и через контактные элементы 8, к которым подключается полупроводниковый прибор, передается на контактные площадки, снимается с них и поступает на выходной
ОКЛ 2. 2 ил.
1429200
Составитель В.Алыбин
Техред А.Кравчук Корректор О.Кравцова
Редактор О,Юрковецкая
Заказ 5135/50
Тираж 633
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, Изобретение относится к технике
СВЧ и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем.
Целью изобретения является улучшение согласования, повышение стабиль,ности контактирования и уменьшение разрушающего действия при контакти;ровании. 10
На фиг.1 показана конструкция сверхвысокочастотного контактного ! устройства; на фиг.2 — то же, другая ,проекция.
Сверхвысокочастотное устройство 15
1 содержит входной и выходной отрезки 1 и 2 копланарной линии, выполненные на единой подложке 3 из эластичного материала. Ширина токонесущих провод,ников 4 и 5 входного и выходного от- 20 резков 1 и 2 копланарных линий плавно уменьшается в направлении к кон тактным площадкам, размещенным на .диэлектрической подложке (не показаны). 25
Концы заземляющих проводников б и
7 входного и выходного отрезков 1 и
2 копланарных линий соединены между собой, на них и концах токонесущих проводников 4 и 5 закреплены контакт- 30 ные элементы 8, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений.
Входной СВЧ-сигнал, поступает на входной отрезок 1 копланарной линии 35 и через контактные элементы 8, к которым подключается полупроводниковый прибор, передается на контактные площадки и снимается с них, поступая на выходной отрезок 2 копланарной ли- 40 нии.
Благодаря выполнению подложки 3 из эластичного материала и размещению на ней токонесущих и заземляющих проводников 4-7, а также благодаря соединению между собой заземляющих проводников 6 и 7 достигается улучшение согласования, так как улучшается симметрия электрического поля в месте подключения полупроводникового прибора и уменьшаются неоднородности при переходе с отрезков и 2 коГ планарных линий на полупроводниковый прибор. Эластичностью подложки 3 обеспечиваются повьппение стабильности контактирования и уменьшение разрушающего действия при контактировании, так как при этом к контактным элементам 8 можно приложить равномерное и нормированное усилие.
Формула изобретения
Сверхвысокочастотное контактное устройство, содержащее входной и вы-. ходной отрезки копланарной: линии, подключенные к контактным площадкам, размещенным на диэлектрической подложке, через контактные элементы, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений на токонесущих и заземляющих проводниках, причем ширина токонесущих проводников плавно уменьшается в направлении к контактным площадкам, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью улучшения со-.я гласования, повышения стабильности контактирования и уменьшения разрушающего действия .при контактировании, токонесущие и заземляющие проводники входного и выходного отрезков копланарной линии размещены на единой подложке, выполненной из эластичного материала, н их заземляющие проводники непосредственно соединены между собой.
