Индуктосин

 

Изобретение относится к электрическим измерительным микромашинам и может быть использовано в системах автоматики и вычислительной техники. Цель изобретения состоит в повьшении точности индуктосина путем уменьшения чувствительности к технологической ВнутренHt/lJCAOS погрешности. Обмотка статора выполняется со скосом разного направления проводников полуфазы 1, расположенной на большем диаметре внешнего слоя, и проводников полуфазы 2, рас положенной на меньшем диаметре внутреннего слоя и образующих фазу. Проводники полуфазы 4, расположенные .на большем диаметре, внутреннего слоя проводники полуфазы 3, располокенные на меньшем диаметре внешнего слоя, образуют другую фазу. Изобретение позволяет снизить чувствительность индуктосина к неточности выдерживания ширины проводника, что способствует повышению точности и пслабляет технологические требования. 2 з-ш. бнеи/ний слой

СОЮЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А? (19) а1 (51 ) 4 Н 02 К 24/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

8vpmper

wd АУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ HOMHTFT СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 610256 (21) 4223539/24-07 (22) 26,01.87 (46) 07,10.88. Бюл. Ð 37 (72) Л.Н.Сафонов и Я.А.Гассох (53) 621.314.214 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

 610256, кл. Н 02 К 24/00, 1976. (54) ИНДУКТОСИН (57) Изобретение относится к электри- ческим измерительным микромашинам и может быть использовано в системах автоматики и вычислительной техники.

Цель изобретения состоит в повышении точности индуктосина путем уменьшения чувствительности в технологической погрешности. Обмотка статора выполняется со скосом разного направления проводников полуфазы 1, расположен-: ной на большем диаметре внешнего слоя, и проводников полуфазы 2, расположенной на меньшем диаметре внутреннего слоя и образующих фазу. Проводники полуфазы 4, расположенные .на большем диаметре внутреннего слоя, проводники полуфазы 3, расположенные на меньшем диаметре внешнего слоя„ образуют другую фазу. Изобретение позволяет снизить чувствительность индуктосина к неточности выдерживання ширины проводника, что способствует повышению точности и ослабляет технологические требования. 2 ил,, 1 r r 29240

Изобретение относится к электри ческим измерительным микромяшинам., может быть использовано в системах автоматики и вычислительной техники и является усовершенствованием изобретения по авт.св. Р 610256.

Цель изобретения — повышение тсHности индуктосина путем уменьшения чувствительности к технологической 10 погрешности.

На фиг. 1 представлена обмотка ротора; на фиг.2 — схема относительного расположения проводников сбмсткь.-; статора и ротора.- 1 з

Обмотка ротора содержит две фяэы, кяждяя из KOTopbix выполнена иэ двух полуфаз. Первая пслуфаза 1 впешнегс слоя первой фазы расположена на большем радиусе внешнего слоя. Бторая К полуфаза 2 первой фазы находите»п на меньшем радиусе внутреннего слоя,, Первая полуфаэа 3 второй фазы находицся на меньшем радиусе внешнего слоя, Вторая полуфаза А второй фазы находится на большем радиусе внутреннего слоя.

Последовательно-встречно соединен:IMB полуфазы 1 и 2 образуют первую фазу. Последовательно-согласно соеци- 30 пенные полуфазы 3 и 4 образуют вторук фазу. Угловое расположение проводни-. ков B полуфяэах каждого слоя таково., что функции их магнитной связи с вторичной обмоткой сдвинуты Ia 90 эл. град, слои сдвинуты также на 90 эл. град„ в результате функции магнитной связи пслуфаз 1 и 2 имеют сдвиг прос ранственных фаз 180 эл.град,, а полуфаэ 3 и 4 находятся в фазе. Сдвиг щ между фазами составляет 90 эл. град.

Вторичная обмотка имеет радиально расположенные проводники 5, перек-рывающие пс радиусу проводники обеик полуфаз, Средние линии проводников „1; скошены по отношению к радиусам., пересекающим их, причем скос, например,,,цля внешней полуфазы выполнен по ча совой стрелке а внутренней — проти-" нее. )0

Индуктосин работает следующим образом.

Пусть, например, на одну из стя-торных обмоток подано напряжение воз"буждения. В каждой из полуфаз 1 и 2 первой фазы "ротора индуцируется

ЭДС. Поскольку точки проводников Л и В внешней и внутренней полуфаз (фиг.2), определяющие прострянственную фазу сигналя пслуфазы в целом, сдвинуты по углу одна относительно другoII HB 90 3JI, BpRд, я слои, в свою

0 очередь, сдвинуты, например, ня — 90

ЭДС полуфаз 1 и 2 рязных слоев ока"-ываются в прстивофа-е, то при встреч= ном соединении суммарная ЭДС 1-й фазы равна арифметической сумме ЭДС полуфаз 1 и 2, Аналогично образуется

ЭДС и 2-й Фазы,. Одна сдвинута пс отношению к фазе 1 на 90, фазы 1 и 2 образуют симметричнук1 двухфазную систему.

Благад;.:ря ск:с : п,свсд1п1ксв ЭЧС каждой из пслуфяз 1;.1еет малое ссдеркяние высши»х про:".трянственных ГBpNo ник, Предло»лс«жи;и, 1Tio B процесc работы меняется зазор, например увеличивается. Поскольку ЭДС элемента цлины прсвоцникя пропорциональна exp(, рп/(э) где р — число пяр и. -люсов„ h — зазор-, текуг, ий радиус элемента, тс при увеличении эязоря точка Ь ня проводниках внешней попуфязы, спределяющля пр»сстрянс Bек-::. кую ф=э т .цроводника в пеном,. перемещается на 6сль111ий радиус и зани..:яет пслсжение А, из-зя перерi1спрел»»слепня»ДС» Iro pJII«IHB пров одни "«" кя, При большем зазоре непропорционально бсльша11 част, ЭДС осеспечивается за счет части проводника„расположенной на больших радиусах.

ПОсксльк«у провод»111К скошен. воз-никнет прсстранс: BåiHIIé сдви1 ЭДС на угол о 1.А. Те же явления происхоЛ

ДЯТ H HG ПРОВ О Т111. I» H": BHУ ГРЕННЕй Г»с ,пуфязы1 тОчкя 8 пере» I .щяе 1 ся в ТОч ку Б.. Поскольку скос проводников внутренней полуфазы имеет обратный знак по отношению к внешней полуФазе, приращение угла ф,, также имеет обратный по отношению ф1 знак.

При рЯв «нсYB;"» /с»»1 . / и /Д».p/ . u "1«с .

"Ь

Обеспе-1изается расчетом и соответствующим выбором углов скося внешней и внутренней пслуфаз, су1п1;»рная ЭДС фазы фязозсго сцви:a не приобретает.

Аналсгичнь1е явления происходят и при няли-1ии радиальных эксцентриситеTîB у обмоток ротора и статора. При эI.сцеH» pii(иTf»1 е пpoвсдниi;1» смещаются сгин относи"ельнс дсугогс пс радиусу.

0»»»в IDAHO;Ä«т»о и «;; » Я »1 «H«ii«»;скоса при

--ТОМ ИЗМЕ11ЯЕТСЯ ПРО ТРЯ-;ОТ.: IHHBH фа=-a ЭДС,, Если зазор рав11смерный, то погрешности не всон11кяет, тяк для каждого Hðoâодпгикя чяхсди "..с.-я диамет1429240 ному смещению проводников при радиальном эксцентриситете.

Формула и э о б р е т е н и я

Индуктосин по авт.св. У 610256, отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем уменьшения чувствительности индуктосина к .технологической погрешности, проводники обеих полуфаз выполнены со скосом относительно радиуса,проходящего через середины проводников, причем направления скоса проводников разных полуфаэ противоположны.

Составитель В.Комаров

Техред А.Кравчук Корректор М.Демчик

Редактор А.Коэориз

Заказ 5138/52 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 рально расположенный проводник, у которого это изменение пространственной фазы имеет противоположный знак.

Если же зазор неравномерный, то модули ЭДС в этих диаметрально располо5 женных проводниках неодинаковы и их сумма получает остаточный сдвиг фаз.

Поскольку скос в полуфазах имеет различный знак, этот остаточный сдвиг для внешней и внутренней полуфаз получает различный знак и в сумме компенсируется.

Таким образом, используя скос, уменьшаются содержание высших пространственных гармоник в функциях коэффициентов передачи и погрешность преобразования, а применяя в полуфазах

Ъ скос разного знака, исключают появляющуюся из-за скоса как такового не- 20 желательную чувствительность индуктосина к вариации зазора и к радиальКроме того, снижается чувствительность индуктосина к неточности выдерживания ширины проводника, что улучшает точность и ослабляет технологические требования,