Отражатель квантрона твердотельного лазера

 

Изобретение относится к кваитоBofl электро1тке и может быть использовано в квантронах с безжидкостным охлаждением. Цель - повышение КПД и падежзюсти отражателя. Подложка отражателя выполнена из термоойработанного стекла структуры Li O-A Oj-FSiO. На подложку нанесено покрытие из смеси окиси циркония с размерами частиц 2-80 мкм и жидкого калиевого стекла с плотностью 1,11-1,15 г/см при соотношении компонент Isl, прнчем число, слоев покрытия выбрано от 2 до 4. Это позволило повысить кпд отражателя до 30% и увеличить надежность отражателя до 10 импульсов наработки. I ил. с S

СООЗ COBE ТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ж фь

<АР

Сп l О

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬ1ТИЙ (46) 30. 12. 90. Бюл. Р 48 (21) 4174957/24-25 (22) 08.10.86 (72) Л.Ф.Беляк, Л.Г.Герасимова, Г,С.Леонов, Л.Г.Сапрыкин и И.В,Щедров (53) 621.375 ° 3(088.8) (56) Иикаэлян A.Ë. н др. Оптические квантовые генераторы на твердом теле, М.: Сов. радио, 1967, с. 79-87, Гардашьян В,М. и др . ГЬ|рокополос» ные интерференционные отражаюшие покрытия осветителей оптических генераторов. - Квантовая электроника, 1971, 11 3, с. 113-1 15. (54 ) ОТРАЖАТЕЛЬ КВЛ11ТРОНЛ ТВЕРДОТЕЛЪНОГО ЛАЗЕРА (57) Изобретение относится к кванто"

„„SU,„, 1435113 А 1 (5I) 5: Н Ol Б 3/02 вой электро п ке и может быть использовано в квантронах с безжидкостным охлаждением. Кель " повышение КПД и надежности отражателя. Подложка отражателя выполнена из термообработанного стекла структуры И 10-А20 -hi0 .

На подложку нанесено покрытие нз смеси окиси цнркония с размерами ча"тиц

2-80 мкм и жидкого калиевого стекла с плотностью 1,11-1,15 г/см прн соотношении компонент I:1, причем число. слоев покрытия выбрано от 2 до 4, Это позволило повысить КПД отражателя до 30% и увеличить надежность отража теля до 10 импульсов наработки.

l ил.

14 З511З

Изобретение относится и квантовой электронике и может быть использовано в квактроках с беэжидкостныи охлаждением полости накачки.

Цель кэобретенйя - увеличение КПД

5 и надежности отражателя, Сущность изобретения поясняется чертежом.

Отражатель. квантрона содержит под- IO ложку I сквактывающую активный элемент 2, установленный внутри сапфиро» вого теплоотвода, выполненного в виде коаксиального цилиндра 3. В отражателе также расположены две лампы 15 накачки 4, установленные симметрично по разные стороны активного элемен. та, параллельно его оптической,оси.

Оптические оси ламп накачки и активного элеиента лежат в одной плоскости. На подложку нанесено многослойное покрытие.

Подложка выполнена нз термообработаккого стекла марки СО-115 системы Li О-А1 0 -HiO< a покрытие — из 25 смеси окиси циркокия с размерами частиц 2-80 мкм и жидкого калиевого стекла с плотностью I 11-1,15 г/си прн соотношении компонентов 1:1, причем число слоев покрытия выбрано от 30

2 до 4.

Термообработка стекла позволяет увеличить его коэффициент отражения.

После териообработкх коэффициент отражения стекла системы Li

Окись циркония, как показали эксперименты, является стойкой к воздействию излучения лампы накачки и обеспечивает увеличение коэффициента отражения отражателя квантрона ке 45 .менее чем до 94Ж, Жидкое калиевое стекло сочетает прозрачность н прочность к механо-климатическим воздействияи. При мекыпих размерах частиц окиси циркоиия коэффициент отражения уменьшается, так как размер частиц становится сравнимым с длиной волны излучения накачки. Прн больших размерах частиц покрытие становится

Il рыхлыи и осыпается при иеханичесIl ких воздействиях, Соблюдение ограничений по плотности жидкого калиевого стекла и величине отношения массы окиси циркония к массе жидкого калиевого стекла необходимо дпя получения механически прочного покрытия.При использовании жидкого раствора дпя нанесения покрытия необходимо для обеспечения высокого коэффициента отражения накосить большое количество слоев, что уменьшает механическую прочность покрытия. При "густои" растворе покрытие получается "рыхлым". Механическая прочность покрытия уиеньшается также, если число слоев покрытия более 4. При одном слое уменьшается коэффициент отражения отражателя, Нанесение укаэанного покрытия на подложку отражателя позволило уве" лнчить КПД отражателя до 15-ЗОХ (при накачке активного элемента нз алкио» иттриевого граната с неовимом энергией от 4 до 40 Дж) и повысить каработт ку отражателя до 10. импульсов.

Формула изобретения

Отражатель квантрона твердотельного лазера, включающий подложку с. нанесенными на нее слоями покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД и надежности отражателя, подложка выполнена иэ териообработанного стекла структуры ..

Li 0-Al 0 -Si0g, а покрытие - из смеси окиси. циркония с раэиерамн чаетиц

2-80 мкм и жидкого калиевого стекла плотностью !,Il-l 15 г/см при соот3 ношении коипонект I: I, причем покрьг тие содержит от двух до четырех слоев.! 435113.Составитель А. Соловьев

Редактор Т.Орловская Техред М.Моргентал Хорректор М,Васильева

Тираж 397 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/S

У .

Заказ 4327

Произволственно-полиграФическое предприятие, r. ужгород, ул. Проектная, 4

Отражатель квантрона твердотельного лазера Отражатель квантрона твердотельного лазера Отражатель квантрона твердотельного лазера 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при создании моноимпульсных лазеров на алюмоиттриевом гранате с необходимом большой мощности для систем дистанционного контроля состояния атмосферы, возбуждения высокотемпературной плазмы, при создании лазерных спектрометров и т

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к конструктивному выполнению активного элемента лазера, и может быть использовано в лазерах на растворах органических соединений - лазерах на красителях

Лазер // 1025308

Лазер // 784682

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров

Изобретение относится к лазерному оборудованию, точнее к блоку генерации излучения многоканальных твердотельных и газовых лазеров

Изобретение относится к приборам квантовой электроники, а именно к мощным твердотельным лазерам

Изобретение относится к газовым лазерам щелевого типа

Изобретение относится к полупроводниковой квантовой электронике, а именно, к конструкциям маломощных лазерных диодов, которые могут быть использованы в волоконно-оптических системах связи, для накачки твердотельных и волоконных лазеров, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве лазеров непрерывного действия на парах металлов

Изобретение относится к поглощающим материалам для связывания воды и/или органических молекул, которые могут присутствовать в качестве примесей в корпусе высокомощного лазера
Наверх