Устройство для нанесения пленок в вакууме

Авторы патента:

C23C14/36 - диодное распыление (C23C 14/35 имеет преимущество)

Изобретение может быть использовано для нанесения тонких пленок в электронной, оптической и других отраслях промышленности. Цель изобретения - повышение производительности устройства и качества пленок за счет увеличения коэффициента использования распьпяемого материала и равномерности распределения его по поверхности подложки. На торцах цилиндрического анода 2 размещены катоды (К) 3 и 4 из распьшяемого материала. К 3 имеет форму диска, а К 4 - форму кольца, отверстие которого вьшолнено в виде усеченного конуса, причем ieньший диаметр конуса обращен к аноду 2. Для предотвращения бомбардировки подложки элeктpoнa и на К 3 подается положительный потенциал относительно К 4 и подложкодержателя 5. 1 ил.

СО1ОЗ СОЕ1ЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (51) 4 C 23 С 14/36

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4004423/24-21 (22) 05. 11;85 (46) 15. 11. 88. Бюл. Ы 42 (71) Институт физики АН ГССР (72) Н.А.Кервалишвили (53) 621 793 12 (088 8) (56) Патент США Р 4492620, кл, С 23 С 15/00, 1985.

Журнал технической физики, 1980, т. 5, вып. 3, с. 599-665. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК

В ВАКУУМЕ (57) Изобретение может быть использоваио для нанесения тонких пленок в электронной, оптической и других отраслях промышленности. Цель изобрете„„SU„„) 437412 ния вЂ” повышение производительности устройства и качества пленок з l счет увеличения коэффициента использования распычяемого материала и рагномерности распределения его по поверхности подложки. На торцах цилиндрического анода 2 размещены катоды (K) 3 и 4 из распыляемого материала. К 3 имеет форму диска, а К 4 вЂ” форму кольца, отверстие которого выполнено в виде усеченного конуса, причем меньший диаметр конуса обращен к аноду 2. Лля предотвращения бомбардировки подложки электронами на К 3 подается положительный потенциал относительно К 4 и подложкодержателя 5. 1 ил.

I I 3:1 бр 2 т е 1 (и (:, ) !, (» . :.

110)(P)»(T(iI! 8 Б(т l У,г!. Ь ..) рОI. CTF!BM,!)Ня (О", т!0(! (32 ° 1, (",, терИЯЛОБ) 1 М(г:;<Ет б!.1- Ь .(- ".:, - г)!», ДЛЯ На!(P..C Е - .:(Я; =;;.;1-", тРонной,, 0-.(тн-". !c T<(! (.f !;T:(f(7(ЛЕ (!inC.T;;Äизводительносги устт ой(;-: «та- .

БЯ ПЛЕНОК ЗЯ С"-:Ет уБРЗЛ!т .: И::,О . ИЕНТЯ И ПОЛ О г» НИЯ P(i" тЕГИЯЛЯ :., I)BE!HO!(ЕР НС)С! И: (: 7.вЂ”.!т (-". г: (--.

HИя ЕГО (О ПС)Бара)то ст(т 1: и . ОЗ(КИ . на (: jc Р .1, <" с т р От! ст 13(- !1,

1T J (Е :.вЂ”.,, < (3 5! (т К " y М "..

Устpo)=c Tc)c с . -. Оит камеры с ря ззядкой с:-..." (С(- .

iОЯП(; И СОССE10 РЯС) ОЛ . СННЬ::. - ..И(Н

ДP)I -1 ЕС К ОГС Я НО, 1 (г) Ь,. 2 З(i» :-. i.:. Ы

ЕГÎ тоРЦОБЬГК:)ОБЕР);;;-0; "; .; КЯ г t!(7 1 () т БЬ(770ЛНЕННЬ)(H . Рт.,!J(R .i :".. (С т="пиала . (та о„"(3 1! r" (j) раб)ояятт )f()aeDK); )с

0b1T!» (т, I!)C K )3 HJT(! Но. ir, j (,!Ë ii .(1 "() т! Е и .( ( и Олл 0)КК О;(ЕР,:;2 T:lл .т ) .

I, МОЖНО -ТЬЮ По!З,l. -:H НЯ тнк »)01;.. СОН; "-,!ЬК

ГI ОТ Е 1(ПИ ЯЗ(0(Я P 3 2Ë); тl )301 О (т 1! 3 Я

УСтрОИС.тт»О Пябоiяот . J "т.. Ьц, ° ,") Я 3 О М . г» т(БЯКУ УМ-)!()7 <Я(ieР У ) ) 0((2 инертнь(й Гa=, -- Bpl сн 70л", 31 "

"(„33 I r,; !!Я . i!2 21(од:,:, - "с ., Г!0)1(ИТ ад)»)3ЬИ IIO Н т:, т(. ) - . !Е . J (т -, ОДа ЕТСЯ .. 1110)КИ73З(7 т)-)Ь(1:(! E(H, C )I0j! и!1!1»(»-((0! !т ..:,;т, ! ,,ОИ " ..:.Сie:„. :-:! З(-,(,-, Рт тт "г "" т, 70)теP v. T»!)С (l:,(.т: - ()О" заря)(Риной i.l(3:lь., В кот! ь! т)т»ЮТСЯ 1! (! ((ОсяяiтC(Ь . 1 ., -,(! (г - .

СТИЕ КО (ОРОГ abliIÎJ(b Р 0 ()(Е (С ЕН 0) 0 (C)1 т "" ("гпн!)т)т - т . «(()о,т

ityC Ооря!СС!-: ..) -; .., )т (.) . (!(Гт

02. 3(-. 1! ИЛИ (1() (i !!,. („ (-!,.;С(. . :;:» i О, ) 0l! ПOI!,.! )(.(КОП,Е), »((2 Р IR; 1, !(;(3 - (»ЯД (0(1 : !. Т - М(= (, .»C)- С С) Е- О:1!, () .(НОЛ 0)(<2 (i i(ü(é БН Р я !< у" r -H! C:,. a;! e! ((»., !!

O? БЯТЬ(БЯЮ)1(И(й:-! НО,З 2 .-", !,2: 1!(((1 (ОЛ ЬПЕ130й KBT O!= -. Ь(ПО(!»!! C.;;!<0, З!1)((Я Е(! Ь

3 за землены, 2 дискозь-и .,-Тод 1:. !!0" )

1: ОД КЛЮ(1 Е НЫ К П Б(От(И т гь: . (1 -j !(, С» (.

ИСТОМ НИКЯ )IИТЯ). ИЯ !, НС» .(0 . .:: д -- - !!»т С )1 . : ОСЛ(3 М!!

Н b(X

О((,! I г r „, Ь.тг((.!((li т(З . C (И »т KB с

Оr",я-;;!„(((Я ттт(R ((2 П О rIOЗ;К : 7:. (::,3 T!: i Ê j . H ((0) ((ГЛ (! 3 ч12 О О Р 2 3 Ут ЮТ

; я ..!: KT! (!():)c(J ьн ) бол! .))Ой э«epi ::i. i ., .; 07 () Ь(2 :Оl(бяр)г(Иру . К:-3 т Одь! 3 И

;,;(;)„-(;;.;;; . )3 Ног 0;,0 (!Я, IЛЯ ". 01 3 роы Г;е7 1 R E б0):,б;iрт,(рот»кy подвЂ” .)0.1;КИ т .:-)!"Г . =,.2, 0(H- Ри.; 2 ДИСКОБЬГй

"О(() 0,-!Я.=т с» поло))7)тельны.. : потeHвЂ” ,;-;;.:,;.„--.тт;.;.! O I<"...; - IЕ;От-О KЯТОДЯ 4

r r .:())l;i: !; D;i Ят! .i Я 3,. г»,) Е » J(Ьт 2ТЕ ((-О - Оц, ;. CЗ:.т-.-:KTP ОНЬ. Я:-IС)МаЛЬНО . « .).(! ь!))ар(?) Б(, 2(КИБЯВ" C! На ЦИС

"„- т(i C.(. -!.:.„. г:2 ЕС!= И.", :(0(3., о (- \ j (1 (--.;.-,: ттт(7 1: вЂ”;(Д Ь() "(-- Б .",; r .; ",= 1:;; .:т )! 0("; â€” 1! (1,! Ь Е р Г 2 Е Т С Я б(. мбя р! (Ир =..:Kе =!ь эл е::Tp с HB)w(. Ни ио

- .!и, 71 О ). у 3 ")2:.<я ". pc T 130 i! a.;! ььпя

r Ь г 1. 1-Г(Е)-ХН. .(=..К :)т! 00!" (".;, )(. УС! РОИСТБО !)ОЗБОЛЯ . т ООЕСПЕ» кть 1! Ь HC 0)=", Ю Гт »Н З))ОДI» .;.;! bf 0c Tb;a c -12 T б)0,!71»))(ои с:-;ор ости

i;2c! ï! )Лени)! -.pê .;(-.Изки)(p200-!НК давле-и к; полу 11- !т; !.a: ес". "".енные пленки

За Ст, Ет р:-: iCTÛ у.тро)3(С ГБЯ Прн НИЗКОМ

;,,,â€”..(ии с пр(погнра;цение(: Герегрева

П((П ))K

:.-.,: 1-7(ю кони-:есной i,д;!;ie;!H Б комбинации

i. OC;<О:; ."((Е.!(()07H,Þ, ИСПО))ЬЗOBaTH = О ,. !3:;OHH01 О .-РЯЯЛ ЕНИЯ ПСДЛОжКИ, ДЛЯ ,Р 0 Мат НИ":-;ОЕ )тг)3:Е УМ i- ()ЯЕт С5. На .. С.:7-КО т(Обь) ДБЕгКЕНИР 170НОВ C.. .ЯЛО

1= СИМУЦ(ЕС ГЛЕНН») Н!.СДОЛЬНЬ!11 И ОНИ Ла-!яли бомбар;«p;)BB-. ь подложку, (7 "i 3 J (2 И 3 О 0 P e Т е Н И Я (У(TT. 0):; БО .!т Я НBHeC raf(H)1 т()1 ЕНОК Б ьяк ууме, Одер;:.;2 )ee цилиндрический

: О-!ЫИ Я ).0;1) тт)(КО()Ь" И Кот! ь((ЕБОй КавЂ”

)ды :la ряс(IЬL(5е! .о. о матер);ала завЂ” т 1i7 iÍb -,=l? ОР ((0 Зь()(По:ЗЕP:

ЯТРЛЬ) ЗЯКРЕ(-ЛЕННЬ»;:О CTOF)011

;,I1!=B0 О т< i T, :T,;,. И И Ст С)Ч((И:< )(ИГЯвЂ” .:.и .::, л: . 2 ю г с-: e с я 7e.i:, Г !(ЕЛ !»Ю ".: (r, Ыьiе Ннiя Пр ОИ:3 )3ОДИТ С")т Ь .... -и .. ":.-2-:=с- -:, ноно< = с - ет у)зевЂ”

К (» !""- i. 1 (,7,= . I;C J Ь» 0 Яа.)тl»я .): (7:,Ьтl !i(! 1 ., r ): ., . )3 - ) lг) H P 2 Б!.!ОМЕР HOC ряс!):)с;,e,! 1(!!i яе«го . о с.неркностя (T 0),"!"!i, 0 . Гiea с ти = !(Ол:= н ено .". к2 т0

: 1)):(.!ь Рно в з:)де;(яенного конуСоставитель В.Одиноков

Текред А.Кравчук

Редактор Н.Киштулинец

Заказ 5857/26

Корректор В. Гирняк

Подписное

Тираж 992

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 1437412

4 са, обращенного большим диаметром к кольцевой катод и подложкодержатель подложкодержателю, причем меньший заземлены, а дисковый катод подклюдиаметр отверстия больше или равен чен к положительной клемме источника внутреннему диаметру анода, при этом питания.

Устройство для нанесения пленок в вакууме

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме

Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси // 1394742

Способ изготовления мишени для ионно-плазменного распыления // 1385639

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и служит для повышения качества мишеней

Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме // 1332866

Способ изготовления сегнетокерамической мишени // 1300976

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и изготовления сегнетокерамических мишеней, распыляемых ионной бомбардировкой в вакууме

Способ изготовления сегнетокерамической мишени // 1300975

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней

Способ получения пленок химических соединений // 1297504

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий и пленочных элементов интегральных микросхем

Способ изготовления сегнетокерамической мишени // 1274339

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме путем ионного распыления мишеней, а именно, к способам изготовления мишеней

Устройство для нанесения пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов в вакууме // 1271132

Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме // 1240076

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме, а именно к устройствам для ионно-плазменного распыления диэлектрических материалов

Способ получения многослойной ленты и устройство для его осуществления // 2180365

Изобретение относится к технологии вакуумно-дуговой обработки металлов, в частности к производству многослойных лент

Устройство для нанесения в электрическом поле на один из электродов покрытий из материалов в виде порошка (варианты) // 2190040

Изобретение относится к оборудованию для нанесения в электрическом поле покрытий

Износостойкое ионно-плазменное покрытие и способ получения износостойкого ионно-плазменного покрытия на поверхностях пар трения // 2211880

Изобретение относится к области получения функциональных покрытий, стойких к износу, и способам их получения на поверхности изделия и может быть использовано в машиностроении для упрочнения деталей машин и механизмов, изготовления деталей современных высокофорсированных двигателей, нанесения износостойкого покрытия на стержни клапанов и поршневые кольца

Мишень для получения функциональных покрытий и способ ее изготовления // 2305717

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к мишени для получения функциональных покрытий и способу ее изготовления, и может быть использовано в химической, станкоинструментальной промышленности, машиностроении и металлургии

Устройство магнетронного реактивного распыления нитридных, карбидных и карбонитридных покрытий // 2065507

Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме // 2075539

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано, например, при производстве тонкопленочных элементов многокомпонентных материалов, оптических покрытий, теплозащитных покрытий архитектурного стекла и других покрытий для товаров народного потребления на любых металлических, пластмассовых и других основаниях

Устройство для плазменной обработки металлических изделий // 2030484

Изобретение относится к технике газоразрядных устройств и может быть использовано в плазмохимических реакторах

Способ ионной обработки изделий // 1632088

Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т

Устройство для нанесения покрытия на порошки сверхпроводящих соединений // 2556185

Устройство для нанесения покрытия на порошки сверхпроводящих соединений представляет собой вакуумную камеру с дуговым испарителем. Соосно дуговому испарителю установлен лоток для высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) порошка. Между испарителем и лотком на вращающемся гибком электропроводном валу установлены вращающиеся катушка индуктивности и металлический перфорированный диск. Лоток оборудован вибрационным и механическим перемешивателями для порошка. Дуговой испаритель оборудован катодом, а внутренняя поверхность вакуумной камеры и поверхность электропроводного оборудования в ней являются анодом. Вакуумная камера оборудована системой подачи реакционного газа. Техническим результатом изобретения является улучшение квантовых электромагнитных свойств наноразмерных кристаллов покрытия частиц ВТСП-порошка. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.