Импульсный лазер на парах веществ

 

Изобретение относится к обл.&.с.-и квантовой электроники и может бьп ь использовано нри разработке лазеров на парах веществ. Цель - повышение fSl f bi SE f S f - - : частоты сло.п.оваь и.., i-rwiyubcOB генераи увеличенгче уде.чьного энергосъема , И.иульсный лазер на парах ве- iiecT i с накачкой радкальн 1-псперечным .:JOM содаржлт газоразряднуто труб- К} г цилиндри-1ески: {и коаксиалько расположенпы.: i катодог.-; и анодом к схрму пита птк. Рабочее вещество разме1 -;епо либо непосредственно я гтолостк кй т сда, . п спйтдкальных .кераг-п-Е- коптсйиеразс, Испарптел м рабсч-л- ; лем:5стга cjTy: :F-, r катод,, КО О1}НЛ uj;se : Criabra-: дополнител;Ь1- Ь:м :;г ::аватсле;;с Консгрук ;кя лазера о5а::пе Иг ает Еысокз ю еркоэьшсскю iGK роков с кятод.., ггредотвражум-- 1ДУ1У . ок/ Лнзаци о , Побьспепие о::1нород;-к сти разряда позволяет повь;- ) ь частоту следонан;ш и шз льсов .едення до 1С Гц. 3 зль ф-лы w ;|ffi.-3;s .-,

>

>, щ> д, .. -: — -- — .. —..:.-=.,-, -.:.— .. - а ПЯ>=>а>>аа Х »»Ж Р— > > (46) 23.09.92. 5юл. >. 35 (? i) 4088343/25 (22) 14., 04. 86 (71) Институт оптик, атмосфе12ь1 С0

AH СССР (72) B.П.Иеленков„ В.E.Ëðoêoïüев и H.A.Þäèí (53) 621.375.8(088,8) (56) Бабайко Ю.A. и др. Лазерная генерация паров меди в радиально-попер=--:> .r .>

4 Г> >.

Оазряде, Квантова.1 злектрони;-.- „. 1: = 12.

5, 11 10., 2303-2304, Авторское < видетельство СССР

К 3253397, кл. 4 01 S 3/09", >984, (54) ИИПУЛЬСНЫй МЗКР HA ПМ::>Х 8

ЩБС 1 Р (57} Изобретение относится к облас:и квантовой злектро11ики и ыот;ет бь12> использовано при разработке лазеров на Г1 -рак не,ес тв цепь повь1аipH>iB

>> ac 2 От1>1 < ПОДОВ а1> Н1 rВ111>>;1 -СОВ 1- Е1>Е1>.1

1;И1", И .""2e21?1льсн1>1 лазер на парах 1;p.-.

> 1» » >2 дна21ЬЧ вЂ”, "Н> 12ЕН111>1>

2 > >вд Cii >. >-й Л Е12.",01т Га -.Ог>%1 З РЯДН>> В Yp YG

С а11Л11НЦРПЧeCКН>>Н КоаКСИаЛЬНО РаС-

Г!ОЛОУХЕ11111>И . З И Ка2 ОДО> 1 И аН ОДОМ И

Г-:;О11У 11ита ИЯ> Га 2:«1>ee ВЕЩЕСТВО Раэ11е11;;-- .,О:11;бо непо,:.">едственно в полости !

1,"> -,.;-«je, 1».—,2>r п С-.;ЕинаНЬНУУ F Раьп."- ."О, 1- . "" -. °:= L»2»:1 2>: й1> ..ЛН!j Е1;"-.:,- 1>>>>

«о :с 1 ;!y .<.! i. я 11<" з 2а

Q .. >, >-* ..=, аз > P f-1 e; —,,- * > "ЕР1>ео ".> В:О . ">С

Е >. !i r;*".:. r- 1. г . О . >О2ЕДОТ1ЗР Ч;»3-! . 1 1, > > ., >1И > а 21Н r2,» !rВ . „-:1 "r> > ДО а>1 Г>>Е» И1>

;1 > 1>>21 CI! Н. 1: 11 Рe; Г21>>Н а ПОЗ В Л-j e 1 ПОЯ1>> ь 1аст .:- ;- след; ракия и1",пу. -.ь1-.ов

:..:::.-. б.—; —,uò =11ня цс С Г-.::,: 3 з, и, 11 ль1, 1 ;(j1 i > !!

1((1 >1(l( r., .ll>!,, . >, . (Г, >Г»

;1 (1 Г t . . 1 (i

>Г- "Г(>

j > (i1;

> \ 1> 1 (1111

r t

> .} (Г

l) j> !,:, 1j(1 >!1 11. >1 1 ;>

; (1 », ((1 1 i !:.> 1 r> (. (° I l ; . > I j r . >, T : Г! -. j 1 I . > .

1(» >\1 >1 1

; ИГ(.-: i!!;:

r ((((((11(Г.

> Д.(, > 111>:,: 1. r(1,(;! (! (.(.,(, . 1(1! (((((>. 1(> !

, (i!1(", j; 1 » ;1 >1 !!

-. > . !

» " ((> T ri Г >\ 1 „ > Г(» il 1 .1 (">(Г Ге((,(ст(1

;-.1>, -1(Г Г . t(=1>,Г ° 1> р(:1 "(r 1((- >lll 1 ;-,Ã!". "(, j >

tj Д 1.; r!j j > 1;1>!И, -(1> ДГ((1" Г (> )",((- (jr(1

11.1 (> >jr, (,>> 1 7 (r (1 jj (1,!;-.—: j; ltj>(é;= Я,",(; —; 1 (((:1((1ц(1 1 1!1(t ((i,,((", rll >j> . >(Р (i(! i! it Я ГП ((-"1 "1 Г(31(. 1 >(I»; . (- i! i(. - О(1 > ((t OT i3,il Г(((>j j" бС ((Г(.-l,>(>-:(11(1(Е ГС ф(1((,тjj r(, (j (1 j(P;Г(1 1((1;ji (I;3,>>1. 1(Г(((Г((>(1. t!! > 1(,-,Г((ОТИБСГ(СГ„"(- r!:1;; >У. ; (1j! ((.(1(1; > 1 "; (1,;(lj l",((- 1! t, ",Г> Г(i ((Bi \;L>(jB.. РГ(((,, ,;.Г;: (Г,; - j1;; .; .; (-; 1! .1(- . (1((т,(((((,1 1;1 -",:-..-- л >- (111(Г1(; . Г(; 1.(>

" >Гт, 1",>

1- 1: - ;, -..., "(1 (- (1(Гт."л(> 13-1, (> >

> (l

1 1

:) (;!Ì ЦО)101(НИТЕРЛЬ!(i )! . НС! <) 11<НК IIИТЛН((Я

3л()1)(Ie!1 nт f)!«!enyo!:()льтн<)1 п и ..»п<г<(b<<3

If(i)1<71< T1f f))(h i. I)hex ()доh» P Я з 1)Я з) !На«)(1(Р Гo филь", рл, дроссепсм 10 H»1!(дуктин— иост),)л 8. 1<Оаксие(н .ное раcf103(n>»

Дття новы(пения температуры катода, при использовании низковольтных источи и(«0 в то)«я для Р Г 0 ня Гp е 13G, ПРлс—

Гооб()<1 <1(0 !)л <«(е)(.,<-ч<,е DO(<0!1!()(Те{!ьноГ )

П Р ОТ Я )< Р 1! 1{ О Г Г) О" < 1{я C 1(О Г Э и Л Г Р < Д Я Т Р Я

1{« i) полости катода, изолировянногo от его стенок и олятором 17. Дополнительный нлгр(!ватель I3 этом слу<(fle

ПОДК f!n 1<)(ТСЛ К :(С ТОЧПИК Пита kf((H ) (

ДОм что о )есттечиг lет PI 0 э<1)фР(<т1(в ный нлгpe !3 и рлвн(омерное рас:-.ре (елеЦ IP )1 Л() Е) (3 ПО ДЛ(I (fe ГЛ-3 ОРЯ з P «G)f0 (< т p ":!) к H 3 фф к т 1 < 3 н а я < 3 O.л Я 1< 1! я к P т 0 да от пополнитепьного нагрет)атеяf! !1 высокая нлдеж((ость лазера достиглстсл

i(PH 13ЫПO!1!(e I IHH К Я ТОД<«< ИЗ ПОР ИС TOI O

ТУ! ОП((Я DKOГО i!

Конструкция импульсного лазера на п{1рлх в(п(Рств с )3

TePM0Sh{HCCII ЭЛРКТРОНОВ С К<1TO!(r);. предо)твряцл)с).ту!<) Нокализац(3)3 разряда. и позволяет за с (ет формирования î;»НОPOÄIIOI 0 PЛЗР<{ДЯ ВДОЛЬ КЯТОДЯ ГЯЗÎ раз<3ядной Tpg ".)Kff повысить частОт«, следования имп-„. пьсов возбу)кое){иs; цо

<)

10 Гц< при э -01! Teмпература коля-. м

СнаЛЬНОГО Катала ДОСтИГI(rÅeò ?2 ." .Г:) концен "p

Н«П) HI (PP МЕДИ, ПОБЫ()(ЯЕТC!1 ДО» (3 СР!

При незатзис)тмой оптимизации пярямстрОВ 13М)Г<<т(ЬСОВ )30 3 бу)К()Е<{lf!I р. 360<1(i Q веl »pcтт3я< и температуры кл тол< воз«)ожHo c< иесколькo;.)аз повь(ситL энерге1тические характеристики ла,epa, при этом величи; а э(3ергосьет(а достигаЕ T ) <.! МК ДЖ / С Ь!

Ф <3 р 1{ у л л и з о б р е т е и н я

1 < !)мпульс(!ый лазер на )!арля леЩРСТР), СОДЕP

",) n !< p < 3 «» p (1! н р п 3 . « (« ч Р « !< p

ИГ то<, н)»1 цитат» ил . Г) к (nч <3!n !)if! i < .<«- << р. ноль < н! (11 Г<(«(т)Р > <» T<.;1,, Г п (1 !Ic! !,1<1) ) с ян(Inh« vрез (с-Ii(3;)p

В«Х 03(К(Kn TO DO{ 0 0 «)< <))<)ЧЕ Н(<1 К,)(«тт)

ЗЯРЯДКИ И ЯНОДУ, (НДУКтт((31!OC TI., !»РД1() кл(n<3å({HóK) и !(eòo!I и аноду, допо .— ! (lттел1,н1, H нс тон<<и!« II!IT а ц»<я, нь<1< с анОдОм н чР,) с 3 (!poc c (3,c т< Г 1«

)3)) з(«(в л)О()(им (1)ип(!тром < ин«I « 1«т ()31(1:1 i и емкостной выходы которого полк<Па(сны тг, c0(Т<3е TcT13ef(HO к катод(и c3(:"cä; „

Я !(Ц Й С Я ТЕ)<, -(то

r с 1(елт

111»п) -I!-co!) Гснерлнии H уве<;ич.-",(fq

УДЕЛЬНОГО 3:(Р1 )С(ЬЕМЯ ЯНОД В(<Н(P<)Нее(<

<Ï I! В НД Е П ) О Т !Тж <(и Н О Г 0 и 0 Л< О Г С Д) !1 f! ) i;I P 3 . катод выно:! не н в с«!.(33e протя)1;е н:. о, 0 полого )II .ëHI(äpf<<(ecKOã0 омического нлгрсвлте 111. с(сквсзнь(«(и Отверст :я!

i;-енклх,, 1 аз".(P()(pH;{О» 0 в по;10« — „-,;

7!);l 1! n;!," в д р JI )- г 0 0 c H р а б 0 <.1 е е 13 С;,1 е c во 1)лз. »е(т(е:-:о; полости като()а, (р(.:

<«Р< <(н "(р ), т(< ч<(< 1 i Dh)«(0;) <3 а «т)» <3

I;;e 0;и-

:.),, «(,ep 1.0 и, ;, о т л и, л in ((!) !i (я т(Р»»то n)i < (3,ерж)!1 )н

)1)1)П<<<011 «<(<. Ий (-<ЕРЛР«; XI! KH;< 1< ОН.(e: I«т-, ЗЛКРК! f!: ÌИ() 0;",;Л. Н!, 3 «(«(;0<(,(-. .

Тода „!

<«!(;-)зер 0 и- 1 О, . »(, л (с — <«.«("-I (< C<;: C <- -; " п(3{п)ите:п,ны)< I.p ò:-„ксни(H;(,3 »1 ) <.к)<::: то:-, co стог.-.:i! .;:()0",ef< . .; Or ..:. !н:5С)

pII и- инду)(-,П-...-=OC —,;, Hnдк< )c»e))„,. к

T И Г О, 10.<(Р)Г«Н Ь (;«(К 0 < (1; e h; Д О (333 (,!! Cf П Ь < на< ревятеля л p-.-бо ее вез)еств() ьь

Г)<я."(- : * О и: О т л = » .- <лЦ И i С 5< ТРРf, то КЯТОД r;h! —,.- .;;;;; из 1(npHc : )Г ) <:1 3тт<)явку(о Р<яте. < °смач< -ле,(ого -«лбоч;;«! Нe ;e(- T«;«h< тро 3)гглн рлооч,—.. . "-:,;(«ство.

l (/

:!

P. 3

i ( у ( (j1

& С с

Составитель Б.Иванов

Техред H.Сердюкова Корректор Л.Пилипенко

Редактор И.Каменская

Прок:. . ственпо-полиграфическое предприятие„ г. Укгдрод, ул. Проектная, .- аказ 40о8 Тира Подписное

ВНИ1ГИ Государственного комитета по ивобрет;=HHRN и oòêðûòèÿì при ГКНТ СССР

1i3035, Иосква, Ж-35, Раупская наб,, 4/5

Импульсный лазер на парах веществ Импульсный лазер на парах веществ Импульсный лазер на парах веществ Импульсный лазер на парах веществ Импульсный лазер на парах веществ 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при конструировании газовых лазеров на парах химических элементов с полым катодом

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при конструировании газовых лазеров на парах химических элементов

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве лазеров непрерывного действия на парах металлов

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке лазеров на парах химических элементов

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к лазерам на парах металлов

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке лазеров на парах металлов и их соединений для целей медицины, микроэлектронных технологий, навигации, научных исследований, зондирования атмосферы

Изобретение относится к квантовой электротехнике и может быть использовано в качестве схемы возбуждения лазеров на парах металлов

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для создания и поддержания требуемой концентрации галогеноводорода в активной области газоразрядной трубки

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке активных элементов лазеров на парах галогенидов металлов, например, бромида меди

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке источников света на парах металлов, в частности лазеров на самоограниченных переходах
Наверх