Стекло
Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности, для изготовления конденсаторных паст по толстопленочной технологии. С целью повьшения диэлектрической проницаемости и коэффициента термического расширения стекло содержит, мас.%: SiOt 5,14-5,33; 8,93-12,35; РЬО 9,54-9,90; MoOj 6,15-6,39; Al.,0.. 4,36-9,05; CdO 56,98-65,88. Синтез стекол осуществляют в обычных условиях при . Полученные стекла отличаются высокими электрофизическими характеристиками и химической устойчивостью: tg (26-30) 10 10,7-12, 1 гидролитический класс, g 2 табл. (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
„„SU„„ I 446121 (51)4 С 03 С 3/074
ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО.ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ опиолник изоБркткни
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ". --4 (2l ) 424 1 191/26-33 (22) 1!.05.87 (46) 23,12 ° 88. Бюл. Ф 47 (71) Минский радиотехнический институт и Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР (72) И.Л.Раков, Н.П.Соловей, А.П.Молочко и А.И.Акимов (53) 666 ° 112 ° 9(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
Ф 1169951, кл. С 03 С 3/066, 1985.
Авторское свидетельство СССР
Ф 1186591, кл, С 03 С 3/074, 1983. (54) СТЕКЛО (57) Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности, для изготовления конденсаторных паст по толстопленочной технологии. С целью повышения диэлектрической проницаемости и коэффициента термического расширения стекло содержит, мас.%:
SiOz 5,14-5,33; В Оз 8,93-12,35;
PbO 9,54-9,90; МоО 6,15-6,39; А10
4,36-9,05; CdO 56,98-65,88. Синтез стекол осуществляют в обычных условиях при 1250+10 С. Полученные стекла отличаются высокими электрофизическими характеристиками и химической устойчивостью: tg = (26-30} 10 4;
Е = 10,7-12, 1 гидролитический класс. ф
2 табл.
1446121
Таблица 1
Содержание компонентов, мас.X в составе
Компоненты, 2 3
5,14
SiOg
5,27
5,33
1235 12 21
8,93
В103
9,79 9,54
9,90
РЬО
6,15
6,31
6,39
No03
4,36
4,47
9,05
А1 0
61,95 65,;- r
56,98
CdО
Изобретение касается производства легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторных паст.
Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости и коэффициента термического расширения.
Стекло получают следующим образом. 10
При составлении шихт используют сырьевые материалы марки ч., х.ч,, ч.д.а. Стекла варят в электрической печи при 1250+-10 С. Выработку стекломассы осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления образцов, необходимых для исследования физикохимических свойств.
В табл. 1 приведены составы пред- 2О лагаемых стекол, а их физико-химические свойства приведены в табл. 2.
Стекло обладает хорошими технологическими свойствами, не кристаллизуется при выработке. 25
Предлагаемое стекло обладает повышенными значениями диэлектрической проницаемости, что дает основание использовать его при изготовлении конденсаторных паст, поскольку ем 30 .;ость конденсат ра пропорциональна диэлектрической проницаемости. В то, же время стекло обладает высокими изоляционными свойствами даже при повышенных температурах, что является неотъемлемым свойством диэлектрика; не содержит легкоподвнжных щелочных компонентов.
Повышенные значения ТКЛР предлагаемых стекол позволяют получить более надежную композицию их с керамикой, причем оно обладает хорошей адгезией к керамике. Кроме того, стекло отличается высокой химической устойчивостью, что дает основание использовать его в иэделиях, работающих в условиях повышенной влажности окружающей среды. Полученные на его основе конденсаторные композиции отличаются низкой температурой спекания при сохранении высоких электрофизических характеристик. формула изобретения
Стекло, включающее СЙО, РЬО, МоО»
В Оз, Я О, А1 0, о т л и ч ающ е е с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и коэффициента термического расширения, оно содержит указанные ингредиенты в следующем соотношении, мас.Ж:
Si0 5,14-5,33
В О 8,93-12,35
РЬО 9,54 — 9,90
Мо03 6 15-6,39
Al 0 ) 4,36-9,05
CdO 56,98-65,RR
1446121
Таблица 2
Свойства
Состав
KTP 10, град 73
2,47 -10 1 1 10 9 10
tgd 10
29
10 7
11,2
12,0
Не крис- Поверталли- хностзуется ная пленка
Составитель О. Самохина
Техред 31.Олийнык Корректор А. Обручар
Редактор Н. Рогулич.Заказ 6702/28
Тираж 425 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Температура начала размягчения, С . 515
Удельное электрическое сопротивление при
400 С, Ом-см
Химическая устойчивость (гидролитический класс) Диэлектрические свойства при
20оС и f = 10 Гц:
Устойчивость к Не кристаллизации криспри термической таллиобработке в ин- зуется тервале 900-1000 С
517 515
73,8 74
