Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы

 

Изобретение относится к технологии получения моногидрата декстрозы . Цель изобретения заключается в повышении выхода глюкозы. Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы предусматривает введение сиропа, содержащего по крайней мере 55% сухих веществ и 60% глюкозы, в верхнюю часть вертикального или наклонного кристаллизатора, введение В сироп кристаллов, .перемещение кристалломассы сверху вниз емкости при одновременном снижении температуры ее и перемешивании и вывод готового утфеля из зоны кристаллизатора . В качестве затравки используют кристалломассу в количестве 10-40% от объема исходного сиропа, отбираемую из зоны кристаллизации, расположенной по крайней мере на 1/6 общей длины от ее начала и конца , и рециркулируют эту массу на начало зоны кристаллизации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. СО

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 С 13 К 1/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К llATEHTY

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3817591/30-13 (22) 16.11.84 (31) 8318318 (32) 17.11.83 (33) РК (46) 15.01.89. Бюл. № 2 .(71) Рокетт Фрэр (FR) (72) Жильбер Бодель, Пьеррик Дюфло, Бернар Валентэн и Мишель 10шетт (FR) (53) 664.162.065(088.8) (56) Патент Англии ¹ 1210512, кл. С 6 В, 1970.

Патент США № 4357172„кл.127-60, 1982. (54) СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОГО ПОЛУЧЕНИЯ

МОНОГИДРАТА ДЕКСТРЧЗЫ (57) Изобретение относится к технологии получения моногидрата декстрозы. Цель изобретения заключается в повышении выхода глюкозы. Способ не„.SU „„1452485 А 3 прерывного получения моно гидрата декстрозы предусматривает введение сиропа, содержащего по крайней мере

557 сухих веществ и 60Х глюкозы, в верхнюю часть вертикального или наклонного кристаллизатора, введение .в сироп кристаллов, перемещение кристалломассы сверху вниз емкости при одновременном снижении температуры ее и перемешивании и вывод готового утфеля из зоны кристаллизатора. В качестве затравки используют кристалломассу в количестве

1О-40Х от объема исходного сиропа, отбираемую из зоны кристаллизации, расположенной по крайней мере на

1/6 общей длины от ее начала и конца, и рециркулируют эту массу на начало зоны кристаллизации. 1 э.п. ф-лы, 1 ил.

1452485

Изобретение относится к технологии получения-моногидрата декстроэы.

Цель изобретения — повьппение выхода глюкозы.

На чертеже изображена технологи5 ческая схема осуществления способа.

В качестве исходного материала используют сиропы глюкозы, получен,ные кислотным гидролиэом и/или фер ментативным гидролиэом крахмала имеющие содержание сухих веществ, около 55-85 вес.%, причем глюкоза

,составляет по крайней мере 607. и предпочтительно выше 90 вес.X в

;расчете на сухие вещества сиропа, Этот концентрированный сироп по, дают по трубопроводу 1 в вертикаль ный или наклонный кристаллизатор 2,, в котором он перемещается при помо,, щи лопастей 3, укрепленных на валу, 4, непрерывно сверху вниз. Внутри кристаллизатора 1 установлены охлаждающие элементы 5 для обеспечения необходимой температуры в зоне кристаллизации.

Температуру сиропа доводят или поддерживают в момент его введения в зону кристаллизации в интервале 30о о

70 С, предпочтительно при 35-55 С и на практике она близка к 40 — 50 С.

Температурный градиент, устанавливающийся в зоне кристаллизации в подвергаемой кристаллизации массе, 1 о соответствует понижению 0 5-5 С предо 35 почтительно 2-4 С на линейный метр ,,зоны кристаллизации и такой, чтобы на выходе из указанной зоны в точке, размещенной вблизи нижнего ее конца, масса подвергаемая кристаллизации, которая включает сироп, первоначально имеющиеся кристаллы и кристаллы, образованные в процессе кристаллизации, была доведена до температуры, нахоо дящейся в интервале 15-40 С пре,то45 чтительно 20-30 С.

По мере того, как масса, подвергающаяся кристаллизации, приближается к нижнему концу зоны кристаллизации, она обогащается кристалла5G ми моногидратной декстрозы, причем указанная масса на выходе из зоны образует утфельную массу.

На промежуточном уровне зоны кристаллизации, отстоящем от ее концов по крайней иере на 1/6 от всей ее длины, отбирают фракцию подвергаемой кристаллизации массы, которую рециркулируют по трубопроводу 6 на начало зоны кристаллизации.

Репиркулируемая фракция составляет по объему 10-407, предпочтительно 25-357. от объема сиропа глюкозы, загружаемого в зону кристаллизации.

° Количество загружаемого сиропа глюкозы выбирают таким образом,чтобы среднее время пребывания,статистическое или теоретическое, массы, подвергаемой кристаллизации в зоне кристаллизации, составляло 10-40 ч предпочтительно 20-30 ч. Предпочтительная величина загрузки зависит от теплообменных свойств средств, составляющих зону кристаллизации, с помощью которых устанавливается внутри указанной зоны в массе, подвергаемой кристаллизации понижающийся градиент температуры.

Промежуточный уровень, на котором реализуется отбор подвергнутой кристаллизации фракции, предназначенной для рециркуляции, отстоит от концов зоны кристаллизации по крайней мере на четверть всей ее длины и практически порядка по крайней мере двух пятых всей длины указанной зоны.

Вязкость массы, подвергнутой кристаллизации, увеличивается по мере того как возрастает доля кристаллов многогидратной декстрозы, т.е. в направлении понижения температуры, является причиной того, что зона кристаллизации снабжена средством для транспортировки рециркулируемой массы (не показано)

С другой стороны лопасти 3 должны быть установлены таким образом, чтобы были устранены "мертвые" зоны и чтобы теплообмен между подвергаемой кристаллизации массой и охлаждающими элементами 5 был в целом турбулентного типа.

Утфель, включающий кристаллы моногидратнс и декстроэы с гранулометрическим спектром, отличающимся незначительной долей мелких и крупных кристаллов, и следовательно, большой долей кристаллов промежуточного размера, удаляют из зоны кристаллиза— ции по трубопроводу 7.

Пример 1. Используют устройство, включающее цилиндрическую камеру с полезным объемом 48 м при

Ь высоте 8 м. В эту камеру с расходом

1,8 м вводят сироп глюкозы 6 с соI4 24H5 держанием сухих веществ 74Х и включающий 94 вес.% сухого вещества глюкозы, причем остальные 6Х образовань! полисахаридами. Температура сиропа

5 на входе в камеру составляет около

50 С. Одновременно рециркулируют с расходом 0,5 м /ч фракцию кристалломассы, отбираемую на среднем уровне камеры. 1О

Продолжительность среднего про— хождения внутри камеры данной фракции массы, подвергаемой кристаллизации, составляет около 25 ч.

Утфельная масса, извлекаемая на уровне нижней части кристаллизатора, находится при температуре, близкой к

25ОС, причем в целом уменьшающийся сверху вниз температурный градиент соответствует примерно 3,2 С на 1 м. о

Содержание в глюкозе гидролов, извлекаемых после отделения кристаллов моногидратной декстрозы, составляет 84Х в расчете на сухие вещества, остальное до 100Х образовано поли- 25 сахаридами.

Выход кристаллов определяется формулой

А — Н

r I

100 — Н

30 где А — содержание глюкозы в загружаемом сиропе, Н вЂ” содержание гидрола, составляющего 62,5Х.

В 1 день получают 26,6 т моногид- 35 ратной декстрозы, ято соответствует производительности 0,55 т в 1 день на м камеры.

Этот результат близок к таковому, который получают во время кристаллизации того же самого сиропа глюкозы в горизонтальном реакторе, произвоI дительность которого устанавливается равной 0,3 т на м камеры в 1 день.

Процесс протекает без нарушения параметров процесса кристаллизации.

Получаемые после центрифугирования и клерования кристаллы обладают отличными физическими и химическими свойствами.

Эти кристаллы имеют чистоту 99,5%., высота слоя их стока хорошая и их гранулометрический состав следующий, мк, %: кристаллы размером более 100

38 кристаллы размером

60- 80 к рис т аллы раз ме ром

80-100 18

Пример 2 ° Аналогично примеру 1 используют установку, содержащую цилиндрическую камеру с полезным объемом 48 мз и высотой 8 м.

В укаэанную камеру вводят с расходом

1,8 м /ч сироп глюкозы с содержанием

Э сухих веществ 74Х, в которых глюкоза составляет 94 вес.Х, а оставщиеся

6% составляют полисахариды. Температуры сиропа на входе камеры составляет около 50 С °

Как и в примере 1 рециркулируют с расходом 0,5 мз/ч фракцию кристаллизующейся массы, отобранной на примерно срединном уровне камеры.

Продолжительность среднего прохождения внутри камеры заданной фракции, подвергшейся кристаллизации массы, составляет около 25 ч.

Утфель, выгружаемый из нижней части кристаллизатора, имеет темпео ратуру около 25 С, при этом температурный градиент, в основном уменьшающийся сверху вниз, соответствует примерно 3,2 С на 1 м.

Содержание глюкозы в оттеках, собранных после отделения кристаллов моногидратной декстроэы, составляет

1,84Х, а остальное до 100% составляют полисахариды. Кроме того, коэффициент кристаллизации является таким же, как и коэффициент, определенный в примере 1.

По истечении определенного числа часов работы и в противоположность условиям, указанным в примере I рециркулированная фракция больше не отбирается на промежуточном уровне, а наоборот в точке камеры, расположенной на последней шестой части ее общей высоты. В этом случае происходчт быстрое изменение параметров кристаллизации, которое по истечении нескольких дней выражается в плохом отделении на центрифугах и приводит к необходимости остановки установки и удаления содержащейся в ней массы

Это нарушение работы является результатом того, что гранулометрия полученного продукта становится слишком тонкой и слишком гетерогенной до такой степени, что отбор становится невозможньм.

1452485

Фо рмул а из о 6 р е т е н и я

Составитель Г: Лошкарева

Техред Л.Сердюкова

Редактор Ю. Середа

Корректор М.. !емчик

Тираж 313.ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 7095/58

Подписи е

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4!. Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы, предусматривающий введение сиропа, содержащего по крайней мере 55Х сухих веществ и

607 глюкозы, в верхнюю часть вертикального или наклонного кристаллизатора, введение в сироп затравки кристаллов, перемещение кристалломассы сверху вниз емкости при одновременном снижении температуры ее и перемешивании и вывод готового утфеля из зоны кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода глюкозы, в качестве затравки используют кристалломассу в количестве 10-407 от объема исходного

В сиропа, отбираемую из эоны кристаллизации, расположенной по крайней мере на 1/6 общей длины от ее начала и конца, и рециркулируют зту массу на начало зоны кристаллизации.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю шийся тем, что количество отбираемой кристалломассы составляет 2535Х от объема исходного сирона.

Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы Способ непрерывного получения моногидрата декстрозы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения углеводов из растительного сырья

Изобретение относится к технологии получения сахаристых веществ, в частности глюкозы
Изобретение относится к крахмалопаточной промышленности

Изобретение относится к крахмалопаточной промышленности, в частности к технологии получения кристаллической глюкозы
Изобретение относится к технологии получения сахаристых веществ, в частности, глюкозы пищевого или фармакопейного назначения. Способ получения кристаллической ангидридной глюкозы предусматривает получение сиропа, выпаривание сиропа и его подачу в кристаллизатор, заводку зародышей кристаллов в сиропе и наращивание кристаллической массы при охлаждении утфеля, центрифугирование утфеля для отделения и промывки кристаллов от межкристальной жидкости, сушку кристаллов. Заводку зародышей кристаллов проводят в выпарном аппарате при концентрации сиропа СВ 82-83%. Кристаллы ангидридной глюкозы добавляют в количестве 10-15 г на 1 т сиропа. Закрепление образовавшихся зародышей кристаллов в выпарном аппарате ведут до содержания СВ утфеля 84-85%. После чего утфель сливают в кристаллизатор. В кристаллизаторе проводят наращивание кристаллической массы при охлаждении утфеля от 77-80°C до 45-50°C в течение 6-10 ч. Изобретение позволяет значительно сократить продолжительность процесса кристаллизации, повысить выход кристаллов из утфеля, улучшить качество кристаллов по степени однородности и чистоте. 1 пр.
Наверх