Формирователь тока хранения

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для построения микросхем,памяти. Цель изобретения - повышение надежности формирователя тока хранения. Поставленная цель достигается тем, что формирователь содержит элемент смещения, дифференциальный усилитель, эталонный элемент памяти, нагрузочные элементы 14, 15, блок 16 управления эталонн ым элементом памяти с соответствующими связями. Неустойчивость эталонного элемента памяти приводит к повышению напряжения на коллекторе транзистора 10, которое поступает на вход дифференциального усилителя, с выхода которого через элемент смещения передается на токозадающий элемент. В результате токозадающий элемент дает на выходе ток, зависящий от реального разброса коэффициентов усиления транзисторов элементов памяти 2 ил. (g (О

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

44 А1 (19) (11) . (51}4 G 11 С 7 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4270847/24-24 (22) 13.04.87 (46) 23.01.89. Бюл. У 3 (72) М.О. Ботвиник, С.Л. Лавров и M.Ï. Сахаров (53) 681.327.6 (088.8) (56) Микросхема памяти КМ185РУ7 (электрическая принципиальная схема

ПГФМ3.487.067 33).

Валиев К.А., Орликовский А.А., Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. — M. Сов . радио, 1979, с. 118, рис. 4.26. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЪ ТОКА ХРАНЕНИЯ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для построения микросхем, памяти.

Цель изобретения — повышение надежнос ти формиров ателя тока хранения .

Поставленная цель достигается тем, что формирователь содержит элемент смещения, дифференциальный усилитель, эталонный элемент памяти, нагрузочные элементы 14, 15, блок 16 управления эталонным элементом памяти с соответствующими связями. Неустойчивость эталонного элемента памяти приводит к повышению напряжения на коллекторе транзистора 10, которое поступает на вход дифференциального усилителя, с выхода которого через элемент смещения передается на токозадающий элемент. В результате токозадающий элемент дает на выходе ток, зависящий от реального разброса коэффициентов усиления транзисторов элементов памяти, 2 ил.

1453444

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для построения микросхем памяти.

Цель изобретения — повышение надежности .формирователя.

На фиг. 1 представлена электрнчес" кая схема формирователя со строкой элементов памяти, на которые он работает; на фиг. 2 — схема блока упра10 вления .эталонным элементом памяти.

Формирователь тока хранения содержит токозадающий элемент на транзисторе 1 и резисторе 2, элемент смещения на транзисторе 3, резисторе

4 и генераторе 5 тока, дифференциальный усилитель, состоящий из генератора . 6 тока, транзисторов 7 и 8, резистора 9, эталонный элемент памя- ти, состоящий из запоминающих тран, зисторов 10 и 11„ нормирующего транзистора 12, генератора 13 тока; нагрузочные элементы 14 и 15, блок 16 управления эталонным элементом памяти, состоящий из. трех источников

17-19 опорного напряжения, опорные входы 20 и 21, вход 22 выборки.

Формирователь работает следующим образом.

Ток через элементы памяти одной строки, протекающий по цепи: словар" ная шина, элемент памяти, шина хранения, транзистор 1, резистор 2, общая шина, зависит от напряжения на базе транзистора 1,. Резистор 4 и генератор 5 тока вместе с резистором 9 и генератором 6 тока определяют напряжение базы транзистора 1 и, тем самым, исходный ток хранения элементов памяти одной строки. Следовательно, напряжение на. коллекторе

40 транзистора 8 определяет величину выходного тока формирователя.

Принцип управления током хранения строки заключается в управлении напряжением на коллекторе транзистора 8

45 дифференциального каскада путем сравнения напряжения опорного источника

20 напряжения и напряжения на коллекторе транзистора 10 эталбнного элемента памяти, Транзисторы 10 и,Z образуют плечо элемента, имеющее коэффициент передачи тока, равный 1, и имитируют неустойчивость элементов памяти строки, в которой имеются элементы памяти с асимметричными коэффициентами усиления транзисторных структур. Неустойчивость эталонного элемента выражается в повышении напряжения на коллекторе транзистора

10, что приводит к увелич е нию тока хранения строки элементов памяти, повышает их устойчивость. Блок 16 управления эталонным элементом предназначен для периодического установления ее в состояние, при котором транз ис тор 10 отк рыт .

В предлагаемом примере изложен. один из случаев создания асимметрии по величине коэффициента усиления транзисторных структур, входящих в эталонный элемент памяти.,В общем случае коэффициент передачи. тока неустойчивого плеча может быть выбран произвольно и в соответствии с фактическим технологическим разбросом коэффициентов усиления. Следовательно, ток хранения статических элемен-. тов памяти строки выбирается в зависимости от фактического уровня технологии.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Формирователь тока хранения, содержащий токозадающий элемент, состоящий из транзистора, коллектор которого является выходом формирователя и резистора, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала. формирователя, а второй вывод соединен с эмиттером транзистора, о т— л и ч а ю шийся, тем, что, с целью повышения надежности формирователя, он содержит элемент смещения, состоящий из транзистора, резистора и генератора тока, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала формирователя, второй вывод соединен с базой транзистора токозадающего элемента и с первым выводом резистора элемента смещения, второй вывод которого соединен,с эмиттером транзистора элемента смещения,-коллектор которого подключен к шине питания формирователя, дифференциальный усилитель, вькод которого соединен с базой транзистора элемента смещения, а пе рвый вход является первым опорным входом формирователя, эталонный элемент памяти, состоящий иэ двух запоминающих транзисторов, коллекторы и базы которых соединены перекрестными связями, нормирующего транзистора, коллектор и база которого соединены с базой первого запоминающего транзистора, коллектор ко " торого соединен с вторым входом диф1453444

Составитель С. Королев

Техред К.Дидык

Корректор А. -Ворович

Редактор С ° Патрушева

Заказ 7290/48 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул. Проектная, 4 ференциального усилителя, генератора тока, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала формирователя, а второй вывод соединен с первыми эмиттерами запоминающих транзисторов и эмиттером нормирующего транзистора, два нагрузочных элемента, первые выводы которых соединены и являются вторым опорным входом формирователя, а вторые выводы соединены с коллекторами первого и второго запоминающих транзисторов эталонного элемента памяти соответственно, блок управления эталонным элементом памяти, вход которого, является входом выборки формирователя, а выходы соединены с вторыми эмиттерами первого и второго запоминаксцих транзисторов эталонного элемента памяти соответственно.