Пьезоэлектрический керамический материал

 

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам с высокой температурой фазового перехода и-может быть использовано в электронной и радиотехнической промьшшенности в качестве преобразователей, работающих в широком диапазоне температур. С целью повышения механической добротности и снижения диэлектрической проницаемости , температур синтеза и спекания пьезоэлектрический керамический материал содержит, мас.%: Сг,0j0,01- 0,20; 1,71-2,73; остальное. Материал имеет плотность

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„80„„1458356

А1 ю0 4 С 04 В 35/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЬ1Й НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

H A BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4174339/31-33 (22) 01. 12.86 (46) 15.02.89. Бюп. К 6 (71) Рижский политехнический институт им. А. Я . Пел ьше (72) 3. П. 11 овикова, Т. К. Кутузова, Э.Ж.Фрейденфельд и О.Т.Циновскис (53) 666.655(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N - 1154247, кл. С 04 В 35/46, 1985.

Авторское свидетельство СССР

Ф 789458, кл, С 04 В 35/00, 1980. (54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИИ

МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к пьезокерамическим материалам с высокой температурой фазового перехода и.может быть использовано в электронной

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам, имеющим высокую температуру фазового перехода,и может быть использовано в электронной и радиотехнической промышленности в качестве преобразователей, работающих в HIHpoKQM диапазоне температур.

Цель изобретения — повышение механической добротности и снижение диэлектрической проницаемости.

Материал получают по следующей технологии. Смешивание и измельчение проводят в яшмовом барабане в течение 20 ч в среде изопропилового спирта. Соединения CaBi

Bi NO получают из оксидов СаО, Bi 0

TiO, Сг 03-марки "чда . Высушенные шихты под давлением.800 кг/см прессуют в брикеты d = 30 мм. Синтез и радиотехнической промышленности з качестве преобразователей, работающих в широком диапазоне температур.

С целью повышения механической добротности и снижения диэлектрической проницаемости, температур синтеза и спекания пьезоэлектрический керамический материал содержит, мас.Х: Cr 0 q 0,010,20; Вi УО 1,71-2,73; CaBi+Ti„0«остальное. Материал имеет плотность (6,39-6,41) г/см, диэлектрическую проницаемость 115-121, диэлектричес кие потери tg d 0,0023-0,0042, nbesoмодуль d . (14,0-16,1)х10 Кл/Н, механическую добротность g. 3490-5230, температуру Кюри 865-875 0 температуру синтеза 820 С и температуру спекания 1080-1100 С ° 2 табл °

СаВ - Т О «проводят при 780 С 2 ч, Bi MOq — при 700 С 2 ч. Затем измельченный материал .смешивают согласно формуле. Высушенную смесь подвергают вторичному синтезу при 820 С вЂ” 2 ч.

Затем измельченный и высушенный материал прессуют в диски d 12 мм, t

2 мм. Обжиг в зависимости от химического состава проводят при 10801100 С 1 ч.

Электроды для измерения электрофизических свойств наносят вакуумным

I напыпением алюминия. Поляризацию проводят в полисилоксановом масле при

150 С и напряженности 5 кВ/мм i ч.

Составы материалов и их электрофизические характеристики приведены в табл . 1 и 2 соответственно,, 1458356

Формула изобретения

Та бли ца

Содержание, мас.Х

Состав

CaBi4Т1 О is Сг О у Bi M0g

98,27

97,62

97,07

98, 24

Таблица 2

Состав (I 1 I

Параметры

3 4 Известный

1 2

6, 39 6,41 6,43 6,39

Плотность у, г/см

Диэлектрическая проницаемость E

115 120 123-167

121 118

Диэлектрические потери tgd, %

0,23. 0,37 . 0,42 0,24 0,40-1,5

Пьезомодуль d у10

12

Кл/Н

14,0 16, 1 15,8 14,2 5,5-15,0

Иеханическая добротность,g

5230 3817 3490 4013 3120

865 865 875 865

Температура Кюри, С

Температура синтеза, С

820 820 820 820 900 .

Температура спеоС

1100 1080 1080 1090 1160

Заказ 322/27 Тираж 589

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Б-35, Раушская наб., д. 4/5

Произнодственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул . Проектная, 4

Пьезоэлектрический керамический материал, включающий CaBi

Crlo9 0,0 1-0,20

В УО 1,71-2,73

СаВз., Ти. О 1

Остальное 15

Составитель Л.Косяченко

Редактор А.Огар ТехредM.дндык Корректор И.Иуска

0,01 1) 72

0,20 2, 18

0,20 2,73 .0,05 1,71

Пьезоэлектрический керамический материал Пьезоэлектрический керамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для изготовления керамических фильтров для интегральных схем

Изобретение относится к пьезоэлектрическим керамическим материалам , которые предназначены для изготовления пьезоэлементов для вибропреобразователей специального назначения , работающих при температуре до 500°С, и могут найти применение в приборостроении, акустике, ультразвуковой и фильтровой технике

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам с высокой температурой Кюри

Изобретение относится к электронной технике и может найти применение при изготовлении высокотемпературных фильтров частоты, акселерометров и другой датчиковой техники из керамики на основе титаната висмута

Изобретение относится к высокотемпературным материалам для пьезотехники

Изобретение относится к электронной технике - к способам изготовления пьезокерамики и пьезокерамических элементов, используемых в высокотемпературных датчиках

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для изготовления керамических фильтров для интегральных схем

Изобретение относится к области пьезотехники и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам шихты керамических диэлектриков , и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Изобретение относится к области керамических материалов, используемых в радиоэлектронной технике в диапазоне сверхвысоких частот, в частности в качестве активирующего диэлектрика в феррито-керамических устройствах (фазовращателях и т.п.)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов с повьшенной удельной емкостью
Изобретение относится к области радиофизики и может быть в частности использовано при изготовлении широкого класса электронных приборов и компонентов, в частности управляемых электрическим полем диэлектрических резонаторов и фильтров, управляемых конденсаторов, антенн, а также в ускорителях ядерных частиц
Наверх