Способ измерения относительного распределения плотности мощности оптического излучения

 

СО ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЩЕЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (l9) S (ll) (51) 5; О 01 J 5/18

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОВРЕТЕНИЯМ И ОТКРЦТИЯМ

ЛРИ ПСНТ СССР

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1=-" —.

К ABl"ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, (46) 07.03,93.6юл. М9 (21) 4090118/25 (22) 09.07.86 (72) А.В.Гектин, В.А.Ульянов и Н.В.Ширан чтобы обеспечить визуально наблюдаемое изменение окраски.

Затем пластину устанавливают в пучок измеряемого излучения, В результате нагрева пластины частью мощности излучения, поглощенной ею, 1 1 происходит локальное обесцвечивание (© пластины, пропорциональное плотности ф мощности излучения. Распределение . Qq степени обесцвечивания измеряется, например, методами денситометрии.

Пример.

Пластину толщиной 3 мм, выколотую,фЭ по спайности из монокристалла NaC1, подвергают гамма-облучению (источник

О

Со, температура облучения 20 С) до дозы 10 Мрад, Она приобретает желто-оранжевую окраску. Затем пластину устанавливают перпендикулярно (56) Gros Jean D.F. et а11. Highpower СО -laserbeam monitor. - Rev.

Sci. Instrum, 1978, v. 49, N 6, р. 778-781.

Авторское свидетельство СССР

В 1200646, кл, G Ol J 5/50, 1986. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГО

РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ МОЩНОСТИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Изобретение относится к спосо-"., 1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения пространственно-энергетических параметров мощного лазерного излучения, Цель изобретения - расширение динамического диапазона.и оперативнос- ти измерений.

Способ осуществляется следующим образом. Пластина из ионного кристалла, например Nacl или КС1, подвергается воздействию ионизирующего излучения, например гамма-излучения, В обычном состоянии эти кристаллы бесцветны. При воздействии на них ионизирующего излучения в них возни,кают центры окраски, в результате чего кристалл Nacl приобретает жел . то-коричневый цвет, а КС1 — фиолето-. ро-сирий. Доза выбирается такой, бам измерения пространственно"энергетических параметров излучения °

Цель изобретения †. расширение динамического диапазона и оперативности измерений. Сущность изобретения эак" лючается в том, что в качестве чувствительного к излучению элемента используют ионный кристалл, например хлористый натрий, предварительно подвергнутый воздействию ионизирующего излучения в дозе, обеспечивающей изменение его окраски. Распределение плотности мощности измеряемого излучения определяют по измерению степени локального восста" новления окраски ионного кристалла.

I462965 коэффиииcитл оцтиче(когo /!англrirll< ииа позволяет детектиронать сфок i popanное ИК-излучение.

Формула изобретения

Составитель В,Максимов

Редактор Т.Орловская, Техред М.Дидык Корректор Н,Король

Заказ 1956, Тираж ... Подпи с но е

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, N-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 палающему на нее сфокусированному лучу СО -лазера (1=l0,6 мкм) типа

ТЛ-5 (мощность 5 кВт). Выключают лазер через 60 с. Распределение мощности в пучке измеряют по степени локального просветления кристаллической пластины.

Низкие потери мощности излучения в кристаллической пластине (менее 10 !

3 от падающей мощности) позволяют пользоваться предлагаемам детекторъм и непосредственно в ходе технологических операций с использованием мощных ИК-лазеров. Наличие совершенной 1б спайности и отсутствие требований к дополнительной обработке кристалла сокращает до мйнимума время приготов..ления пластин, а термическое разрушение центров окраски в ходе изотер- 20 мического отжига при температурах, гораздо меньших температуры плавления, позволяет использовать один и тот же детектор многократно, Использование пластин с низким значением 25

Способ измерения относительного распределения плотности мощности оптического излучения, включающии облучение чувствительного элемента измеряемым излучением и измерение результата воздействия излучения на чувствительный элемент, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона и опе ративности измерений, в качестве чувствительного элемента используют ионный кристалл, подвергнутый воздействию ионизирующего излучения в дозе, обеспечивающей изменение его окраски, а результат воздействия измеряемого излучения определяют путем измерения степени локапьного восстановления окраски ионного кристалла.