Способ получения сверхпроводящего керамического материала

 

Способ получения сверхпроводящего керамического материала на основе оксида меди, иттрия, лантаноидов и щелочноземельных элементов путем смешения исходных компонентов и термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения параметров перехода в сверхпроводящее состояние, термообработку проводят при 500-920oC в течение 10-50 ч с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 5-15oС/мин в кислородсодержащей атмосфере.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области сверхпроводимости, в частности к изготовлению пленочных токонесущих элементов

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может быть использовано при создании перспективных линий электропередач и энергетических установок
Изобретение относится к технической сверхпроводимости, в частности к процессам синтеза прекурсоров высокотемпературных проводников, и может быть использовано для создания сверхпроводящей керамики и изделий на ее основе, как массивных изделий, так и композиционных длинномерных проводников с керамической сердцевиной (одножильных и многожильных) в металлической оболочке

Изобретение относится к высокотемпературным сверхпроводникам

Изобретение относится к магнитометрической технике космических аппаратов (КА) и других объектов и касается устройств для экранирования магнитометров от внутренних магнитных полей объектов, где установлены магнитометры

Изобретение относится к области нанесения покрытий, в том числе сверхпроводящих, и может быть использовано в машиностроении

Изобретение относится к области нанесения покрытий и может быть использовано в машиностроении

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) и, в частности, к способам производства высокотемпературных сверхпроводящих пленок и кабеля плазмохимическим осаждением из газовой фазы и может быть использовано в электроэнергетике, радиотехнике, электронной технике, системах связи и т

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости
Наверх