Устройство для контроля процесса поверхностного культивирования микроорганизмов

 

Изобретение относится к устройствам для контроля культивирования микроорганизмов и направлено на повышение точности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов, Устройство размещается в центре (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (5В 4 С 12 М 1 36 С 01 К 17 00, 8" " 80ЛИЛ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (21) 4199210/28-13 (22) 24.02.87 (46) 15.03.89. Бюл. Р 10 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт биологического приборостроения (72) Д.П. Лебедев и К.В. Роганов (53) -663.1 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 690329, кл. С 01 К .17/00, 1977. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕС

СА ПОВЕРХНОСТНОГО КУЛЬТИВИРОВАНИЯ

МИКРООРГАНИЗМОВ (57) Изобретение относится к устройствам для контроля культивирования микроорганизмов и направлено на повышение точности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов.

Устройство размещается в центре

1465452

15

35 теплообменного элемента культиватора для поверхностного культивирования микроорганизмов. Оно содержит рабочий тепловой мост, часть которого находится в контакте с растущей культурой микроорганизмов, а другая часть — в контакте с рабочими датчиками теплового потока, и контрольный тепловой мост, часть которого находится в воздушной камере, а другая часть — в контакте с контрольными

1 датчиками теплового потока. Противоположные стороны всех датчиков тепловых потоков, омываются термостати1

Изобретение относится к устройст-, вам для контроля процесса культивирования микроорганизмов и может быть использовано в пищевой и микробиологической промышленности.

Целью изобретения является повы-. шение гочности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов за счет размещения чувствительного элемента в месте максимальной интенсивности биосинтеза.

На фиг.1 схематично изображено предлагаемое устройство, на фиг.2— расположение устройства в культиваторе.

Устройство содержит рабочие 1,2, и контрольные 3,4 кюветы с патрубками 5 длл ввода и вывода термостатируемой жидкости. Рабочие датчики б и 7 потока теплоты размещены в боковых стенках рабочих кювет 1 и 2 и находятся в контакте с тепловым мостом 8. Контрольные датчики 9 и 10 потока. теплоты размещены в боковых стенках контрольных кювет 3 и 4 и находятся в контакте со вторым тепловым мостом 11. Все элементы устройства помещены в корпус 12, имеющий в одном торце воздушную камеру

13; Измерительный блок: кюветы 1 и

2, датчики б и 7 и первый тепловой мост 8, и сравнительный блок: кюветы 3 и 4, датчики 9 и 10 потока теплоты и второй тепловой мост 11, разделены стенкой из нетенлопроводного материала 14. Стенки корпуса 12 вы.полнены также из нетеплопроводного рующей жидкостью. Тепловой поток от растущей культуры микроорганизмов по тепловому мосту переносится к рабочим датчикам и отводится термостатирующей жидкостью. Из суммарного сигнала рабочих датчиков вычитается суммарный сигнал контрольных датчиков. Полученная разность сигналов, G пропорциональная теплопродукции растущей культуры, фиксируется регистратором. Повышение точности контроля достигается за счет размещения устройства в месте максимальной интенсивности биосинтеза. 2 ил. материала. Не менее 2/3 длины первого теплового моста 8 находятся в тепловом контакте с двумя рабочими датчиками потока теплоты б и 7, а остальная часть выступает над торцовой частью корпуса 12. Не менее 2/3 длины второго теплового моста 11 находится в тепловом контакте с двумя контрольными датчиками потока теплоты, а остальная часть второго теплового моста находится в воздушной камере 13. С помощью штанг 15 устройство помещают в теплообменный элемент 16 культиватора 17, где находится твердая питательная среда 18.

Выходы ра бочих датчи ко в б и 7 тепловых потоков и контрольных датчиков 9 и 10 тепловых потоков подклю2р чены к регистратору 19 по дифферен циальной схеме.

Устройство работает следующим обо разом.

Загружается твердая питательная среда 18 в теплообменные элементы 16 культиватора 17. Включается воздушная аэрация теплообменных элементов и одновременно осуществляется посев культуры на питательную среду. Устройство для контроля поверхностного культивирования микроорганизмов размещается так, чтобы выступающая часть теплового моста 8 находилась в центре теплообменного элемента 16 и контактировала с твердой питательной средой и растущей культурой микроорганизмов. Тепловой поток от растущей

1465452 культуры по тепловому мосту 8 пере-носится к рабочим датчикам 6 и 7 и отводится термостатирующей жидкостью (водой) в кюветах 1 и 2. Иэ суммарного сигнала рабочих датчиков

6 и 7 вычитается суммарный сигнал контрольных датчиков 9 и 10, контактирующих с тепловым мостом 11. Полученная разность сигналов, пропорциональная теплопродукции растущей культуры в теплообменнике, фиксируется регистратором 19.

Экспериментально дрказано, что в центре слоя питательной среды во время роста культуры температура дос« тигает максимального значения 46 С

4 для культуры Asp. Niger и превышает температуру поверхности на 6 С, т.е. при толщине слоя 6 см твердой фазы . среды градиент температур достигает

1 С/см слоя питательной среды.

Такой достаточно высокий градиент температуры может быть проконтролирован с помощью теплового моста датчика теплового потока.

Установка теплового моста 8 в указанном месте позволяет получить максимальную разницу тепловых потоков . по тепловым мостам & и 11, что повышает точность контроля роста микро- .

I организмов при их поверхностном культивировании на твердых питательных средах.

Формула и з обр ет ения

Устройство для контроля процесса поверхностного культивирования микроорганизмов, содержащее рабочий и контрольный датчики потока теплоты и тепловой мост, о т л и ч а ю щ е. е с я тем, что, с целью повышения точности контроля, в него дополнительно введены второй рабочий и второй контрольный датчики потока теп" лоты, второй тепловой мост, две рабочие и две контрольные кюветы и примыкающая к последним воздушная камера, причем четыре датчика тепловых потоков размещены в боковых стенках соответственно четырех кювет, не менее 2/3 длины первого теплового

% моста находится в тепловом контакте

Я5 с двумя рабочими датчиками потока теплоты,не менее 2/3 длины второго теплового моста находится в тепловом контакте с двумя контрольными датчиками потока теплоты, а остальщ ная часть второго- теплового моста находится в воздушной камере.

1465452

Составитель Н. Алкеев

Редактор Т. Лазоренко Техред М. Ходанич Корректор M. немчик

Заказ 910/28 Тираж 500 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.,4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина,101