Устройство для измерения напряженности электростатического поля
Изобретение относится к электроизмерениям . Цель изобретения - упрощение устр-ва и повьшение точности измерения. Устр-во содержит электрооптическую ячейку 1, состоящую из прозрачных электродов 2, пространство между которыми заполнено слоем нематического жидкого кристалла 3 с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости, толщина которого задается изолирующей прокладкой 4, а также проводящие пластины 5, светодиод 6, фотоприемник 7, переключатель 8, источник 9 питания и блок регистрации Ш. Помещая пластины 5, подключенные к электродам 2, в электрическое поле, можно изменять прозрачность ячейки 1 в зависимости от величины напряженности электромагнитного поля. Повышение точности измерений обеспечивается за счет практически полной развязки между пластинами 5 и входами блока регистрации 10 без применения сложных электронных : схем. 1 ил. i (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (И1 (51) 4 G 01 R 29/ 12
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4252559/24-09 (22} 06.05.87 (46) 23.03.89. Бюл. У 11 (71) Научно-производственное объединение космических исследований (72) А.A. — Ê.Àááàñ, Б.Д,Сулиев и Э.С.Агаев (53) 621.317.328(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
11 1109677, кл. 6 01 R 29/12, 1979.
Авторское свидетельство СССР
9 930162, кл. G 01 К 29/12, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯ. ЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ (57) Изобретение относится к электроизмерениям. Цель изобретения — упрощение устр-ва и повьппение точности измерения. Устр-во содержит электрооптическую ячейку 1, состоящую из прозрачных электродов 2, пространство между которыми заполнено слоем нематического жидкого кристалла 3 с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости, толщина которого задается изолирующей прокладкой
4, а также проводящие пластины 5, светодиод 6, фотоприемник 7, переключатель 8, источник 9 питания и блок регистрации 1О. Помещая пластины 5, подключенные к электродам 2, в электрическое поле, можно изменять про" зрачность ячейки 1 в зависимости от величины напряженности электромагнитного поля. Повьппение точности измерений обеспечивается за счет практичес- л ки полной развязки между пластинами
5 и входами блока регистрации 10 без
f применения сложных электронных; схем.
1 ил.
1467521
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности статического и квазистатического электрическоro поля.
Цель изобретения †. упрощение уст-. ройства и повышение точности.
На чертеже приведена структурная электрическаясхема устройства для. 10 измерения напряженности электростатического поля.
Устройство для измерения напряженности электростатического поля содержит электрооптическую ячейку 1, вклю- 15 чающую первый и второй прозрачные электроды 2, пространство между которыми заполнено слоем нематического жидкрго кристалла 3 с отрицательной анизотропией диэлектрической про- 20 ницаемости, толщина которого задается изолирующей прокладкой 4. К каждо му первому и второму прозрачному электроду 2 присоединена первая и
I вторая параллельные проводяпде пластины 5 соответственно, источник све-. та — светодиод 6, фотоприемник 7, переключатель 8, источник 9 питания, блок 10 регистрации.
Устройство работает следующим об- 30 разом.
Пластины 5, расположенные параллельно одна другой на заданном рас- . стоянии, помещают в электрическое поле перпендикулярно силовым линиям по- 35 ля. При наличии электростатического поля через пластины 5 на жидкокристаллической электрооптической ячейке
1 создается напряжение, достаточное для возбуждения нематического жидко- 40 го кристалла 3. При этом жидкокристал-. .лическая электрооптическая ячейка 1 из прозрачного состояния переходит в непрозрачное вследствие динамического рассеяния света. Поэтому интен- 45 сивность света, излучаемого светодиодом 6, проходя через жидкокристаллическую электрооптическую ячейку 1, уменьшается, что регистрируется с помощью фотоприемника 7 и блока 10 50 регистрации. Причем в зависимости от велйчииы напряженности электростатического поля изменяется пропускание жидкокристаллической электрооптической ячейки 1 и, соответственно, величина регистрируемого электростатического поля. При малых значениях напряженности поля рассеивание незначительно, при увеличении напряженности поля жидкокристаллическая электрооптическая ячейка 1 становится. рассеивающей и более непрозрачной для света, проходящего через жидкокристаллическую электрооптическую ячейку 1.
Таким образом, помещая пластины
5 в электрическое поле, можно изменять прозрачность жидкокристаллической электрооптической ячейки 1 в зависимости от величины напряженности электромагнитного поля.
Повышение точности измерений обеспечивается за счет практически полной развязки между пластинами 5 и входами блока 10 регистрации без применения сложных электронных схем.
Верхняя граничная частота измеряемого электрического поля 1 кГц, что обусловлено отсутствием динамического рассеяния при частотах выше I кГц. формула изобретения
Устройство для измерения напряжен" ности электростатического поля, содержащее датчик поля, выполненный в виде первой и второй параллельных проводящих пластин, блок регистрации, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и повышения точности, введены электрооптическая ячейка, заполненная нематическим жидким кристаллом с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости, к первому и второму прозрачным электродам которой присоединены первая и вторая параллельные проводящие пластины соответственно, светодиод и фотоприемник, расположенные по разные стороны от электрооптической ячейки на одной оси с ней, причем выход фотоприемника подсоединен к входу блока регистрации.
