Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления

 

Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано I Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано для создания гексаферритовых текстурированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона. Цель изобретения - повышение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механидля создания гексаферритовых текстурированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона. Цель изобретения - повышение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям . Композиционный материал, включающий , мас.%: функциональный материал 30-80; стеклосвязующее 5-50, органическое связукщее - остальное, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 150-200°С, вжигают в течение 10-15 мин при 520-900°С и охлаждают , причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее 2 кЭ, силовые линии которого параллельны плоскости пленки. 2 с.п. ф-лы, 1 табл. ческой прочности и устойчивости к органическим растворителям. Пример. Композиционный материал , включающий в себя мелкодисперсный (0,3-10 мкм, лучше 1-3 мкм) порошок гексаферрита марки 04С4А1, - стеклосвязующее Ри 34 ПАЦ.024.006 ТУ : с температурой размягчения 450°С и органическое связующее - 4%-ный раствор этилцеллкшозы в терпинеоле, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сутаат при 140-210 С 20-25 штн, вжигают при $ (О 4 о: ч8 О1

СОЮЗ СОНЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1467579

Ai,(51)4 Н О1 F 10 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Cpt

2 а ческой прочности и устойчивости к органическим растворителям.

Пример. Композиционный материал, включающий в себя мелкодисперсный (0,3-10 мкм, лучше 1-3 мкм) порошок гексаферрита марки 04С4А1,стеклосвязующее Ри 34 ПАЦ.024.006 ТУ " о с температурой размягчения 450 С и органическое связующее — 4 -ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при

140-210 С 20-25 мин, вжигают при

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И (ЛНРЬП ИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4246557/24-07 (22) 02.03.87 (46) 23.03.89. Бюл. № 11 (72) М.С. Лавров, С.И. Подковырин, В.Н. Смирнов и В.Н. Братчиков (53) 621.318.25 (088.8) (56) Исследование элементов диэлектрических структур для приемо-передающих устройств. Отчет МАИ № ГР

78076809,М., 1982, с. 94.

Поллак Б,П. и др. Поликристаллические гексаферритовые пленки как гиромагнитные резонаторы для невзаимных устройств: Труды 7 Между- народной конференции по гиромагнитной электронике и злектродинамике.

Вильнюс, 1980. (54) СПОСОБ. ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕКСАФЕРРИТОВОЙ ТЕКСТУРИРОВАННОЙ EIEHKH И КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано

° Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано для создания гексаферритовых текстурированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона.

Цель изобретения - повьппение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механидля создания гексаферритовых текстурированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона. Цель изобретения — повьппение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям. Композиционный материал, включающий, мас. : функциональный материал 30-80; стеклосвязующее 5-50, органическое связующее — остальное, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 150-200 С, вжигают в течение 10-15 мин при 520-900 C и охлаж" дают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее

2 кЭ, силовые линии которого параллельны плоскости пленки. 2 с.п. ф-лы, 1 табл. установки контролировалась но индикатору КСВН и ослабления Я2Р-67 (мак- симуму обратных потерь резонатора ).

Размер пленки 0,05"0,9> 20 мм, погрешность измерений 0,05 дБ.

Результаты испытаний представлены в таблице.

Как иэ таблицы следует, поставленная цель достигается лишь при вполне определенных значениях параметров техпроцесса изготовления гекса*ерритовой пленки. з

1467579

510-900 С в течение 10-15 мин, охлаждают 20-25 мин, причем сушку, вжигание и охлаждение осуществляют в магнитном поле 1-4 кЭ.

Толщина наносимого за один проход ракеля слоя составляет 8-100 мкм.

Если требуется получить пленки больших толщин, первоначальный слой су" шат в магнитном пале, а затем нано- 10 сят новый слой поверх первого, который сушат в постоянном магнитном поле того же направления и т.д. В процессе сушки органическое связующее выгорает., После нанесения последнего слоя пленку сушат, вжигают. и охлаждают по приведенной схеме.

Консистенция предлагаемого мате" риала (его вязкость и растекаемость) подобраны таким образом, чтобы обес- 20

1 печить воспроизводимость заданной конфигурации пленки и в то же время не вызывать частой очистки трафарета.

Напряженность постоянного магнитного поля Н, в котором производят 25 сушку, вжигание и охлаждение пленок, составляет 2-4 кЭ. При Н < 2 кЭ не происходит полной ориентации магнитных моментов кристаллов в вяз" ком стекле вдоль приложенного маг-. 30 нитного поля. При Нр Ъ2 кЭ эта ориентация оказывается практически стопроцентной. Наиболее оптимальной является Н 2,5-3,5 кЭ. Использова ние магнитного поля напряженностью более 4 кЭ является экономически нецелесообразно.

Испытания электродинамических характеристик проводились на измерителе КСВН и ослабления Р2-69 при 40 помощи измерительной камеры, которая представляет собой отрезок прямоугольного металлического волновода сечением 3,6 <1 8 мм, верхняя стенка которого свободно перемещается отно- 45 сительно канала волновода в направлении, перпендикулярном оси канала волновода. Гиромагнитная пленка наносится на поликоровый вкладьпп

0,3 1,6 30 мм, который приклеивается к верхней крьппке волновода перпендикулярно к ней. Крьппка устанавливается на волновод и при помощи микрометрического винта располагается так, чтобы гиромагнитный резонатор (пленка ) оказался точно в области с круговой поляризацией СВЧ-маг" нитного поля в волноводе. Точность

Формула и з о б р е т е н и я

1. Способ изготовления гексафер" ритовой текстурированной пленки, включакщий нанесение пленки из композиционного материала на диэлектрическое основание и сушку в постоянном магнитном поле, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинами" ,ческих характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механических свойств и устойчивости пленки к органическим растворителям композиционный материал, содержащий мелкодисперсный порошок поликристал" лического гексаферрита и связующее, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 150-200 C вжигают в течение б

10-15 мин при 520-900 С и охлаждают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее 2 кЭ °

2. Композиционный материал для изготовления гексаферритовой текстурированной пленки, содержащий мелкодисперсный порошок поликристаллического гексаферрита и связующее, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям в качестве связукщего используют смесь стеклосвязующего и органического связующего при следующем соотношении компонентов, мас.Х:

Гексаферрит 30-80

Стеклосвязующее 5-50

Органическое связующее

1467579

О

° Ф х х

clI о е

ИД оо

ОО б в

4 Ъ м

ИИИ

ИИ

N с Ч

N ahСЧ ° сч м 4

36ПС 3 о0о о

° ° ° б в

1 х

Ф

Ф

3!

М а

ФЗ ч1 фоофg ф ИИфИ в в I » в флффсч ф -счсчсч

И а Фл Фомл

° * в в б в в

СЧNNСЧN 0 и и с 1 an u atl an

ООООООО

Ch Ch СС% О ОЪ Ch 01 в в в ° в в в

ООООООО

CO CO Ф

О ОООО ооиао в в в в б м сч и и и и и an u

СЧ N СЧ СЧ N N N

6666666

СЧ N СЧ N N N СЧ

an И an И

ОООООО О ж о о м ф лс лллл

ИИ ИИ сч сч .сч сч

66 66 счсч 1 счсч о оооо фффф. с! !» в» е» и и оооо

» «N N СЧ N

-«оооо ффЧСЧ1МФ

М оооо х э есчсчсчсч

NcnWane мммммм

an an и с 1 an an чммччч

ОООООО в в б б в

° О «» Ch O N

NNNNNN имл ои б в в б в б

ОООООО

Ch О ф СО Л О

Ch Ос О Ch О\ Ch в в в в» °

ОООООО

МЛс1ОИО

anaanс Осч

N NСЧ в в в в °

ОООО О О оооооо в б в в в» мммммм

I 1 t 1 1 I

1 1 1 I 1 I

1 I 1 1 I I

1!!111! 1 1 I I 1

I 1 1 I 1 1

О ОО О О О л r л со о an сч

ОООООО м м м сч чг и

Ci aII Ch O N ммм< Ф Ф е! 2 х

3 ° о

1. О Х

Э Щ Ф ф а в;ой

1-ОО

@ се И

1 Х X f (g eâ щ х о и а а1 с6

Э охх

C. "y Ca еео (ac aaa ca

Ве1 и1"

Х 4 С1

aI eau а

СС 41 ф

ЙОи1 35 !

3 ) N

Ol е е а и 1 О о CI ь е ф б

2 и а о

ah 6 Сс ° а и 88.

:"(Ij о ° е5 е а

1467579

И е о о о о о о о о î о о о о о о о о л а Ф м î со и ОО

an an atl In ln an м м м м м м In м Iti an N c÷ сч м и О Q и и an м N

v / v v v мммовоо

«««е ««« вааcot-ал

NNNСЧN

И Оъ ltl

f лелелt »CNОoaф ОФNмсчфлаф счфлллln

«* ««Е а «е а а а «а ° е «« ° ° « ° а Е «« ° « ° ° оооооомм оооо-ооммммоооммммл с"1 с 1 с1 м м

ООООО

О1 О OI О1 Ch ооосо о о о с с o an t О î и о о о о î î î с î î î с о с о о о о

«« ° «е ° б ««е б ««««а ««а ««а «««««« м м е \, «е1 с ъ «с ° сч м»t м c«м f«a м м м м м м м м м м м N и и и и an и и an an и и и1 и1 an и и an и и1 ln и и и и и и In an in

М N СЧ N СЧ СЧ СЧ СЧ N СЧ N N СЧ СЧ N N N СЧ М СЧ СЧ СЧ N СЧ N М СЧ СЧ СЧ соус оооссссосососоосссссссосс

С С СЧ N СЧ N СЧ СЧ СЧ СЧ N NN СЧ N N N СЧ N N N N N N СЧ N СЧ СЧ N СЧ сч сч сч сч 0 In сч N сч N N N сч сч м N N In an u an an an In о сч и и ln с с с с о о о о с с о с î с с о с с с с с с с с с о с о о

W ОNСОж О ОФ ОФ О ОМ ОФС. О О ОФ О вЂ” — ОФ л ° an ct л л л л л л л л л t«л л l л л л I л л f» an ln an л л

an an и и an и и мз an и и и1 и1 И и и и и и и и1 an an an и и и1 и In

N N М Сч N ЕЧ СЧ СЧ СЧ СЧ ЕЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ М N N М N СЧ СЧ ЕЧ N СЧ М СЧ

Ь оЗ с Ь А А о Ь Ь Ь о о о Ь Ь с с о с Ь с с о Ь с о с Ь

N N СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ М М СЧ СЧ N N СЧ СЧ СЧ СЧ N N СЧ N N СЧ СЧ СЧ СЧ ЕЧ СЧ ЕЧ! О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О О и о ь ф ф оо ф ф со в со ф в в в co co co ф СО в ao co cao ф в а ф в

gOkI о о о о о о ис и an an u an.о о м о о и е м vo — - м м м м м мммммм «мм мм --эви---О 0 О О О О О О О О О.О O О и1 О In ° Oa Ф Ос

Ф Оа юаааайвваао оламечфффаммсчвфваа оООООО ОО Оап оо м сч N N сч ее ю an an an ис и\ сч — м an ln .О an О со an — сч о О О О е

О сч м э,и1 а л а оа о ««еч с 1 w и ю f co ol

СЧ М ЧС fn IÔ Л Oo Ol ««««« « «N М N ЕЧ N N N N N СЧ

3 о

ы э х х х" сс ы î х

I !

ЦСС О

ОХХК ак ах 1Ф"

С I с«

lC cC сс 61 ох о «к

Cl с«ц

52Ic:

I ю Ц сс

М СЧ оо

О1 Оъ

«а оо

-ОмОФ-О и In и и с an u

ООООООО

« ° «е « оооос. оо иоооооооо ими мвомои

«О «Иф е а °

О Ф а Ф О О « л «л л л л «, «О л ф ф Ф М NСЧNN NсЧМс\ Oa OaOa м » «м о сч о о о е и an an w u an an м1 и an o

ООООО ÎÎО ООООООООСОООСО

Оь oa oa Oa ca oa О ф ol Оъ Oa Ol oa Оъ Ос Оъ О1 О1 Оъ oa oa oa е ° «а а е а а «а а «е « ° « ° «е «е е о о о о о о î î î о о о о о о о о о с о с о м«-омолиимв О o -cnoa Ф и1 In an an u an w w an м1 w и1 w cn м м и w и и и ь о с с о о о о о î î о о о о о о о о о о о

° « « « « ««« ос оооо оооо о осооооооос о

Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок
Наверх