Устройство для получения пленок многокомпонентных сплавов

Авторы патента:

C30B23/06 - нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для получения полупроводниковых пленок из многокомпонентных селективно испаряющихся материалов. Цель изобретения - повышение качества пленок и соответствия их состава исходному материалу. В вакуумной камере размещен испаритель. На его боковой поверхности выполнено окно. В испарителе размещен тигель. Тигель соединен с механизмом его вертикального перемещения. Над испарителем расположена подложка, напротив окна средство периодической подачи исходного материала в тигель. Механизм перемещения тигля и средство периодической подачи исходного материала синхронно связаны. Над тиглем в испарителе установлен сепаратор. Получены пленки соединений BI-SB-TE толщиной до 10 мкм , состав которых соответствует исходному материалу. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (9! S U (11) (50 4 С 30 В 23/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4212526/23-26 (22) 20.03.87 (46) 23.04.89. Бюл. И 15 (72) Б.Б.Анисимов, Ю.А.Мальцев, Ш.З.Джамагидзе и P.P.Øâàíãèðàäçå (53) 621.315.592 (088.8) (56) Дашевский З.И. и др. вЂ” Электронная техника. Сер. 7, 1978, вып. I(86), с. 11-13. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК

МНОГОКОИПОНЕНТНЫХ СПЛАВОВ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для получения полулроводниковых пленок из многокомпонентных селективно испаряюшихся материалов. Цель изобретения вЂ” повышение

Цель изобретения вЂ” повышение качества пленок и соответствия их состава исходному материалу.

На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид.

Устройства включает в себя вакуум ную камеру 1, внутри которой расположен графитовый испаритель 2 в ви- де стакана с окном 3 на боковой его поверхности. Внутри испарителя 2 установлен графитовый тигель 4 на штоке 5, шарнирно связанном со средством перемещения тигля 4. Средсткачества пленок и соответствия их состава исходному материалу. В вакуумной камере размещен испаритель.

На его боковой поверхности выполнено окно. В испарителе размещен тигель. Тигель соединен с механизмом его вертикального перемещения. Над испарителем размещена подложка, напротив окна - средство периодической подачи исходного материала в тигель.

Механизм перемещения тигля и средство периодической подачи исходного материала синхронно связаны. Над тиглем в испарителе установлен сепаратор. Получены пленки соединений

Bi-Sb-Òå толщиной до 10 мкм, состав которых соответствует исходному материалу. 1 s.ï. ф-лы, 1 ил. 1 табл.

2 во перемещения тигля 4 выполнено в виде рычага 6, закрепленного на оси

7, и электромагнита 8 ° Напротив окна

3 расположено средство 9 для периодической подачи исходного материала, которое синхронно связано со средством перемещения тигля 4. В верхней части испарителя 2 над тиглем 4 установлен сепаратор 10. Над испарителем

2 размещена подложка 11. Сепаратор

10 исключает попадание на подложку

11 недоиспарившихся частиц.

Устройство работает следующим образом.

Порошок исходного материала заданного состава периодически (через

1-3 с) засыпают через окно 3 в горячий тигель 4 для периодической за1474185

Содержание компонентов, ат. %, с точностью -2 отн. %.

Концентрация носителей тока

P 10

CM-3

Подвижность

Вид образца

Устройстцо носителей р, см2 /В с

Sb Te

190

10,1 29,6 60,4 2,5

9,3 30,8 61,5 1,7

Пленка Предлагаемое

Пленка Известное

Исходный объемный об9,9 29,7 60,2

10* 30" 60*

2,4

290 разец ф Расчетное содержание компонентов в исходном сплаве заданного состава Bi „ ЯЪ„ Те сыпки. При этом включают электромагнит 8, который притягивает одно из плеч рычага 6 и поворачивает его вокруг оси 7, а второе плечо рычага

6 опускает шток 5 с тиглем 4 и открывает окно 3. После засыпки электромагнит 8 отключают, и рычаг 6,, возвращаясь в первоначальное положение возвратной пружиной, поднимает тигель 4 и перекрывает окно 3 на период полного испарения исходного материала. Затем весь цикл повторяется.

Получают пленки соединений Bi-SbTe со скоростью осаждения 0,5 мкм/

/мин и толщиной до 10 мкм, состав которых соответствует исходному материалу.

Концентрация компонентов и некоторые электрические параметры в плен" ках и исходном объемном образце состава 25% В Те + 75%. Sb Te> приведены в таблице. 25

Формула изобретения

1. Устройство для получения пленок многокомпонентных сплавов, включающее вакуумную камеру, размещенный в ней испаритель с окном на его боковой поверхности, средство для периодической подачи исходного материала через это окно и подложку, закрепленную над испарителем, о т л ивЂ” ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества пленок и соответствия их состава исходному материалу, устройство снабжено тиглем, установленным внутри испарителя и имеющим средство его вертикального перемещения, и сепаратором, размещенным над тиглем.

2. Устройство по п.1, о т л ивЂ” ч а ю щ е е с я тем, что средство для периодической подачи исходного материала синхронно связано со средством вертикального перемещения тигля.

1474185

Редактор Н.Яцола

Заказ 1842/24

Тираж 355

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101

Составитель H.Давыдова

Техред А.Кравчук Корректор А. Обручар

Устройство для получения пленок многокомпонентных сплавов

Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений

Устройство для выращивания кристаллов сложных полупроводников // 2022068

Способ получения наноразмерных пленок bi-содержащих ферритов-гранатов // 2532185

Изобретение относится к технологии получения пленок ферритов-гранатов и может быть использовано в прикладной магнитооптике для получения магнитооптических дисков, модуляторов, дефлекторов. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки галлиевого граната ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку сложнозамещенного галлиевого граната, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 800-850°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 0,5-1,0 час при температуре 700-750°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет повысить качество получаемых наноразмерных пленок Bi-содержащих ферритов-гранатов, а также величину удельного фарадеевского вращения. 1 табл., 1 пр.

Способ получения наноразмерных пленок феррита // 2532187

Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку титаната стронция, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 700-750°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет получать монокристаллические наноразмерные пленки мультиферроиков состава BiFeO3 и RxBi1-xFeO3 (где R- Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). 1 табл., 1 пр.

Способ получения оптического поликристаллического селенида цинка // 2619321

Изобретение относится к конструкционным изделиям ИК-оптики, обеспечивающим, наряду с основной функцией пропускания излучения в требуемом спектральном диапазоне, защитные функции приборов и устройств от воздействий внешней среды. Способ включает выращивание заготовок селенида цинка путем испарения исходного порошкообразного или компактированного сырья, конденсацию паров на нагретую подложку, для чего в контейнере для выращивания заготовок селенида цинка дополнительно осуществляют промежуточную конденсацию паров, обеспечивая пропускание паров через лабиринт, образованный в рабочем пространстве контейнера, в виде пластины с выступами, с помощью чего прохождение пара к подложке происходит по непрямолинейной извилистой траектории, способствующей очистке конденсата от твердых примесей, и далее через фильтр из углеграфитовой ткани, закрепленный между графитовыми кольцами, с последующим реиспарением и переносом пара на подложку, причем конденсация паров происходит на подложку, нагретую до 1030-1070°С, со скоростью 0,2-0,5 мм/час, после чего выращенную заготовку селенида цинка охлаждают и извлекают из ростовой установки, помещают в установку-газостат и проводят горячее изостатическое прессование при температуре 1050-1150°С и давлении инертного газа 150-200 МПа в течение 2-3,5 часов. Технический результат изобретения состоит в изготовлении монолитной заготовки в виде круглой пластины или сферического вогнутого сегмента из поликристаллического селенида цинка, обладающих повышенной химической чистотой и оптической однородностью по спектральному пропусканию по всей площади выращенной заготовки, расширенным спектральным диапазоном прозрачности с высоким пропусканием в видимой и ИК-областях спектра в оптических деталях, изготовленных из данных заготовок. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Способ получения монокристаллического sic // 2621767

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля 6 затравочной пластиной SiC 11, создание в камере роста 1, путем ее нагрева нагревателем 4, с учетом теплоизолирующей способности теплового экрана 3, необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного высокими градиентами температуры в верхней и нижней зонах камеры роста и низкими градиентами температуры в зоне максимального нагрева, находящейся между верхней и нижней зонами камеры роста, в которой при температуре, обеспечивающей сублимацию, расположен рабочий объем тигля, при этом сублимацию проводят в тигле 6, крышка 7 которого закреплена с сохранением рабочего объема тигля на уступе, выполненном на внутренней поверхности боковых стенок тигля, высота Н которых превышает продольный размер h рабочего объема тигля, а часть боковых стенок, находящихся над крышкой 7 тигля 6, расположена в верхней зоне камеры роста таким образом, что торец 10 боковой стенки тигля размещен при температуре от 1000 до 1500°С. Способ позволяет увеличить выход качественных монокристаллических слитков SiC и снизить затраты на его проведение. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Способ получения монокристаллического sic // 2633909

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC, размещенную на держателе в форме плоского кольца, при этом на пластину затравочного монокристалла SiC со стороны, не предназначенной для роста монокристаллического слитка SiC, наносят один или несколько слоев, обеспечивающих термохимическую стабильность и заданные температурные условия на поверхностях пластины затравочного монокристалла SiC, а держатель с пластиной затравочного монокристалла SiC устанавливают в тигле таким образом, чтобы поверхность пластины, предназначенная для роста слитка монокристаллического SiC, была обращена внутрь тигля и контактировала при проведении сублимации с газовой средой внутри тигля. По окружности внутренней цилиндрической поверхности плоского кольца держателя периодически выполняют выступы шириной h=(1-3)⋅t и длиной S=(1-10)⋅h, торцы которых снабжены уступами глубиной k=0,3-1 мм и шириной t=0,5-2,0 мм, для размещения пластины затравочного монокристалла SiC толщиной Н, превышающей глубину уступа k, а сверху на держателе с пластиной с нанесенными слоями размещают пластину из терморасширенного графита толщиной, превышающей величину (Н-k), и далее фиксируют прижимным элементом в виде жесткой пластины толщиной 1,5-8 мм и стопорного кольца из термостабильных материалов. Технический результат заключается в улучшении качества слитка монокристаллического SiC за счет снижения упругих напряжений в пластине затравочного монокристалла SiC и достижения однородной скорости роста по всей поверхности пластины затравочного монокристалла с образованием почти плоского фронта кристаллизации. 6 ил., 1 табл.